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審決分類 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 特許、登録しない。 H01S
管理番号 1183123
審判番号 不服2006-23161  
総通号数 106 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2008-10-31 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2006-10-12 
確定日 2008-08-14 
事件の表示 特願2005-253412「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成18年10月 5日出願公開、特開2006-270028〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 1.手続の経緯
本願手続の概要は、次のとおりである。
特許出願 平成17年 9月 1日
(優先権主張 平成17年 2月25日)
拒絶理由通知書発送 平成18年 3月14日
意見書・手続補正書提出 平成18年 5月15日
拒絶査定謄本送達 平成18年 9月12日
審判請求 平成18年10月12日
手続補正書提出 平成18年11月10日

2.本願発明
請求人が特許を受けようとする発明(以下、「本願発明」という。)は、平成18年11月10日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし5に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項1は次のとおりであり、請求項2ないし5はその従属項である。
「【請求項1】
少なくとも2つのウエル層を含む多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
前記活性層は基板の上方に形成され、
前記半導体発光素子は、
前記活性層の下層に設けられる第1の導電型の第1クラッド層と、
前記活性層の上層に設けられる第2の導電型の第2クラッド層とを備え、
前記第1のグラッド層は複数のAl_(x)Ga_(1-x)N層(0<x≦1)を含み、前記複数のAl_(x)Ga_(1-x)N層は前記基板に近づくにつれてAl組成比が大きくなるように構成されており、
前記少なくとも2つのウエル層は少なくとも2つのInGaNウエル層を含み、発光時における素子の全導波光のうち、前記少なくとも2つのInGaNウエル層にある光の割合を示す光閉じ込め係数(%)を1.5以上、2.0以下に設定したことを特徴とする、半導体発光素子。」

3.本願明細書
本願明細書の発明の詳細な説明には、発明の実施の形態1ないし3について、それぞれ次の記載があるが、これら以外の実施の形態に関する記載はない。

「【0045】
<実施の形態1>
図7はこの発明の実施の形態1である窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザ(半導体発光素子)の構造を示す断面図である。本実施の形態の半導体レーザは、リッジ構造及びSCH(SeparateConfinementHeterostructure)構造を有する。

【0065】
以上の検証結果を踏まえ、実施の形態1の半導体レーザの光閉じ込め係数Γのシミュレーションを行った。その結果、光閉じ込め係数Γ(InGaNウエル層8a,8cの光閉じ込め係数の和)は2.50%であり、従来の約3.7%よりも小さくなっている。

【0069】
図11を参照して、光出力変化L2に示すように、従来構造の微分効率(動作電流に対する前端面からの光出力の割合)は1.5W/Aであるのに対して、光出力変化L1に示すように、実施の形態1の微分効率は1.95W/Aと大幅に向上している。その結果、光出力150mW時における動作電流値は従来は130mA必要であったものが、実施の形態1では110mAで済ますことに成功している。」

「【0095】
<実施の形態2>
表3は実施の形態2の半導体レーザを構成する各層における材料、膜厚及び屈折率nを示した表である。表3の最左欄に示した層No.は、図7で示した構造の各層に対応する符号番号を意味する。

【0098】
実施の形態2の半導体レーザにおいて光閉じ込め係数Γについて、実施の形態1と同様のシミュレーションを行うと、光閉じ込め係数Γ(3つのInGaNウエル層の光閉じ込め係数の和)は2.58%得られることがわかった。
【0099】
また、レーザの前端面に10%、後端面に95%の反射率を持たせるようにコーディングを施した後、前端面における微分効率を実測した結果、1.95W/Aと従来の1.5W/Aから大きく改善していることがわかった。」

「【0101】
<実施の形態3>
図13はこの発明の実施の形態3である窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの構造を示す断面図である。同図に示すように、3層のn型AlGaNクラッド層3?5が1層のn型AlGaNクラッド層20に、p型AlGaNクラッド層12がp型AlGaNクラッド層21に置き換わった点を除いて、図7で示した実施の形態1の層構造と同様である。

【0105】
実施の形態3の半導体レーザにおいて光閉じ込め係数Γについて、実施の形態1と同様のシミュレーションを行うと、光閉じ込め係数Γ(2つのInGaNウエル層8a,8cの光閉じ込め係数の和)は2.62%得られることがわかった。
【0106】
また、レーザの前端面に10%、後端面に95%の反射率を持たせるようにコーディングを施した後、前端面における微分効率を実測した結果、1.95W/Aと従来の1.5W/Aから大きく改善していることがわかった。」

4.本願についての判断
上記のとおり、本願発明は、光閉じ込め係数(%)を1.5以上、2.0以下に設定したものであるところ、本願明細書において、実施の形態として記載される半導体発光素子の光閉じ込め係数は、それぞれ2.50%、2.58%及び2.62%であって、いずれも本願発明が規定する範囲内のものではなく、本願発明が本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているとはいえない。

5.むすび
したがって、本願は、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2008-06-11 
結審通知日 2008-06-17 
審決日 2008-06-30 
出願番号 特願2005-253412(P2005-253412)
審決分類 P 1 8・ 537- Z (H01S)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 近藤 幸浩土屋 知久  
特許庁審判長 稲積 義登
特許庁審判官 服部 秀男
里村 利光
発明の名称 半導体発光素子  
代理人 吉竹 英俊  
代理人 有田 貴弘  
代理人 吉田 茂明  

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