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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1231461
審判番号 不服2009-120  
総通号数 135 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2011-03-25 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2009-01-05 
確定日 2011-02-22 
事件の表示 平成 9年特許願第534308号「SiCの電界制御型半導体デバイスおよびその生産方法」拒絶査定不服審判事件〔平成 9年10月 2日国際公開、WO97/36313、平成12年 6月13日国内公表、特表2000-507394、請求項の数(13)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成 9年 3月18日(パリ条約による優先権主張 1996年 3月27日 (SE)スウェーデン王国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2011-02-09 
出願番号 特願平9-534308
審決分類 P 1 8・ 537- WYF (H01L)
P 1 8・ 121- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 河口 雅英安田 雅彦  
特許庁審判長 相田 義明
特許庁審判官 小川 将之
近藤 幸浩
発明の名称 SiCの電界制御型半導体デバイスおよびその生産方法  
代理人 岩本 行夫  
代理人 山本 貴和  
代理人 浅村 肇  
代理人 浅村 皓  

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