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好宮 幹夫
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2008/11/26
不服
2005 -21571
シリコン単結晶の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2008/11/13
不服
2006 -7940
結晶引き上げ装置および結晶引き上げ方法
原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2008/01/31
不服
2006 -14184
ワーク保持盤の製造方法及びワーク保持盤並びにそれを用いたワークの研磨方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
進歩性(29条2項)
2008/01/28
不服
2004 -10916
単結晶の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/12/27
不服
2005 -3106
同点測定方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/12/03
不服
2006 -6253
シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにSOIウエーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫
長野電子工業株式会社 信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/11/27
不服
2003 -11135
結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/11/12
不服
2005 -16123
誘導結合プラズマ質量分析装置用プラズマコーン及び誘導結合プラズマ質量分析装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/10/15
不服
2005 -5348
単結晶引上装置
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/08/22
不服
2003 -23813
ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/08/20
不服
2003 -11082
光ファイバ母材の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2007/05/08
不服
2005 -7529
両面同時研削方法および両面同時研削盤並びに両面同時ラップ方法および両面同時ラップ盤
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/04/25
不服
2006 -2179
半導体ウエーハの加工方法及びプラズマエッチング装置
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/04/11
不服
2005 -22994
ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
好宮 幹夫 その他
信越半導体株式会社 直江津電子工業株式会社 長野電子工業株式会社 三益半導体工業株式会社
原文
保存
該当なし
2007/04/09
不服
2003 -11133
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/03/30
不服
2005 -18107
シリコンウエーハの評価方法および窒素ドープアニールウエーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/03/13
不服
2006 -6252
複層セラミックスヒータ
本件審判の請求は、成り立たない。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2007/03/05
不服
2003 -11132
シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/02/19
不服
2005 -5902
ワークの研磨方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/02/19
不服
2003 -11727
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2007/02/13
不服
2005 -9767
研磨用ワーク保持盤およびその製造方法ならびにワークの研磨方法および研磨装置
本件審判の請求は、成り立たない。
好宮 幹夫 その他
三益半導体工業株式会社 直江津電子工業株式会社 長野電子工業株式会社 信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/02/07
不服
2003 -11134
シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2007/01/11
不服
2003 -3018
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造されたシリコン単結晶およびシリコンウエーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/12/27
不服
2005 -6994
静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越化学工業株式会社
原文
保存
該当なし
2006/12/25
不服
2005 -4948
半導体シリコン単結晶インゴットの工程管理方法および工程管理システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/12/20
不服
2005 -4551
ワークの研磨方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
技術的範囲
2006/11/30
不服
2005 -4554
ワイヤーソー用砥粒の製造方法およびワイヤーソー用砥粒
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
好宮 幹夫
三益半導体工業株式会社 信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/11/22
不服
2003 -3016
単結晶の製造装置および製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/10/02
不服
2003 -16979
シリコン単結晶の製造装置
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2006/09/26
不服
2004 -15127
パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
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