審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2021/10/12
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不服 2020
-11975
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アクセス保護スキームを確保するための装置及び方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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天田 昌行
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2021/06/18
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不服 2020
-3706
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複数のパーティションを有するメモリデバイスにおけるメモリアクセス技法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2021/03/24
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不服 2020
-6329
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強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2021/02/26
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不服 2020
-7617
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メモリの異なるメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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天田 昌行
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2021/02/19
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不服 2019
-17505
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メモリ・パッケージの下にコントローラを備えたメモリ・デバイス、ならびに関連するシステムおよび方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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天田 昌行
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/11/25
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不服 2020
-3454
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強誘電体メモリの中のマルチレベルストレージ
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原査定を取り消す。 本願の発明は, 特許すべきものとする。
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野村 泰久
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/11/18
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不服 2019
-14132
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階段ステップ構造を含む半導体デバイス構造を形成する方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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天田 昌行
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/10/14
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不服 2019
-15748
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セルベースのリファレンス電圧の生成
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本件審判の請求は、成り立たない。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/09/30
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不服 2019
-5859
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クロスポイントメモリと、その製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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青木 宏義
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/08/19
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不服 2019
-7473
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メモリアクセス動作中に、メモリの複数のメモリプレーンに同時にアクセスするための装置および方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/08/13
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不服 2019
-7218
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適応率圧縮ハッシュ処理デバイス
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
その他
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2020/02/27
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不服 2019
-2747
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自己集合核酸を用いてナノ構造を形成する方法、及び自己集合核酸のナノ構造
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2019/07/30
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不服 2018
-3661
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バッテリシステムの充電状態(SOC)の決定方法、バッテリシステムのSOC決定装置及びそのコンピュータプログラム製品
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本件審判の請求は、成り立たない。
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リチウム ワークス テクノロジー ビーブイ
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原文
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保存
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該当なし
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2019/07/29
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不服 2018
-11732
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切り替えコンポーネントおよびメモリユニット
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2019/06/24
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不服 2017
-14125
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RRAMおよびRRAMに対して情報を格納し検索する方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー,インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2019/05/21
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無効 2018
-800052
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製函・箱詰め装置
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特許第3586796号の請求項2に係る発明についての特許を無効とする……
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松井 佳章
その他
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株式会社 川島製作所
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原文
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保存
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該当なし
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2018/10/22
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不服 2018
-1674
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自律的メモリの方法及びシステム
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/10/09
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不服 2017
-8821
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温度管理強化型半導体ダイアセンブリ、それを含む半導体デバイスおよび関連方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/09/25
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不服 2017
-11470
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メモリセル、動作方法および製造方法、半導体デバイス構造およびメモリシステム
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/05/07
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不服 2017
-8868
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シリコンオンインシュレータ基板上に導波路の光分離を提供する方法および構造
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/03/19
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不服 2017
-5406
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メモリセルのセンシング
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2018/02/19
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不服 2017
-1905
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メモリセルの分散されたサブブロックにアクセスすることを伴う装置および方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/11/20
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不服 2016
-16589
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メモリ・システムにおけるチャネル深さ調整
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/11/14
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不服 2016
-14130
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発光装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/11/14
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不服 2017
-78
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状態情報を提供するためのプログラム可能装置、階層型並列マシン、方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/11/08
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不服 2017
-6253
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選択的な自己参照読出し
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本件審判の請求は、成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/07/26
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不服 2016
-12391
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誤り訂正符号の編成を含む装置および方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/07/18
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不服 2016
-14929
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3Dメモリにおけるサブブロックの無効化
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/02/24
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不服 2015
-21657
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メモリセルプログラミング装置およびメモリセルプログラミング方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野村 泰久
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2017/01/27
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不服 2015
-8025
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メモリ用連続的ページ読み出し
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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