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好宮 幹夫
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/12/19
不服
2012 -8076
太陽電池モジュール
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2012/11/16
不服
2012 -2005
単結晶シリコン太陽電池の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/11/15
不服
2012 -14907
気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/17
不服
2011 -19935
光学デバイスの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/10/04
不服
2011 -21163
SOIウエーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2012/09/26
不服
2011 -13799
高強度焼付硬化型冷間圧延鋼板、溶融めっき鋼板及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ポスコ
原文
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該当なし
2012/08/16
不服
2011 -24721
単結晶シリコン太陽電池の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/07/25
不服
2011 -13708
熱処理ボートの評価方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2012/07/20
不服
2012 -896
ウエーハの表面のナノトポグラフィを改善する方法及びワイヤソー装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/07/18
不服
2011 -18073
弾性表面波素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/06/25
不服
2011 -13044
半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法
本件審判の請求は、成り立たない。
台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2012/06/25
不服
2011 -18159
単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
好宮 幹夫
AGDマテリアル株式会社 信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2012/06/07
不服
2012 -2655
空調方法および二酸化炭素の利用方法ならびに空調システム
本件審判の請求は、成り立たない。
美浜株式会社
原文
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該当なし
2012/06/06
不服
2010 -19824
弾性表面波素子及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2012/05/09
不服
2010 -27872
熱処理用縦型ボート及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/05/02
不服
2009 -17191
単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/04/10
不服
2009 -13563
単結晶の製造方法及び単結晶
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/03/29
不服
2009 -23092
シリコン単結晶の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/03/28
不服
2011 -18656
研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びにワークの研磨方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/03/13
不服
2010 -24354
粉末予熱装置が具備された低温スプレー装置
本件審判の請求は、成り立たない。
リサーチ インスティチュート オブ インダストリアル サイエンス アンド テクノロジー
原文
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該当なし
2012/01/23
不服
2008 -13501
シリコン単結晶の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2012/01/05
不服
2009 -3561
ダイヤモンド膜の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2011/11/07
不服
2009 -7535
単結晶の製造方法及び単結晶
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2011/10/03
不服
2009 -578
シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/28
不服
2009 -6343
SOIウエーハ及びその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/28
不服
2011 -7785
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/28
不服
2008 -31180
単結晶の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2011/09/27
不服
2010 -6664
耐紫外線のリフレクタ
本件審判の請求は、成り立たない。
奇菱科技股▲分▼有限公司
原文
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該当なし
2011/09/26
不服
2009 -6341
SOIウェーハ及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/05
不服
2010 -10815
単結晶シリコン太陽電池の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
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