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現在の検索キーワード: 北島 健次

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2013/06/26 不服
2012 -1266 
高周波数用途向けの電界効果トランジスタを備えた電子デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 赤岡 明 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -24802 
半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 岡部 讓 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -13394 
高電圧半導体装置に対して用いられるウエハーを形成する方法及び高電圧半導体装置に対して用いられるウエハー 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 荒木 淳 その他   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -14257 
半導体素子のキャパシタ製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/25 不服
2012 -13823 
低電圧用の半導体メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   658868 エヌ ビー インク   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -13988 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 速水 進治   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -11944 
向上した動作性能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路とその読み出し及びプログラム動作制御方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスケーハイニックス株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -10650 
拡散バリアー層及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/24 不服
2012 -24638 
溝ゲート型SiC半導体装置の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 永坂 友康 その他   トヨタ自動車株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/18 不服
2011 -16915 
電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 林 鉐三 その他   フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/06/18 不服
2012 -14911 
改良した集積回路分離構成体及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/17 不服
2012 -19231 
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫   信越化学工業株式会社 信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/17 不服
2012 -19233 
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。 好宮 幹夫   信越化学工業株式会社 信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/13 不服
2012 -22603 
イメージセンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 奥山 尚一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/06/12 不服
2012 -14140 
基板の2つの面間の電気的接続および製造工程 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 園田 吉隆   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  
2013/06/10 不服
2012 -11797 
半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 伊東 忠彦 その他   インタレクチュアル ヴェンチャーズ ファースト エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2013/06/05 不服
2012 -15107 
半導体構造、メモリアレイ、電子システム、及び半導体構造の形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大菅 義之   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -13606 
基板における電気的な構成素子から成る装置および該装置を製造する方法 本件審判の請求は、成り立たない。 アインゼル・フェリックス=ラインハルト その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト オイペック オイロペーイッシェ ゲゼルシャフト フュール ライスツングスハルプライター ミット ベシュレンクテル ハフツング   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -16913 
CMOSイメージセンサの単位画素及びCMOSイメージセンサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 奥山 尚一 その他   インテレクチュアル・ヴェンチャーズ・II・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -14867 
ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -6543 
シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーMOSFETスイッチ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 立川 幸男 その他   シリコニックス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -21093 
トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 臼井 伸一 その他   アギア システムズ インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2013/05/31 不服
2012 -6467 
多層配線半導体集積回路、半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/31 不服
2012 -17970 
プロセッサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2013/05/29 不服
2012 -14133 
自己整合接点形成用エッチングに用いるためのシリサイドゲート積層体の形成方法 本件審判の請求は,成り立たない。   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  
2013/05/29 不服
2012 -15722 
絶縁体構造を強化した電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 荒木 淳 その他   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/05/29 不服
2012 -17305 
多結晶薄膜の粒径均一性の判定装置及びレーザ照射装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   NLTテクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/29 不服
2012 -11404 
固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/27 不服
2012 -9922 
固体撮像装置 本件審判の請求は,成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/05/23 不服
2012 -6557 
半導体メモリのための修復装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野村 泰久   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
該当なし  

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