| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2012/04/17
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不服
2011
-3531
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電気二重層キャパシタ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ダイキン工業株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/04/03
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不服
2010
-5892
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高密度MRAM用途用の合成フェリ磁性体センス層
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本件審判の請求は,成り立たない。
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英 貢
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/22
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不服
2010
-14230
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電気二重層コンデンサとその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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永野 大介
その他
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パナソニック株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/19
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不服
2010
-23755
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半導体メモリ装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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実広 信哉
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/06
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不服
2008
-32935
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SOI電解効果トランジスタを製造する方法および対応する電界効果トランジスタ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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森下 夏樹
その他
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/05
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不服
2010
-8934
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磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気記録再生装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2012/02/22
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不服
2010
-8496
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フラッシュメモリセルの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2012/02/06
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不服
2010
-10607
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固体撮像装置および撮像装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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ソニー株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
新規事項の追加
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2012/02/06
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不服
2010
-8132
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固体電解コンデンサ及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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木内 光春
その他
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ハリマ化成株式会社
日本ケミコン株式会社
株式会社アルバック
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原文
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保存
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該当なし
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2012/01/25
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不服
2011
-2709
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銅相互接続の電気移動耐性が改善されるように調整されたバリヤー層
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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箱田 篤
その他
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アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2012/01/23
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不服
2009
-23447
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電気二重層キャパシタの製造方法および製造装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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飯田 雅昭
その他
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UDトラックス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/01/23
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不服
2009
-15817
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エネルギ貯蔵装置用電解質
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本件審判の請求は,成り立たない。
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堀井 豊
その他
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キャップ-エックス・エックス・リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/12/19
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不服
2008
-30965
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圧電素子
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本件審判の請求は,成り立たない。
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布施 行夫
その他
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セイコーエプソン株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/11/21
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不服
2009
-11814
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半導体素子の金属配線層形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/11/16
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不服
2009
-9970
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スピンバルブ型磁気抵抗効果センサ素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/31
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不服
2009
-24924
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配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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小野 由己男
その他
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サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/26
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不服
2008
-26110
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データ解析方法、データ解析プログラムおよびデータ解析装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/20
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不服
2009
-20114
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単結晶シリコンウエハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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新免 勝利
その他
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エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/03
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不服
2008
-30501
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積層基板及び半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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金本 哲男
その他
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三星モバイルディスプレイ株式會社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服
2010
-13037
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低電力マルチチップ半導体メモリ装置及びそれのチップイネーブル方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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渡邊 隆
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服
2008
-30366
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ソレノイド駆動装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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サンケン電気株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/28
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不服
2009
-20688
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半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/13
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不服
2008
-20913
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パワーICデバイス及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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特許業務法人原謙三国際特許事務所
その他
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矢崎総業株式会社
国立大学法人東北大学
シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/22
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不服
2008
-27953
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共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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大貫 進介
その他
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オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/08/19
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不服
2008
-27546
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不揮発性半導体記憶装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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青木 俊明
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/19
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不服
2008
-25526
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非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入
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本件審判の請求は,成り立たない。
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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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新規事項の追加
パリ条約
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2011/08/05
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不服
2008
-6658
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圧電抵抗作用を使用する歪みゲージセンサおよびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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萩野 平
その他
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コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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2011/08/04
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不服
2008
-24308
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ライン・レベル・エア・ギャップ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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市位 嘉宏
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/11
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不服
2008
-22370
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SOI半導体集積回路及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/06
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不服
2008
-26280
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半導体集積回路デバイスの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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吉澤 弘司
その他
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アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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