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| 審決分類 |
審判 査定不服 特36条4項詳細な説明の記載不備 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由)(定型) H01L 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由)(定型) H01L 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由)(定型) H01L 審判 査定不服 特17条の2、3項新規事項追加の補正 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由)(定型) H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1243025 |
| 審判番号 | 不服2008-6730 |
| 総通号数 | 142 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2011-10-28 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2008-03-19 |
| 確定日 | 2011-09-05 |
| 事件の表示 | 特願2002-369109「半導体装置の素子分離膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成15年 7月11日出願公開,特開2003-197734〕について,次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は,成り立たない。 |
| 理由 |
本願は,平成14年12月20日の出願であって,その請求項に係る発明は,特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 これに対して,平成22年11月19日付けで拒絶理由を通知し,期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが,請求人からは何らの応答もない。 そして,上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので,本願は,この拒絶理由によって拒絶すべきものである。 よって,結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2011-03-31 |
| 結審通知日 | 2011-04-07 |
| 審決日 | 2011-04-20 |
| 出願番号 | 特願2002-369109(P2002-369109) |
| 審決分類 |
P
1
8・
537-
WZF
(H01L)
P 1 8・ 536- WZF (H01L) P 1 8・ 121- WZF (H01L) P 1 8・ 561- WZF (H01L) |
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 加藤 浩一 |
| 特許庁審判長 |
相田 義明 |
| 特許庁審判官 |
小川 将之 西脇 博志 |
| 発明の名称 | 半導体装置の素子分離膜の形成方法 |
| 代理人 | 北村 修一郎 |