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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2018/06/25 不服
2017 -9394 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/06/14 不服
2017 -13838 
トレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。   ヴィシェイ-シリコニックス   原文 保存
該当なし  
2018/02/14 不服
2017 -6153 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -798 
炭化珪素半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人ゆうあい特許事務所   トヨタ自動車株式会社 株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2018/01/09 不服
2017 -5236 
逆導通IGBT 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人快友国際特許事務所   株式会社豊田中央研究所 トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/12/04 不服
2017 -1051 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/10/31 不服
2015 -18374 
薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 達彦 その他   ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ   原文 保存
該当なし  
2017/09/26 不服
2016 -12058 
炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松井 重明 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/09/20 不服
2015 -22264 
代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 玄番 佐奈恵   インテグリス・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2017/08/31 不服
2016 -10017 
ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 修 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/08/07 不服
2016 -16836 
化合物半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/07/25 不服
2016 -16084 
窒化物半導体素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 鶴田 準一 その他   エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド   原文 保存
該当なし  
2017/07/25 不服
2016 -15742 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/07/11 不服
2016 -15643 
電力用半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 村上 加奈子 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/19 不服
2017 -706 
半導体装置とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/06/14 不服
2017 -980 
半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 有田 貴弘   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/05/30 不服
2016 -13724 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 稲葉 良幸 その他   トランスフォーム・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/05/08 不服
2016 -13412 
化合物半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/04/25 不服
2016 -9509 
改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール 本件審判の請求は、成り立たない。 大牧 綾子 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2017/04/12 異議
2015 -700306 
半導体装置及びその製造方法 特許第5802231号の明細書,特許請求の範囲を訂正請求書に添付され…… 小崎 純一 その他     原文 保存
該当なし  
2017/04/07 不服
2016 -1966 
SiC上の高耐圧パワー半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 実広 信哉 その他   ダウ コーニング コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2017/04/04 不服
2016 -7896 
半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 林 茂則   住友化学株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/01/24 不服
2016 -8057 
p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社リコー   原文 保存
該当なし  
2017/01/06 不服
2016 -62 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/12/05 不服
2016 -2603 
炭化珪素半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/11/29 不服
2015 -15695 
窒化物ベースのトランジスタおよびエッチストップ層を用いた製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2016/11/28 不服
2015 -9551 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし  
2016/11/24 不服
2015 -15762 
Ga2O3系半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 遠藤 和光 その他   株式会社タムラ製作所 国立研究開発法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし  
2016/08/29 不服
2015 -11809 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2016/08/18 不服
2015 -10290 
炭化珪素半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松山 允之 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  

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