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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2019/12/03 不服
2018 -7330 
SiCベースの超接合半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2019/10/11 不服
2018 -12182 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2019/09/18 不服
2018 -4653 
炭化珪素半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/08/20 不服
2018 -10126 
炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/08/05 不服
2018 -6219 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 酒井 昭徳   国立研究開発法人産業技術総合研究所 富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/07/17 不服
2018 -14679 
回路のための過渡事象保護をもたらす方法および装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ザ・ボーイング・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2019/06/18 不服
2018 -296 
トランジスタ構造およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/06/18 不服
2018 -2555 
絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/06/18 不服
2018 -7138 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 須藤 章   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2019/05/21 不服
2018 -5376 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日産自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/04/16 不服
2017 -16642 
半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人平田国際特許事務所   株式会社タムラ製作所 国立研究開発法人情報通信研究機構   原文 保存
該当なし  
2019/04/01 不服
2018 -1081 
ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2019/04/01 不服
2018 -11590 
窒化物系電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 高橋 英樹 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/03/20 不服
2018 -7752 
半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2019/03/11 不服
2018 -9808 
ミドルオブライン(MIDDLEOFLINE)(MOL)導電層を使用したキャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。 黒田 晋平   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2019/01/08 不服
2017 -19469 
高周波パワーダイオードおよび高周波パワーダイオードを製造するための製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   アーベーベー・テクノロジー・アーゲー   原文 保存
該当なし  
2018/12/10 不服
2017 -6980 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/11/20 不服
2017 -16255 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/11/15 不服
2018 -1315 
最外フィンの外側表面上のエピタキシャル成長バリアを含むマルチフィンFINFET装置及び関連方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/10/12 不服
2017 -14378 
埋め込みウェル領域およびエピタキシャル層を有する電界効果型トランジスタデバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須田 洋之 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/09/25 不服
2017 -11402 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 高橋 英樹 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2018/08/06 不服
2017 -12981 
ゲート電極を有する炭化ケイ素半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小倉 博 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし  
2018/07/02 不服
2017 -15281 
ナノワイヤ構造を製造する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 津田 理 その他   クナノ・アーベー   原文 保存
該当なし  
2018/06/25 不服
2017 -14791 
パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 本件審判の請求は、成り立たない。   スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2018/06/25 不服
2017 -9394 
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 昭徳   富士電機株式会社 国立研究開発法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2018/06/18 不服
2017 -8264 
SiCショットキーダイオード用モリブデンバリア金属および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴木 康仁 その他   ヴィシェイ-シリコニックス   原文 保存
該当なし  
2018/06/04 不服
2017 -11627 
シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アーゲー   原文 保存
該当なし  
2018/03/29 不服
2016 -17264 
スプリットゲート電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ヴィシェイ-シリコニックス   原文 保存
該当なし  
2018/02/26 不服
2017 -1364 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 高田 守 その他   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2017/09/04 不服
2017 -1225 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  

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