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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1017765 |
| 審判番号 | 審判1999-7237 |
| 総通号数 | 13 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 1996-03-08 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 1999-04-27 |
| 確定日 | 2000-08-07 |
| 事件の表示 | 平成 6年特許願第201914号「低水素量非晶質シリコン半導体薄膜の形成方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成 8年 3月 8日出願公開、特開平 8- 64543、請求項の数(2)〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願は、平成 6年 8月26日の出願であって、その発明の要旨は、平成12年5月12日付け手続き補正書によって補正された明細書と図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2000-06-29 |
| 出願番号 | 特願平6-201914 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WY
(H01L)
|
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 松本 邦夫、加藤 浩一、長谷山 健 |
| 特許庁審判長 |
内野 春喜 |
| 特許庁審判官 |
左村 義弘 石川 正幸 |
| 発明の名称 | 低水素量非晶質シリコン半導体薄膜の形成方法 |
| 代理人 | 鳥居 洋 |