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審決分類 審判 訂正 特120条の4、2項訂正請求(平成8年1月1日以降) 訂正しない H01L
審判 訂正 2項進歩性 訂正しない H01L
審判 訂正 4項(134条6項)独立特許用件 訂正しない H01L
管理番号 1242637
審判番号 訂正2010-390067  
総通号数 142 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2011-10-28 
種別 訂正の審決 
審判請求日 2010-07-01 
確定日 2011-02-16 
事件の表示 特許第3352084号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 [1]本件訂正審判の訂正請求の要旨
本件訂正請求の要旨は、本件特許3352084号(特願平7-524537号(出願日:平成7年3月17日)の分割出願である特願2001-237791号のさらなる分割出願(優先権主張:平成6年3月18日、平成6年11月8日、平成7月1月20日、平成7年3月15日、設定登録:平成14年9月20日)の願書に添付した明細書(以下、「本件特許明細書」)を、本件訂正請求書に添付した全文訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものである。

[2]訂正の内容
本件訂正は、本件特許明細書の特許請求の範囲を下記のように訂正しようとするものである。
「【請求項1】絶縁性支持体と、その片面のみに形成される複数の配線とを備えるBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板において、
半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、複数組備え、
上記配線は、厚み12?35μmの銅箔から形成される配線であって、上記銅箔は、上記絶縁性支持体に直接形成されていて、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに1層あり、
上記配線は、上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と、上記半導体素子搭載領域に形成されるはんだボールを接続するための外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、
上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、上記半導体素子搭載領域の上記外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されており、
上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、
上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に、上記外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるための開口部が設けられ、上記開口部はウエットエッチング加工により形成されたものであり、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われており、上記ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなり、
上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって、(化1)の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル%以上含んだポリイミドからなり、上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出していることを特徴とするBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。
(化1)


【請求項2】上記外部接続端子は、上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられることを特徴とする請求項1記載のBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。

【請求項3】請求項1?2のいずれかに記載のBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板と、上記BGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板の上記半導体素子搭載領域にダイボンデイング材を介して搭載される半導体素子と、上記半導体パッケージ領域に設けられる封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。

【請求項4】上記ダイボンデイング材はダイボンデイングテープであることを特徴とする請求項3記載の半導体パッケージ。」

[3]当審の判断
(1)特許法第126条第1項、第3項及び第4項について
・訂正事項1
【請求項1】において、半導体素子搭載用基板を、「BGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板」に限定するものは、特許請求の範囲の限定的減縮に相当し、「その片面のみに形成される」は明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。

・訂正事項2、3
【請求項1】において、配線を、「上記配線は、厚み12?35μmの銅箔から形成される配線であって、上記銅箔は、上記絶縁性支持体に直接形成されていて、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみに1層あり、」と限定し(訂正事項2)、また、「上記配線は、上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と、上記半導体素子搭載領域に形成されるはんだボールを接続するための外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、 」と限定する(訂正事項3)ものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

・訂正事項4
【請求項1】において、外部接続端子を、「上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、上記半導体素子搭載領域の上記外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されており、 」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

・訂正事項5、7
【請求項1】において、ワイヤボンディング端子を、「上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、 」と限定し(訂正事項5)、また、「上記ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなり、」と限定する(訂正事項7)ものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

・訂正事項6、8
【請求項1】において、絶縁性支持体を、「上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に、上記外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるための開口部が設けられ、上記開口部はウエットエッチング加工により形成されたものであり、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われており、 」と限定し(訂正事項6)、また、「上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって、(化1)の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル%以上含んだポリイミドからなり、上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出して 」と限定する(訂正事項8)ものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

・訂正事項9、10
【請求項1】における「特徴とする半導体素子搭載用基板」を、「特徴とするBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板」と限定し(訂正事項9)、【請求項2】における「半導体素子搭載用基板」を「BGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板」 と限定する(訂正事項10)ものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

・訂正事項11
特許請求の範囲の【請求項3】、【請求項4】、【請求項5】、【請求項6】の削除に伴い、【請求項7】、【請求項8】を、【請求項3】、【請求項4】に繰り上げるとともに、新しい【請求項3】に「請求項1?6」とあるのを、「請求項1?2」と訂正し、「半導体素子搭載用基板」とあるのを、「BGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板」 と限定し、「搭載された半導体素子」、「設けられた封止樹脂」を「搭載される半導体素子」、「設けられる封止樹脂」と訂正し、また、新しい【請求項4】に、「請求項7」とあるのを、「請求項3」と訂正するものであるから、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。

そして、上記訂正は本件特許明細書(【0035】、【0037】、【0061】、【0061】、【0066】、【0068】、【0069】、【0072】、【0074】、各実施例)及び図面(図23等)の記載内容に基づくものといえるので、同明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

(2)特許法第126条第5項について
(2-1)本件訂正発明
本件訂正後の請求項1-4に係る発明は、上記[2]に記載されたとおりのものである(以下、それぞれ、「本件訂正発明1」…「本件訂正発明4」という。)。
なお、本件出願は、特願平7-524537号の分割出願である特願2001-237791号をさらに分割して出願されたものであるが、それらの分割出願は適法になされたものであるから、本件出願の出願日は平成7年3月17日に遡及する。また、本件出願では、複数の出願を基礎として国内優先権が主張されているが、それら優先権の基礎となる出願明細書の記載から見て、平成7年3月15日(以下、「優先権基準日」という。)が本件出願に係る発明についての優先権の基準となる。

(2-2)引用刊行物の記載事項
これに対して、本件優先権基準日前に頒布された下記引用刊行物1には、以下の事項が記載されている。
・刊行物1:特開昭61-177759号公報
(a)「特許請求の範囲
1.パッケージより、アウターリードを垂直に出した半導体装置であって、前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にもアウターリードを有して成ることを特徴とする半導体装置。」(特許請求の範囲)

(b)「[発明の概要]
…本発明では、チップの下部にもアウターリードを垂直に出した構成、換言すれば、アウターリードを全面に設け、その上部にチップを搭載する構成としたもので、チップは大なるサイズのものが搭載でき、ピン数も増加でき、配線引きまわしも容易となり、かつ、パッケージサイズも小型化可能となる。」(第2頁左上欄第19行-右上欄第9行)

(c)「[実施例]
…第1図に示すように、ベース(基板)1の上に接着材料2により半導体素子(チップ)3を固着する。
ベース1は例えばガラスエポキシ基板により構成される。」(第2頁右上欄第10-16行)

(d)「基板1には第1図および第2図に示すようにその垂直方向に多数のアウターリード4が立設されている。
…アウターリード4は半導体素子3の下部にも立設されている。パッケージ本体5の基板1の裏面から基(「碁」の誤記と認められる)盤目状に一定のピッチで、金属ピンよりなるアウターリード4が全面にわたって突出しており」(第2頁左下欄第5-12行)

(e)「ベース1には、第1図にはメタライズ層(配線層)6がメッキ、蒸着などにより設けられており、このメタライズ層6と半導体素子3のパッド…とを、コネクタワイヤ7により、…ボンディングし、上記メタライズ層6と、アウターリード4とを、ベース1に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。
アウターリード4は、ベース1に融点の高い半田により、半田付される。」(第2頁左下欄第16行-右下欄第5行)

(f)「ベース1上に、ダム8を…接合し、このダム8により区画されたエリア内にSiゲル材料をポッティングし、加熱硬化させ、得られたSi系ゲル9により、半導体素子3とコネクタワイヤボンディング部などを被覆する。」(第2頁右下欄第9-14行)

(g)「第3図は、本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線の要部平面図で、第3図に示すように、半導体素子3のボンディングパッド11とメタライズ層9とをコネクタワイヤ7によりボンディングするが、本発明では配線基板1のメタライズ層(配線)9をボンディングリードとして利用すると、ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が少なくでき、その配線が楽になる。」(上記「メタライズ層9」、「メタライズ層(配線)9」は、「メタライズ層6」、「メタライズ層(配線)6」の誤記と認められる。)(第3頁右下欄第1-8行)

(h)第1図、第2図(第4頁右下欄)、第3図(第5頁上欄)には、それぞれ、実施例の断面図、底面図、要部平面図が示されている。

(2-3)引用刊行物1発明
上記記載事項(a)-(h)によれば、引用刊行物1には、
「ガラスエポキシ基板により構成されるベースに、半導体素子の搭載される領域と、その外側にSi系ゲルにより被覆される領域を有し、ベースの半導体素子を搭載する面側のみに、メタライズ層からなる複数の配線が設けられ、メタライズ層はコネクタワイヤボンディング部と金属ピンよりなるアウターリードに接続する端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、コネクタワイヤボンディング部はSi系ゲルにより被覆される領域のメタライズ層の上面に設けられ、アウターリードに接続する端子は半導体素子の搭載領域のメタライズ層の下面に複数設けられ、アウターリードに接続する端子の形成される箇所のベースにこの端子に達するスルホールが穿設され、スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で塞ぐように覆われている半導体素子搭載用基板。」の発明(以下、「引用刊行物1発明」という。)が記載されているといえる。

なお、審判請求人は、意見書(「イ 引用刊行物1発明の認定について」の「(ウ)」)において、「引用刊行物1記載のPGA基板は,ベース1に穴加工を施し,さらにベース1表面にレジストを形成した後,穴内面及びベース1の露出した部分にメッキ・蒸着等で導電層,メタライズ層6を形成する工程で製造されると解されます。この場合,穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層6は形成できません。また,一般的なPGA基板は,両面銅箔付き積層板に穴加工を施した後,穴内面及び銅箔表面にメッキ等で導電層を形成し,最後にエッチングにより配線を形成する工程で製造されます(例えば,「NIKKEI ELECTRONICS MICRODEVICES 1984.6.11」167ページ参照)。この工程においても,穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層は形成できません。
このことから,引用刊行物1発明においては,アウターリード4に接続する端子の形成される箇所のベース1にこの端子に達するスルホールが穿設されることはなく,また,スルホールの半導体素子3を搭載する面側がメタライズ層6で覆われることはありません。」(第4頁第33行-第5頁第9行)と主張している。

しかしながら、PGA用基板において、ピンからなるアウターリードをベース(絶縁性支持体)の開口部(スルーホール)に設ける場合、開口部の側壁に導電層を形成し、該導電層を介してアウターリードを電気的に接続させる他に、開口部の側壁に導電層を形成することなく、開口部を覆う配線にピンを直接接続する技術も公知であったと認められ(例えば、下記文献1、2参照)、また、引用刊行物1には、開口部側壁に導電層を設ける旨の記載、及び図示もないことから、「引用刊行物1発明においては,アウターリード4に接続する端子の形成される箇所のベース1にこの端子に達するスルホールが穿設されることはなく,また,スルホールの半導体素子3を搭載する面側がメタライズ層6で覆われることはありません。」との主張は採用できない。

文献1:特開平6-140462号公報
「このTAB型パッケージは、…ポリイミド等の樹脂で製作されるTAB フィルム1上に、銅の金属膜を被着し、この金属膜をエッチングにより複 数の配線2を形成し、」(【0004】)
「TABフィルム1の配線層の外部端子に対応する部分をエッチングし、 スルーホール3を形成する。勿論、スルーホール3の位置は望ましくは格 子状に配列され形成される。
…次に、スルーホール3を形成したTABフィルム1の裏面から露出した 配線の部分に、金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば、予備半田された 導電ピン5aを熱圧で接合する方法で接続し、TABフィルム1と垂直方 向に立てて接続し、…次に、スルーホール3に樹脂6aをポッティングし 、導電ピン5aを固定し、これを外部端子とする。」(【0019】-【 0020】)

文献2:特開昭63-253658号公報
「〔問題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、貫通孔を有する穴開き絶縁基板と、穴開き絶縁 基板の表面に形成した配線層と、穴開き絶縁基板の表面に搭載され配線層 と結線された半導体素子と、穴開き絶縁基板の貫通孔に基板表面で配線層 と接続し且つ基板裏面から突出するように挿入され、該貫通孔内で銀ロウ により固着された金属製のピンとを備えたことを特徴とするものである。
穴開き絶縁基板としては、従来からのガラスエポキシやセラミックスで よいが、」(第2頁右上欄第11行-左下欄第1行)

「〔作用〕
本発明においては、穴開き絶縁基板を使用し、配線層と外部とを連絡す る導電媒体として、金属製のピンを穴開き絶縁基板の貫通孔内に挿入し、 その内部で銀ロウにより固着してある。従って、基板を貫通し内部の配線 層と外部とを連絡する導電媒体として、従来の如く複数のグリーンシート にいちいちスルホールメタライズを形成する必要がない。……
更に、金属製のピンの穴開き絶縁基板への固着は、貫通孔内にピンを挿 入して両者の隙間に銀ロウを浸透流入させるだけで良好な結合が得られ、 従来の如く基板裏面のメタライズ部にピンを精度よくロウ付けするよりも 簡単である。」(第2頁右下欄第1-17行)

「〔実施例〕
…銀ロウ14でピン3を穴開き絶縁基板1に固着させた。
……・
その後、従来と同様に基板表面にアルミニウムの配線層8を形成して 各ピン3と接続させ」(第3頁左上欄第3-13行)

(2-4)対比・判断
(A)本件訂正発明1について
本件訂正発明1と引用刊行物1発明とを対比すると、引用刊行物1発明における「ベース」、「メタライズ層」、「メタライズ層の上面」、「メタライズ層の下面」、「コネクタワイヤボンディング部」、「アウターリードに接続する端子」、「スルホール」、「Si系ゲルにより被覆される領域」は、それぞれ、本件訂正発明1の「絶縁性支持体」、「配線」、「配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面」、「配線の上記絶縁性支持体側の面」、「ワイヤボンディング端子」、「外部接続端子」、「開口部」、「樹脂封止用半導体パッケージ領域」に相当するものと認められる。

よって、両者は、
「絶縁性支持体と、その片面のみに形成される複数の配線とを備える半導体素子搭載用基板において、
半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、備え、
上記配線は、上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみにあり、
上記配線は、上記半導体パッケージ領域に形成されるワイヤボンディング端子と、上記半導体素子搭載領域に形成される外部接続端子及びそれらをつなぐ配線を配線の一部として備え、
上記外部接続端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ、
上記ワイヤボンディング端子は、上記配線の上記絶縁性支持体側の面の反対側の面に備えられ、
上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に開口部が設けられ、上記開口部の半導体素子を搭載する面側は、上記外部接続端子で塞ぐように覆われている半導体素子搭載用基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。

(相違点1)
本件訂正発明1では、配線が、厚み12?35μmの1層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されているのに対し、引用刊行物1発明では、配線はメタライズ層(メッキ、蒸着など)により絶縁性支持体に形成され、その厚み及び材質についての限定がなされていない点。

(相違点2)
本件訂正発明1では、半導体素子搭載領域と、該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導体パッケージ領域とを、複数組備えるのに対し、引用刊行物1発明では、それが明らかではない点。

(相違点3)
本件訂正発明1では、半導体素子搭載領域の外部接続端子は、平面視において当該半導体素子搭載領域の中央部まで抜けなく格子状に配列されているのに対し、引用刊行物1発明では、それが明らかではない点。

(相違点4)
本件訂正発明1では、BGA用の基板であって、外部接続端子にはんだボールが接続されるのに対し、引用刊行物1発明では、外部接続端子に金属ピンが接続される、いわゆるPGA用の基板である点。

(相違点5)
本件訂正発明1では、絶縁性支持体に設けられる開口部が、外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるためのものであって、ウエットエッチングにより形成されるものであるのに対し、引用刊行物1発明はそうではない点。

(相違点6)
本件訂正発明1では、ワイヤボンディング端子の表面に、ニッケルめっき層、及びその上面に金めっき層を有してなるのに対し、引用刊行物1発明では、それが明らかではない点。

(相違点7)
本件訂正発明1では、絶縁性支持体がポリイミドフィルムであって、(化1)の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル%以上含んだポリイミドからなり、開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出したフレキシブル基板である
(化1)


のに対し、引用刊行物1発明では、ベース(絶縁性支持体)がガラスエポキシで構成され、開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているか否か明らかではない点。

上記相違点について検討する。
まず、(相違点2)、(相違点3)、(相違点4)、(相違点6)について検討する。
・(相違点2)について
本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
a.特開昭64-54791号公報
「配線回路部A複数個を、両側の連結部Bにより連結しており」(第3頁左上欄第9-10行)と記載され、第1図(第4頁左上欄)には、実施例における複合配線基板の平面図により、複数組の基板の配列が示されている。

b.特開昭63-60547号公報
「シート状で多数の半導体搭載用基板が連続的に配列されたプリント配線用基板(第2頁右下欄第14-15行)と記載され、第2図(a)(第5頁左上欄)には、半導体搭載用基板を形成する状態を示した部分平面図により、複数組の基板の配列が示されている。

上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板の製造方法において、同一基板上に複数組の個別の基板領域を配列して形成し、これを一括して製造することは、周知又は公知の技術であったものと認められる。
よって、半導体素子搭載領域と樹脂封止用パッケージ領域とを複数組備えることは、周知又は公知の技術であったものと認められ、引用刊行物1発明において、これを適用することは当業者が適宜なしえたことである。

・(相違点3)について
半導体素子搭載領域の外部接続端子の配列は、接続端子の数、半導体素子搭載領域の面積、配線の引きまわし等に応じて決定すべき設計的事項にすぎない。

・(相違点4)について
本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
a.特開平6-21173号公報
「およびピン(58)またははんだボール(26)のいずれか1つを、前記複数の動作接点のそれぞれ1つに付着する段階:によって構成されることを特徴とする…半導体デバイス(10,30,50)を製造する方法。」(第2頁第1欄第14-18行)

「図1は本発明に基づくOMPAC半導体デバイス10の上面図を示したものである。デバイス10はパッケージ基板材料12を含んでおり、…本発明の好適実施例では、パッケージ基板12はフレキシブルな薄いストリップ状またはテープ状に形成されたビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂ともいう)である。…同様にパッケージ基板12は、…薄いエポキシ・ガラス複合材料でもよい。」(第3頁第3欄第15-25行)

b.特開平6-326211号公報
「半導体パッケージの接続端子として…のはんだボールの代わりに、パッド接続用ピン9をはんだで接続した点である。」(【0013】)

c.「日経マイクロデバイス」1993年(平成5年)9月号、81?85頁、日経BP社刊
「BGA(ball grid array)パッケージ…は本質的にはPGAパッケージと同じだが、…多ピンに対応できる」(第84頁右欄第23-31行)

d.「電子材料」1994年(平成6年)5月号、第22?27頁、工業調査会社刊
「P-BGAパッケージ技術と表面実装」と題し、「P-PGAのピンをハンダボールに変えることにより、表面実装型パッケージとなり、かつ実装技術も容易になるとの提案があった。」(第22頁左欄下から2-4行)

上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板において、ピンとはんだボールが相互に置換可能であることは周知又は公知であったものと認められ、引用刊行物1の第4頁右上欄第20行には、「他のパッケージにも適用できる。」と記載されていることから、引用刊行物1発明においてBGA用の基板とすることは当業者が容易になしえたことといえる。

なお、審判請求人は、意見書(「エ 相違点4の判断について」)において、「引用刊行物1(特開昭 61-177759号)発明のメタライズ層はAlにより構成されており(2ページ右下欄6行?8行),そして,アルミニウムにははんだは付着しないとされていることから(特開平5-14101号公報,段落【0004】参照),引用刊行物1発明のアウターリード4に代えてはんだボールを使用することには阻害要因があります。」(第7頁第28-32行)と主張している。
しかしながら、引用刊行物1発明においては、メタライズ層(配線層)がAlに限定されるわけではなく、また、はんだ自体の成分調整、フラックス添加、あるいは付着方法の工夫等により、アルミニウムにはんだを付着させること自体は周知であったといえるから(例えば、下記周知例1、2参照)、上記の主張は採用できない。

周知例1:特開平4-171941号公報
「(2)ベアICチップ(1)のアルミニウムベースメタル電極(23) 上に置かれた半田ボール(13)に超音波圧力及び熱を加えて、上記アル ミニウムベースメタル電極(3)の表面の酸化膜(25)を破壊して除去 すると共に上記半田ボールを(3)を溶融させ、上記酸化膜(25)が除 去されたアルミニウムベースメタル電極(3a)上に下地層としての半田 膜(19)を形成する工程(20)と、該半田膜形成工程(20)により 形成された半田膜(19)を形成する工程(20)と該半田膜形成工程( 20)により形成された半田膜(19)に、バンプを形成するための金属 ボール(13)を圧力及び熱を加えて接合する金属ボール接合工程(30 )とよりなることを特徴とするベアICチップの電極構造の製造方法。」 (2.特許請求の範囲)

「電極11は、…元のアルミベースメタル電極3上の下地層としての半田 膜12上に半田ボール13が接合され、この半田ボール13が…突出して バンプ14を形成した構造である。」(第2頁右下欄第18行-第3頁 左上欄第3行)

周知例2:「エレクトロニクスのはんだ付け」昭和51年1月20日、総 合電子出版社刊、183頁
「7.5.4 面発熱体,コンデンサ,印刷回路などのはんだ付法
アルミニウム箔を利用した、…印刷回路のリード線付けには、有機のフラ ックスを内蔵する200℃タイプのアルミニウム用はんだが使用されてい る。」

・(相違点6)について
本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
a.特開昭63-256498号公報
「コンタクト端子裏面に、ニッケルめっき、さらに金めっきを施し、その部分をワイヤボンディング端子とすることを特徴とするICカード用プリント配線板。」(特許請求の範囲)

b.特開平2-120093号公報
「ボンディング端子(21)…にニッケルメッキ(30)を施し、さらにそのニッケルメッキ(30)上に軟質金メッキ(40)を施す。」(第3頁左上欄第6-9行)

上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載用基板において、ワイヤボンディング端子の表面にニッケルめっき層、さらにその上に金めっき層を施すことは周知又は公知の技術であったものと認められ、引用刊行物1発明にそれを適用することは当業者が適宜なしえた事項である。

・(相違点1)、(相違点5)、(相違点7)について
本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
a.特開平4-188741号公報
「ポリイミド膜1a上に35μm厚の銅箔を部分エッチングにより配線パターンに形成」(第3頁左下欄第1-2行)

b.特開平3-94430号公報
「10はポリイミド等の電気的絶縁性を有するフィルムから成るベースフィルムで、12はこのベースフィルム10上に形成した回路パターン、14は半導体チップを接合するダイボンディング部である。回路パターン12およびダイボンディング部14は、たとえばベースフィルム10上に銅箔を接着し、銅箔上にレジストパターンを形成してエッチングすることによって、形成することができる。ベースフィルム10に銅箔を接合する場合は、接着剤を用いる場合と接着剤を用いない場合とがある。」(第2頁左下欄第6-17行)

上記各刊行物の記載によれば、上記(相違点1)に関し、半導体素子搭載用基板において、配線が、厚み12?35μmの1層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されるものは、周知又は公知であったものと認められる。

また、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
c.特開平6-13434号公報
「フィルムキャリア1はポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ガラスエポキシ樹脂などからなる可撓性絶縁フィルム2とこの絶縁フィルム2上にパターン形成された銅箔等の金属導体膜のリード5とを備えている。」(【0014】)

d.特開平6-140462号公報
「このTAB型パッケージは、…ポリイミド等の樹脂で製作されるTABフィルム1上に、銅の金属膜を被着し、この金属膜をエッチングにより複数の配線2を形成し、」(【0004】)

「TABフィルム1の配線層の外部端子に対応する部分をエッチングし、スルーホール3を形成する。勿論、スルーホール3の位置は望ましくは格子状に配列され形成される。
…次に、スルーホール3を形成したTABフィルム1の裏面から露出した配線の部分に、金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば、予備半田された導電ピン5aを熱圧で接合する方法で接続し、TABフィルム1と垂直方向に立てて接続し、…次に、スルーホール3に樹脂6aをポッティングし、導電ピン5aを固定し、これを外部端子とする。」(【0019】)

e.特公平6-6360号公報
「この発明のポリイミド-金属箔複合フィルムは、導電性金属箔の箔面に、下記の一般式(1)で表される繰返し単位および一般式(2)で表される繰返し単位を主体とするポリイミド樹脂層が直接形成されているという構成をとる。

上式において、…l:m=70?80:30?20である。」(第3頁右欄第23行-左欄第43行)

「前記一般式(1)で表される繰返し単位が70モル%未満になると金属箔とポリイミド樹脂層との線膨張係数の差が大きくなりすぎ得られるポリイミド-金属箔複合フィルムにカールが生じるようになる。」(第4頁左欄第29-32行)

「上記金属箔の種類としては、銅箔、アルミニウム箔が好ましく、」(第6頁右欄第38-39行)

f.特開昭61-176196号公報
「通常のポリイミド系樹脂は、熱膨張率が4?7×10^(-5)/Kと大きいため、加熱硬化後の熱応力、すなわち基板や配線材料とポリイミド系樹脂との熱膨張率差に起因する応力が大きくなり、膜の剥離や…、変形、…などが起こりやすいという欠点があった。」(第2頁右下欄第2-8行、なお、アンダーラインは当審により付した。)

「本発明による効果を充分生かすためには、従来のポリイミド系樹脂(熱膨張率4×10^(-5)/K以上)に比べて熱膨張率の小さい新規なポリイミドを用いるのが最も望ましい。……lは0?4、mは0?2、nは0?3である。…
本発明に適用される低熱膨張性ポリイミドとしては次のような例が挙げられる。…l、m、nは前述の定義の通りであり、
……


…… 」(第3頁右上欄第5行-第4頁左上欄第3行)
上記各刊行物の記載によれば、上記(相違点7)に関し、半導体素子搭載用基板において、絶縁性支持体としてポリイミドフィルムを用い(刊行物dには、外部端子としてピンを用いることも示されている。)、フレキシブル基板とすること、そして、表面に銅箔等の配線層を設ける場合に、ポリイミドフィルムとして、(化1)の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル%以上含んだポリイミドからなるもの
(化1)


を採用すると、熱膨張差に起因する反りの発生等が防止できることも周知又は公知の事項であったと認められる。

さらに、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、以下の事項が記載されている。
g.特開昭62-295494号公報
「ウェットエッチングにより前記ポリイミド膜にスルーホール…を形成する工程とを含む…高速素子実装用回路基板の製造方法。」(特許請求の範囲)

h.特開平2-215144号公報
「可撓性テープ2の表面全体を耐アルカリ性エッチングレジストで保護し、テープ2を5規定の水酸化カリウム水溶液中に、…浸漬した後、水洗した。これにより、エッチングレジストで保護しなかった部分のポリイミドフィルムを除去し、デバイス孔3を作成した。
更に、…インナーリード部の先端より12.5μm(図C)内側の位置に中心を有する直径.5μm(図D)の孔(穿孔部9)をエッチングによって形成した。エッチングの方法は前述したデバイス孔の場合と同様であり、エッチングは穿孔部9の底部にインナーリード部1aの銅箔が露出するまで行なった。」(第4頁右上欄第10行-左下欄第5行)

i.特開平4-137742号公報
「フィルムキャリア(100)を製造するには、先ず、第3図に示すようなポリイミドからなるフィルム(10)に接着剤を使用せずに銅箔を貼着した2層材を使用する。……
次に、公知の方法によって前述の2層材をエッチングして、…互いに独立した多数の導体回路(20)…を形成する。
次いで、…公知の方法によって2層材のフィルム(10)を苛性ソーダ、ヒドラジン等によりエッチングして開口(11)を形成する。」(第3頁左下欄第5行-右下欄第1行)

上記各刊行物の記載によれば、上記(相違点5)に関し、配線層(銅配線)を有するポリイミドフィルムからなる半導体素子搭載用基板において、配線層に達する開口部をウエットエッチングによってポリイミドフィルムに形成することは周知又は公知であったと認められる。

したがって、上記周知ないし公知の各技術事項を勘案すると、引用刊行物1発明において、「配線」および「絶縁性支持体」として、それぞれ、「厚みが12?35μmの1層の銅箔から形成され、銅箔は絶縁性支持体に直接形成されるもの」および「ポリイミドフィルムであって、(化1)の繰り返し単位を有するポリイミドを70モル%以上含んだポリイミドからなるもの
(化1)


」を採用し、フレキシブル基板とするとともに、絶縁性支持体に設けられる開口部の形成をウエットエッチングにより行うことは、当業者が容易になしえたことであり、また、その開口部を外部接続端子に接続されるはんだボールが配置され溶融されるためのものに変更することも、上記のとおり、引用刊行物1記載のものをBGA用の基板とすることは当業者が容易になしえたこと(相違点4)なのであるから、それに伴う単なる設計的な事項にすぎない。

さらに、(相違点7)のうち、本件訂正発明1では、絶縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しているのに対し、引用刊行物1発明では、スルホール(開口部)の側壁にベース(絶縁性支持体)が露出しているか否か明らかではない点については、引用刊行物1発明では、上記のとおり、スルホールの半導体素子を搭載する面側がメタライズ層で塞ぐように覆われており、電気的導通のためにスルホールの側壁をメタライズする必要もないことから、実質的な相違点とはいえない。

そして、本件訂正発明1が、引用刊行物1発明及び上記周知又は公知の技術からは予想しえない効果を奏するものとも認められない。

よって、本件訂正発明1は、引用刊行物1発明及び上記周知又は公知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。

(B)本件訂正発明2
本件訂正発明2は、本件訂正発明1において、「上記外部接続端子は、上記半導体素子搭載領域ごとに二つ以上設けられること」をさらに限定するものであるが、引用刊行物1発明においても、外部接続端子が複数設けられるものであり、この点で両者は相違しない。

よって、本件訂正発明2は、引用刊行物1発明及び上記周知又は公知の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。

(C)本件訂正発明3、4
本件訂正発明3、4は、それぞれ、上記[2]のとおり、
「請求項1?2のいずれかに記載のBGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板と、上記BGA用の半導体素子搭載用フレキシブル基板の上記半導
体素子搭載領域にダイボンデイング材を介して搭載される半導体素子と、上記半導体パッケージ領域に設けられる封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。」、「上記ダイボンデイング材はダイボンデイングテープであることを特徴とする請求項3記載の半導体パッケージ。」である。

これに対し、引用刊行物1には、その記載事項(上記(2-2)(c),(f)等)によれば、上記「(2)(2-3)引用刊行物1発明」のとおりの、「ガラスエポキシ基板により構成される…半導体素子搭載用基板」の発明のみならず、「ガラスエポキシ基板により構成される…半導体素子搭載用基板と、上記半導体素子搭載用基板の上記半導体素子搭載領域に接着材料(すなわち、ダイボンデイング材)を介して搭載される半導体素子と、上記半導体パッケージ領域に設けられる封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。」の発明(以下、「引用刊行物1’発明」という。)も記載されているといえる。

そして、本件優先権基準日前に頒布された下記各刊行物には、以下の事項が記載されている。
a.実願昭61-29476号(実開昭62-141038号)のマイクロフィルム)
「半導体素子をステム或いはリードフレームに固定するために用いられるダイボンディング用の接着テープに関する。…半導体チップをパッケージに組込むために種々のボンディング法が開発され」(第1頁第11-17行)

b.特開昭59-231825号公報
「リードフレームのベッドに半導体素子を熱軟化性テープを介してダイボンディングしたことを特徴とする半導体装置。」(特許請求の範囲)

上記各刊行物の記載によれば、半導体素子搭載領域にダイボンディングテープを介して半導体素子を搭載することも周知又は公知であったものと認められる。

よって、本件訂正発明3、4は、引用刊行物1’発明及び上記周知又は公知の技術(上記「[A]本件訂正発明1について」における周知又は公知技術も含む)に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものと認める。

[4]むすび
したがって、本件訂正発明1-4は、特許法第29条第2項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は特許法第126条第5項の規定に違反するものであり、認められない。
 
審理終結日 2010-12-21 
結審通知日 2010-12-24 
審決日 2011-01-07 
出願番号 特願2002-137362(P2002-137362)
審決分類 P 1 41・ 121- Z (H01L)
P 1 41・ 856- Z (H01L)
P 1 41・ 832- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 加藤 浩一  
特許庁審判長 寺本 光生
特許庁審判官 藤原 敬士
川端 修
筑波 茂樹
鈴木 正紀
登録日 2002-09-20 
登録番号 特許第3352084号(P3352084)
発明の名称 半導体素子搭載用基板及び半導体パッケージ  
代理人 城戸 博兒  
代理人 池田 正人  
代理人 長谷川 芳樹  
代理人 阿部 寛  
代理人 尾関 孝彰  
代理人 清水 義憲  
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