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審決分類 審判 一部申し立て 1項3号刊行物記載  H01L
管理番号 1096215
異議申立番号 異議2002-71725  
総通号数 54 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許決定公報 
発行日 1994-12-02 
種別 異議の決定 
異議申立日 2002-07-15 
確定日 2004-02-25 
異議申立件数
訂正明細書 有 
事件の表示 特許第3247491号「プラズマ処理装置」の請求項1に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。 
結論 訂正を認める。 特許第3247491号の請求項1に係る特許を維持する。 
理由 1.手続の経緯
特許第3247491号の手続の経緯は、以下のとおりである。
出願 平成5年5月19日
設定登録 平成13年11月2日
特許異議の申立て(請求項1に対して)平成14年7月15日
(生原悟)
取消理由通知(起案日) 平成14年10月4日
意見書、訂正請求書 平成14年12月12日


2.訂正の適否についての判断
(1)訂正の内容
特許権者が求めている、平成14年12月12日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項a.特許請求の範囲の請求項1を次のとおり訂正する。
「【請求項1】 真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」

訂正事項b.明細書中の【0007】段落を次の通り訂正する。
「【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するために、真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したものである。」

(2)訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア.訂正事項aについて
上記訂正事項aは、特許明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された発明において、「前記接地電極と前記電極との間に絶縁体と絶縁気体層とを介在」を「絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在」と訂正したものであり、「絶縁体」と「絶縁気体層」との配置状態をより具体化して限定しようとするものであり、この構成は、明細書【0015】段落、【0016】段落、図1及び図2に記載されていたものである。
したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
イ.訂正事項bについて
上記訂正事項bは、訂正された特許請求の範囲の請求項1の記載との整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。

そして、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

(3)むすび
以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律(平成6年法律第116号)附則第6条第1項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成11年改正前の特許法第120条の4第3項において準用する平成6年法律第116号による改正前の特許法第126条第1項ただし書、第2項及び第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。


2.特許異議の申立てについての判断
(1)本件発明
上記のとおり、訂正は認められるから、本件請求項1に係る発明は、訂正された特許明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された次のとおりのものである。
「【請求項1】 真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。」

(2)異議申立の理由及び取消理由通知の理由の概要
特許異議申立人生原悟は、証拠として甲第1号証(特開昭61-295376号公報)を提出し、本件請求項1に係る発明の特許は、甲第1号証に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号の規定する発明に該当し、本件請求項1に係る発明の特許を取り消すべきであると主張している。
また、取消理由通知の理由の概要も、上記異議申立の理由の概要と同様である。

(3)取消理由通知で引用された刊行物に記載の発明
当審で通知した取消理由で引用した刊行物1(特開昭61-295376号公報(特許異議申立人生原悟の提出した甲第1号証))には、「堆積膜の形成装置」(発明の名称)に関して、
「第5図は、従来の円筒状基体への堆積膜の形成装置の1例を示す断面略図である。
図中、51はシールドボツクスであつて、絶縁物51Aおよび51Bを介して、その内側に有底の円筒構造を有する保持電極52が設けられている。シールドボツクス51はアースされ、保持電極52はこのシールドボツクス51と絶縁されている。しかもこのシールドボツクス51によつて、後述するように保持電極52に供給された高周波が外に漏れることを防止する。」(第2頁左上欄第19行〜同頁右上欄第8行)こと、
「保持電極52(シールドボツクス1)は密閉構造を形成する。」(第2頁左下欄第4〜6行)こと、
「保持電極52の上端部内周壁および下端部内周壁にはテーパ面52Aおよび52Bが各々形成されている。このテーパ面52Aおよび52Bにはガスを排気するための排気口52Cおよび52Dが貫通して設けられている。」(第2頁左下欄第14〜18行)こと、
「円筒状基体74はその本体74Aの外側に電子写真用感光体ドラムを形成するための円筒状支持体75を取り外し可能に嵌合固定してある。」(第3頁右上欄第3〜5行)こと、
「カセツト70は、保持電極52と電気的に接触してカソード電極を構成し、一方、カセツト70内に絶縁支持された円筒状基体74はロツド53を介してアースされる。」(第3頁左下欄第15〜18行)こと、
「保持電極52およびカセツト70に高周波電力を供給することによつて放電を生起し、反応ガスを分解することによつて、円筒状支持体75の外周面上に、例えばアモルフアス・シリコンの膜を堆積する。」(第3頁右下欄第5〜9行)こと、
「円筒状基体75はアノード電極とされる」(第4頁右上欄第18行)ことが、図5、図6と共に記載されている。

(4)対比・判断
本件請求項1に係る発明と上記刊行物1に記載の発明とを対比すると、特許異議申立人は、上記刊行物1の「保持電極52」、「シールドボツクス51」、「絶縁物51Aおよび51B」、「カセツト70および円筒状基体」が、それぞれ本件請求項1に係る発明の「真空引き可能になされた処理容器」、「接地電極」、「絶縁体」、「2つの電極」に相当すると主張しているが、この主張が正しいとしても、上記刊行物1には、本件請求項1に係る発明の「絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したこと」は、記載されていない。
したがって、本件請求項1に係る発明は、上記刊行物1に記載された発明であるとはいえない。


3.むすび
以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項1に係る発明の特許を取り消すことができない。
そして、他に本件請求項1に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
したがって、本件請求項1に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
よって、特許法等の一部を改正する法律(平成6年法律第116号)附則第14条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令(平成7年政令第205号)第4条第2項の規定により、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 (54)【発明の名称】
プラズマ処理装置
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】 真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項2】 前記2つの電極の内の下部電極である接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】 真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極の双方に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極のそれぞれの近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、前記接地電極と前記各電極との間にそれぞれ絶縁体を介在させ、前記2つの電極の内の下部電極である接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項4】 前記2つの電極の内の少なくともいずれか一方の電極の絶縁体と前記接地電極との間に、絶縁気体層を形成したことを特徴とする請求項3記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】 前記2つの電極の内の上部電極の下端部と、前記上部電極に対応する接地電極の下端部とは略同一平面になされていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】 前記上部電極に対応する接地電極の下面には、プラズマに対する保護層が形成されていることを特徴とする請求項2または5記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】 真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の内の下部電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、前記接地電極と前記下部電極との間に絶縁体を介在させ、前記下部電極の接地電極と、前記処理容器の底部との間には接地を強化するための金属ベースが介在されるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体製品の製造工程においては、半導体ウエハにCVD処理、エッチング処理、スパッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場合がある。
この種の従来のプラズマ処理装置の一例としては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に2つの平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極に高周波電源としてRFパワーを印加し、他方、下部電極にウエハを支持させてこれを接地するようになっている。そして、両電極間にエッチングガスを導入してプラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、プラズマ処理を行う場合には、上下の電極間に電気的放電を発生させてプラズマを立てるのであるが、一部の放電が上部電極と接地されている処理容器の内壁との間においても発生してしまうことが避けられなかった。
一般的に、高周波電源によるプラズマの発生するような放電現象の開始条件としては、高周波電源のインピーダンスと、放電が行われる系のインピーダンスとがマッチングする必要があるが、上述のように上部電極と容器内壁との間に放電現象が発生するとこの部分のインピーダンスが変動し、放電系全体のインピーダンスが安定しないことからプラズマ放電を安定させるために時間を要してしまい、従って、ウエハのプラズマ処理を効率的に行うことができない場合があった。
【0004】
また、処理容器の内壁は、これを構成するアルミニウムがハロゲンガスにより腐食されるのを防止して耐食性を向上させるためにアルマイト(Al2O3)処理が施されてはいるが、上述したような放電現像によりターゲットとなる容器内壁のアルマイトが次第に薄くなり、そのために処理容器全体を早めに交換しなければならないという改善点を有していた。
【0005】
そこで、上記問題点を解決するために本発明者は先の出願(特願平4-157469号)において、電極の外周側にこれと逆極性となる補助電極を配置した構造のプラズマ処理装置を提案した。これにより、従来にあっては不要な放電現象が電極と容器内壁との間に生じてインピーダンスが早期には安定しなかったが、この不要な放電現象をより近い所に位置する補助電極との間で生ぜしめるようにしたので、早期にインピーダンスを安定化させることがある程度可能となった。
【0006】
しかしながら、この場合にはウエハを支持するサセプタは一応接地(グランド)されてはいるが、その接地ラインにおいてある程度のインピーダンスを有しているために十分な接地とは言えず、従って、不要な放電が未だ例えば容器側壁との間で発生するという問題点があった。
この傾向は、特に、高周波電力を上部電極及び下部電極の相方に印加する場合には顕著となり、大きな問題となっている。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、接地を強化してインピーダンスの安定を早期に図ることができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するために、真空引き可能になされた処理容器内に相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、接地強化用の接地電極を形成し、絶縁体と絶縁気体層のそれぞれを前記接地電極と前記電極との間の略全面に渡って介在させるように構成したものである。
【0008】
【作用】
本発明は、以上のように構成したので、少なくともいずれか一方の電極の近傍には、接地強化用の接地電極が設けられているので、接地ラインの全体としてのインピーダンスが低下してグランドが強化される。従って、不要な電荷をこの接地電極に逃がすことによりプラズマ放電が局部的に集中したり、或いは容器側壁に飛んだりすることを抑制することが可能となる。
【0009】
【実施例】
以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図である。本発明においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明する。
図示するようにこのプラズマエッチング装置は、例えばアルミニウム等の導体により筒体状に成形された処理容器2を有しており、この処理容器2は接地されている。この処理容器2内には、上下方向に例えば20〜30mm程度離間された一対の電極、すなわち上部電極4と下部電極6とが平行に配置されており、これら電極間がプラズマ処理空間Sとして構成される。
【0010】
この上部電極4は、例えばアモルファスカーボン或いはアルミニウム等により円柱状に成形されており、その側部には係合凹部8が形成されている。そして、この上部電極4の側部全体は、例えばセラミック或いは石英等よりなる電気的絶縁体10により被われており、上部電極全体が処理容器2側に支持されている。
この上部電極4は、例えば可変コンデンサ等を含むマッチングユニット12を介して例えば40MHzの高周波を発生する第1の高周波電源14が接続されており、上部電極4に対して高周波電力を印加するように構成されている。
【0011】
また、上部電極4の中央部には、エッチングガス源16からエッチングガスを導入するためのガス導入路18が形成されると共にその先端は水平方向へ拡大されたガス供給ヘッド20へ連通されている。そして、上部電極4の下端部には、上記ガス供給ヘッド20と処理空間Sを連通させる多数、例えば600〜700個のガス噴出孔22が形成されており、処理空間Sへエッチングガスを供給し得るように構成されている。この上部電極4内には、その周方向に沿って冷媒を流すための上部冷却ジャケット24が形成されており、処理時に加熱される上部電極を冷却するようになっている。
【0012】
また、この上部電極4の側部には、絶縁体10を介して例えばアルミニウム等よりなるリング状の接地強化用の第1の接地電極26が処理容器8の側壁との間で設けられており、この接地電極26は確実に接地されている。従来装置においては、この部分は、石英やテフロン樹脂等の絶縁部材により構成されていたが、本実施例においては上述のように接地電極26を形成するようにしたので、不要な放電は処理容器2の壁面ではなく、これよりも近い接地電極26に向けて発生するようになる。
【0013】
この第1の接地電極26の下面であって処理空間Sに臨む面は、例えばアルマイト処理が施されており、プラズマ放電によりこの接地電極26がダメージを受けることを防止するために、耐食性、絶縁性の良好な例えばAl2O3よりなる保護層28が形成されている。そして、この接地電極26の下端部は、その内側に位置する上部電極4の下端部と略同一平面となるように設定されており、不要な付着物が発生することを防止している。
また、この第1の接地電極26は、処理容器2の天井部2Aを取り外すことにより、上方向へ挿脱可能になされており、必要時にはこの接地電極26を容易に交換し得るように構成されている。
【0014】
一方、サセプタとしての下部電極6は、上記上部電極4と同様な例えばアモルファスカーボン等により略円柱状に成形されており、その上端平面部に被処理体である、例えば半導体ウエハWを載置し得るようになされている。そして、この下部電極6の上部周辺部にはリング状のクランパ部材30が設けられており、ウエハWの周縁部と係合してこれを下部電極6へ固定し得るように構成されている。
【0015】
この下部電極6には、処理容器の下部より貫通された、例えば絶縁性の管32が連結されており、この中に下部電極6に接続した配線34を挿通させると共にこの配線34にマッチングユニット36及び例えば13.56MHzの第2の高周波電源38が接続される。従って、本実施例にあっては、上部電極4と下部電極6の相互に高周波電力が供給されて、いわゆるトップアンドボトム方式のプラズマ処理装置として構成される。尚、この絶縁性の管32自体を導体で形成し、これに表皮効果により高周波電力を流すようにしてもよい。この場合には、この管32と管32が貫通する各部材との間の絶縁性を確保するように構成する。
そして、下部電極6の下部は、例えば厚さが数10mmのセラミックス等よりなる絶縁体40を介して本発明の特長とする接地強化用の第2の接地電極42が設けられ、この電極42は確実に接地される。この第2の接地電極42は、例えば厚さが数10mmの良導体のアルミニウム等よりなり、下部電極6の略下部全体を、上記絶縁体40を介して被うように容器状に成形される。
【0016】
また、絶縁体40の下面と第2の接地電極42の上面との間には、僅かな間隙S1が形成され、この絶縁体40の周縁部下面と第2の接地電極42の周縁部上端との間にはOリング44が環状に介在されて間隙S1内をシールしている。そして、間隙S1には、その下方より絶縁用気体を導入するための気体導入通路46が連結されており、この間隙S1に例えば1気圧の空気を充填することにより上記下部電極6と第2の接地電極42との間の絶縁性を向上させるための絶縁気体層48が形成される。
【0017】
この下部電極6の下部には金属ベース50が介設されると共にこの下部は、容器に取り付けられた環状のチャンバボトムリング52により支持されている。金属ベース50内には、例えば金属性のシールベローズ54が収容されると共にこの金属ベース50は例えば導電性部材であるアルミニウム部材を、相互に面接触となるように複数個組み合わせて構成されており、全体として接地ラインにおけるインピーダンスを可能な限り小さくして接地を強力なものとしている。
【0018】
また、上記下部電極6内には、その周方向に沿って冷媒を流すための下部冷却ジャケット56が形成されており、このジャケット56には、下方より冷却用の冷媒を導入及び排出するための冷媒導入通路58及び冷媒排出通路(図示せず)が接続されている。
そして、処理容器2の側壁には、容器内の雰囲気を排出するための排気通路60が接続される。
【0019】
また、処理容器2の側壁には、ゲート弁62を介して内部に搬送アーム64を有するロードロック室66が連通されており、上記処理容器2内の真空を破ることなくウエハWの搬入及び搬出を行い得るように構成されている。また、このロードロック室66の反対側壁にもゲート弁68が設けられており、図示しないウエハ搬送系との間でウエハの受け渡しを行うようになっている。
【0020】
次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
まず、ロードロック室66内及び処理容器2内はともに真空状態になされており、ロードロック室66内の搬送アーム64に保持された未処理のウエハWは、ゲート弁62を介して処理容器2内に搬入され、このウエハWは下部電極6上にクランパ部材30により確実に固定される。
【0021】
そして、ガス導入通路18へエッチングガスを送り込むことにより上部電極4に設けたガス噴出孔22より処理容器2内へ所定のエッチングガスを導入させると共に排気通路60を介して処理容器2内を真空引きしてこの容器2内を所定の低圧雰囲気に維持しつつ上部電極4に第1の高周波電源14より例えば40MHzの高周波を、下部電極6に第2の高周波電源38より、例えば13.56MHzの高周波電力をそれぞれ印加する。これにより、上部電極4と下部電極6との間にプラズマ放電が発生し、処理空間S内にエッチングガスからプラズマが誘起され、生成したプラズマ中のラジカルをウエハWの表面に付着させて化学的反応によるエッチングを行うと共にプラズマ中で分解したイオンを両電極4、6間に形成される電界によって加速してウエハWに衝突させ、例えばポリシリコン膜のエッチングを行う。
【0022】
ところで、上部及び下部電極4、6間に放電を生ぜしめてプラズマを立ち上げるときには、各高周波電源14、38の有するインピーダンスと放電系、例えば上部及び下部電極間で形成される容量性のインピーダンス、上部電極4とこの外周側に配置した第1の接地電極26との間に形成される容量性のインピーダンス、下部電極6とこの外周側に配置した第2の接地電極42との間に形成される容量性のインピーダンス或いは更に遠い所に位置する容器壁との間に形成される容量性のインピーダンス等の結合インピーダンスが等しくなければ安定して放電が生じないので、放電開始時においては各高周波電源14、38に直列接続した例えば可変コンデンサよりなるマッチングユニット12、36を適宜調整し、インピーダンスのマッチングが行われる。この場合、本実施例においては、メインの放電70は従来装置と同様に上部及び下部電極4、6間において生ずるが、避けることのできない好ましくない不要な各放電72、74は、上部電極4と容器壁よりも近くに設けられた第1の接地電極26との間及び下部電極6と容器壁よりも近くに設けられた第2の接地電極42との間でそれぞれ生じることになる。
【0023】
このように、上部電極4及び下部電極6の近傍に容器内壁よりも近い所にそれぞれ第1及び第2の接地電極26、42を配置して接地を強化することにより、これらの間に不要な放電72、74を発生させるようにしたので、放電開始時におけるマッチングのリターン効率が良好となり、インピーダンスが変動することなくこれを迅速に安定化させることが可能となる。従って、マッチングユニット12、36によるインピーダンス調整を従来装置の場合と比較して迅速に行うことができ、直ちにエッチング処理に移行することができるので、エッチング処理効率を大幅に向上させることができる。
【0024】
また、第1の接地電極26の下面は、アルマイト処理されて保護層28が形成されているので不要な放電72が生じても、第1の接地電極26がダメージを受けることは少なく、また、この保護層28が放電により薄くなってきた場合には、この第1の接地電極26自体を簡単に交換することができ、従来装置のように処理容器自体を交換しなければならない場合と比較して、そのメンテナンス効率を大幅に向上させることができる。
【0025】
また、下部電極6に関しては、上述のように絶縁体40を介してその下部を第2の接地電極42で被ってグランドを強化しているので、下部電極6の不要な電荷が所定の誘電率を有するセラミック製の絶縁体40を介して或いは不要な放電74として両部材間に直接放電が生じることにより第2の接地電極42から逃げることになる。従って、インピーダンス調整を迅速に行うことができるのみならず、安定したプラズマ放電を維持することが可能となる。この場合、第2の接地電極42の下部を支持する金属ベース50における各パーツの面接触を大きく取っているので、接地ラインにおけるインピーダンスが低下し、各パーツ間の電位差が小さくなり、一層グランドを強化することが可能となる。
【0026】
また、絶縁体40とこの下部を被う第2の接地電極42との間隙Sには、例えば1気圧の気体(空気)を充填した絶縁気体層48を介在させたのでこれらの間の絶縁性を一層良好にすることが可能となる。このように、間隙S1に1気圧の気体を導入したので、もしこの部分に処理ガスがリークしてきても不要なプラズマが立つこともなく、この点よりもプラズマ処理空間Sに安定したプラズマを立てることができる。
【0027】
上記実施例にあっては、上部電極4に40MHzの高周波を、下部電極6に13.56MHzの高周波をそれぞれ印加したが、これらの周波数の組は限定されず、例えば、上部電極の周波数と下部電極の周波数の組をそれぞれ、例えば1MHzと380KHz、13.56MHzと13.56MHz、380KHzと380KHz等のように種々変更することができる。
【0028】
尚、上記実施例にあっては、上部電極4と下部電極6の相方に高周波電源を印加する、いわゆるトップアンドボトム方式の場合について説明したが、これに限定されず、例えば図2に示すように下部電極6のみに高周波電源を印加して上部電極4は接地する、いわゆるボトムオンリー方式や、この逆に上部電極4のみに高周波電源を印加して下部電極6は接地する、いわゆるトップオンリー方式にも適用し得るのは勿論である。
尚、上記実施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、他のプラズマ処理装置、例えばプラズマアッシング装置、プラズマCVD装置、プラズマスパッタ装置等にも適用し得るのは勿論である。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば次のような優れた作用効果を発揮させることができる。
接地電極を設けることにより接地の強化を図ることができ、従って放電開始時におけるインピーダンスの安定化を容易に図ることができるので、プラズマ処理に要する時間を大幅に短くすることができ、プラズマ処理効率を大幅に向上させることができる。
また、接地の強化により接地ラインのインピーダンスを抑制することができ、従って不要な電荷乃至放電を吸収することができるので、安定したプラズマを立てることができる。
また、上部電極の下面とこの接地電極の下端部とを略同一平面とすることにより、この表面部分に不要な付着物が発生することを防止することができる。
更に、下部電極の接地電極の下部と容器底部との間に金属ベースを介在させることにより、一層グランドを強化することができる。
また、上部電極の接地電極の下面に保護層を設けることにより、プラズマによりこの接地電極がダメージを受けることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図である。
【図2】
本発明に係るプラズマ処理装置の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
2 処理容器
4 上部電極
6 下部電極
10 電気的絶縁体
14 第1の高周波電源
26 第1の接地電極
38 第2の高周波電源
40 絶縁体
42 第2の接地電極
48 絶縁気体層
70 メイン放電
72,74 不要な放電
W 半導体ウエハ(被処理体)
 
訂正の要旨 審決(決定)の【理由】欄参照。
異議決定日 2004-02-03 
出願番号 特願平5-140029
審決分類 P 1 652・ 113- YA (H01L)
最終処分 維持  
前審関与審査官 和瀬田 芳正加藤 浩一  
特許庁審判長 松本 邦夫
特許庁審判官 橋本 武
浅野 清
登録日 2001-11-02 
登録番号 特許第3247491号(P3247491)
権利者 東京エレクトロン株式会社
発明の名称 プラズマ処理装置  
代理人 浅井 章弘  
代理人 浅井 章弘  

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