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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/11/05 不服
2012 -10289 
NAND型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/10/28 不服
2013 -5187 
相互接続構造体形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 太佐 種一   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2013/10/21 不服
2012 -19358 
プログラマブルな抵抗メモリ装置、およびそれを用いた系、ならびにそれを形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2013/10/08 不服
2012 -9553 
周波数変化によってデータの出力タイミングを制御するための半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/10/07 不服
2012 -24913 
フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/30 無効
2012 -800203 
炭化珪素半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担…… 大野 浩之 その他   入子 俊昭   原文 保存
該当なし  
2013/09/30 不服
2012 -14780 
LSI品種決定方法、LSI品種決定プログラムおよびLSI品種決定装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/30 不服
2012 -21818 
ナンド型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/30 不服
2012 -18894 
導電性側壁スペーサを有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/27 不服
2011 -26167 
高速メモリシステムにおいて読出しタイミングを同期させる方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人 谷・阿部特許事務所   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2013/09/17 不服
2012 -11646 
温度に鈍感な飽和電流を有するMOSトランジスタ及びそれを用いた定電圧発生器 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/13 不服
2011 -28057 
フィードバックエッチング制御を用いて臨界寸法を制御するための方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 仲村 義平 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/09/05 不服
2013 -6961 
薄膜トランジスター 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 影山 秀一   株式会社アルバック 三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/09/04 不服
2012 -20129 
高誘電率のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びそれの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/30 不服
2011 -24441 
トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木村 政彦 その他   シリコニックス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/26 不服
2012 -2759 
高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/21 不服
2013 -2570 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/19 不服
2012 -17612 
集積回路とメモリセルのトラップチャージ層のチャージ方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高梨 憲通 その他   アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/16 不服
2012 -11676 
固体撮像装置 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/13 不服
2012 -9945 
不揮発性メモリーセルと動作方法 本件審判の請求は、成り立たない。 田中 秀佳 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2013/08/07 不服
2012 -3644 
メモリアレイの操作方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/05 不服
2012 -8780 
NANDフラッシュメモリ素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/05 不服
2012 -13879 
半導体素子の銅金属配線形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/08/02 不服
2012 -11484 
電荷トラッピング不揮発性メモリおよびそのゲートバイゲート消去のための方法 本件審判の請求は、成り立たない。 熊野 剛 その他   旺宏電子股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2013/07/29 不服
2011 -27085 
高速スイッチング絶縁ゲート型パワー半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 三山 勝巳 その他   ノース-ウエスト ユニヴァーシティ   原文 保存
該当なし  
2013/07/23 不服
2012 -22568 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/07/10 不服
2012 -17003 
検査方法及び半導体基板製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社SUMCO   原文 保存
該当なし  
2013/07/01 不服
2012 -21557 
半導体装置およびその製造方法と、積層型半導体集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。 宮崎 昭夫 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -14257 
半導体素子のキャパシタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -16828 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 板東 義文   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  

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