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現在の検索キーワード： 好宮 幹夫

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/09/05 不服
2010 -10815  		単結晶シリコン太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/05 不服
2010 -10997  		単結晶シリコン太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/09/05 不服
2010 -10989  		単結晶シリコン太陽電池の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/08/18 不服
2008 -23167  		ダイヤモンド膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/07/25 不服
2008 -18668  		デバイス形成用貼り合わせウェーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/06/16 不服
2009 -25075  		CDを動態制御する整合式光学計測およびリソグラフィ工程のシステム 本件審判の請求は、成り立たない。   台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2011/06/09 不服
2009 -3559  		ダイヤモンド膜の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/06/06 不服
2008 -7913  		単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/05/09 不服
2008 -31  		単結晶引き上げ用ワイヤーロープ、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/04/21 不服
2008 -11243  		高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/04/05 不服
2009 -5637  		SOIウエーハ及びSOIウエーハの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2011/02/17 不服
2008 -10171  		アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権 　
2011/02/15 不服
2008 -1203  		単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/02/08 不服
2008 -28801  		アニールウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2011/01/20 不服
2007 -29468  		シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2011/01/04 不服
2008 -16795  		貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  国内優先権 　
2010/12/24 不服
2008 -30583  		ゲッタリング能力の評価方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/12 不服
2008 -27002  		エピタキシャルウエーハ用シリコン単結晶の検査方法及びエピタキシャルウエーハ用シリコンウエーハの製造方法、並びにエピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/04 不服
2008 -10189  		窒素ドープアニールウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/20 不服
2008 -30  		シリコン基板の熱処理条件を設定する方法、およびシリコン基板を熱処理する方法、並びにシリコン基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/12 不服
2008 -10179  		アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/04 不服
2008 -3998  		貼り合せ基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/27 不服
2008 -10176  		エピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/27 不服
2007 -32751  		単結晶の引き上げ条件の設計方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/02 不服
2007 -23634  		シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/08/17 不服
2008 -10198  		タンタル酸リチウム結晶からなるウエハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/07/27 不服
2007 -21230  		単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶の製造方法並びに単結晶 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/07/01 不服
2008 -29410  		基板収納ケース 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越化学工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/06/15 不服
2008 -543  		SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/05/31 不服
2007 -11124  		貼り合わせ基板の作製方法 本件審判の請求は,成り立たない。 好宮 幹夫   信越半導体株式会社 長野電子工業株式会社   原文 保存
該当なし 　

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