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現在の検索キーワード: 好宮 幹夫

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2012/12/19 不服
2012 -8076 
太陽電池モジュール 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/16 不服
2012 -2005 
単結晶シリコン太陽電池の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/11/15 不服
2012 -14907 
気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/17 不服
2011 -19935 
光学デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/04 不服
2011 -21163 
SOIウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/26 不服
2011 -13799 
高強度焼付硬化型冷間圧延鋼板、溶融めっき鋼板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ポスコ   原文 保存
該当なし  
2012/08/16 不服
2011 -24721 
単結晶シリコン太陽電池の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/25 不服
2011 -13708 
熱処理ボートの評価方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/20 不服
2012 -896 
ウエーハの表面のナノトポグラフィを改善する方法及びワイヤソー装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/07/18 不服
2011 -18073 
弾性表面波素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/25 不服
2011 -13044 
半導体製造におけるフォトリソグラフィのシステム及びその方法 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2012/06/25 不服
2011 -18159 
単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 好宮 幹夫   AGDマテリアル株式会社 信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/07 不服
2012 -2655 
空調方法および二酸化炭素の利用方法ならびに空調システム 本件審判の請求は、成り立たない。   美浜株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/06/06 不服
2010 -19824 
弾性表面波素子及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/09 不服
2010 -27872 
熱処理用縦型ボート及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/05/02 不服
2009 -17191 
単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/04/10 不服
2009 -13563 
単結晶の製造方法及び単結晶 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/29 不服
2009 -23092 
シリコン単結晶の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/28 不服
2011 -18656 
研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びにワークの研磨方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/13 不服
2010 -24354 
粉末予熱装置が具備された低温スプレー装置 本件審判の請求は、成り立たない。   リサーチ インスティチュート オブ インダストリアル サイエンス アンド テクノロジー   原文 保存
該当なし  
2012/01/23 不服
2008 -13501 
シリコン単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/05 不服
2009 -3561 
ダイヤモンド膜の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/11/07 不服
2009 -7535 
単結晶の製造方法及び単結晶 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/03 不服
2009 -578 
シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2009 -6343 
SOIウエーハ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2011 -7785 
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2008 -31180 
単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/27 不服
2010 -6664 
耐紫外線のリフレクタ 本件審判の請求は、成り立たない。   奇菱科技股▲分▼有限公司   原文 保存
該当なし  
2011/09/26 不服
2009 -6341 
SOIウェーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/05 不服
2010 -10815 
単結晶シリコン太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし  

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