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現在の検索キーワード：好宮幹夫

270 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2006/09/25	不服 2005 -12696	引上げ室	本件審判の請求は、成り立たない。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/09/06	不服 2005 -18759	複層セラミックスヒータおよびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2006/06/14	不服 2004 -3236	プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極	本件審判の請求は、成り立たない。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2006/05/01	不服 2003 -13503	シリコン基板の熱処理方法およびその基板を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/04/19	不服 2004 -9316	プラズマ処理装置用シリコンリング	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2006/04/17	不服 2004 -21640	ワイヤーソー及び円柱形ワークを切断する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	好宮幹夫	三益半導体工業株式会社信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/04/17	不服 2004 -11673	ワイヤーソーによるワークの切断方法およびワイヤーソー	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/03/20	不服 2004 -12255	両面研磨機用キャリアおよびこれを用いて被加工物の両面を研磨する方法	本件審判の請求は、成り立たない。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/03/01	不服 2004 -16726	薄板の加工方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/02/13	不服 2005 -2199	シリコンウエーハおよびその製造方法ならびにシリコンウエーハの評価方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2006/01/19	不服 2002 -15886	シリコン単結晶ウエーハの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/12/14	不服 2003 -3020	静電吸着装置	原査定を取り消す。本願の請求項1～7に係る発明は、特許すべき……		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/10/28	不服 2003 -3019	結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/10/20	不服 2003 -21535	シリコン電極板	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/10/19	不服 2003 -13502	シリコンウエーハの熱処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/09/28	異議 2003 -72935	エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法	訂正を認める。特許第3412531号の請求項1及び2に係る特許を維持……	好宮幹夫		原文	保存
国内優先権新規事項の追加 29条の2(拡大された先願の地位)
2005/08/05	不服 2004 -3618	リソグラフィー用ペリクル	本件審判の請求は、成り立たない。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/07/20	異議 2003 -73677	アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法	訂正を認める。特許第3433678号の訂正後の請求項1ないし9に係る……	好宮幹夫		原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位) 明確性新規事項の追加
2005/07/15	不服 2002 -21923	シリコン基板の熱処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/07/12	不服 2004 -3617	リソグラフィー用ペリクルの製造方法およびリソグラフィー用ペリクル	本件審判の請求は、成り立たない。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2005/04/07	不服 2002 -17954	シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ	本件審判の請求は、成り立たない。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2005/02/17	異議 2003 -73516	ウェーハエッチングの前処理方法	訂正を認める。特許第3449492号の請求項1に係る特許を維持する。	好宮幹夫その他		原文	保存
新規事項の追加
2005/02/03	異議 2003 -73659	半導体ウェ-ハの製造方法	訂正を認める。特許第3430499号の請求項1ないし2に係る特許を取……	安倍逸郎その他		原文	保存
新規事項の追加
2005/01/05	異議 2003 -73178	貼り合わせ半導体基板及びその製造方法	訂正を認める。特許第3422225号の請求項1、2に係る特許を維持す……	好宮幹夫その他		原文	保存
新規事項の追加 29条の2(拡大された先願の地位)
2004/12/01	不服 2002 -9066	単結晶製造装置および製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/11/25	異議 2003 -71457	シリコンウエーハ及び結晶育成方法	訂正を認める。特許第3353681号の請求項1ないし4に係る特許を維……	志賀正武その他		原文	保存
進歩性(29条2項) 新規性
2004/11/24	不服 2002 -16370	両面研磨装置におけるワークの自動搬送装置	本件審判の請求は、成り立たない。	好宮幹夫その他	三益半導体工業株式会社直江津電子工業株式会社長野電子工業株式会社信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/11/12	不服 2002 -17956	シリコンウエーハの熱処理方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/10/27	不服 2002 -3409	エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2004/10/18	不服 2002 -3408	パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越半導体株式会社	原文	保存
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