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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) G03F
管理番号 1249720
審判番号 不服2010-13758  
総通号数 146 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2012-02-24 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2010-06-23 
確定日 2012-01-04 
事件の表示 特願2003-156999「フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム」拒絶査定不服審判事件〔平成16年12月24日出願公開、特開2004-361507〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 1.手続の経緯
本件特許出願(以下「本願」という。)は、平成15年6月2日の出願であって、平成21年6月24日付けで手続補正がなされ、同年8月28日付けで拒絶理由が通知され、平成22年3月15日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年6月23日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされ、これに対して、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成23年4月13日付けで審尋がなされ、同年6月17日付けで当該審尋に対する回答書が提出され、その後、同年7月20日付けで平成22年6月23日付け手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶の理由が通知され、同年9月26日付けで意見書が提出されたものである。



2.本願発明
本願の特許請求の範囲の請求項1乃至7に係る発明は、平成21年6月24日付け手続補正によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項1乃至7に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、次のとおりのものである。

「 設計データに対し図形演算を行なうことによって第1と第2描画デー
タをそれぞれ作成する工程と、
第1フォトマスク描画装置を用いて、前記第1描画データに従ってフォトマスク上の第1領域に第1パターンを形成する工程と、
前記第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて、前記第2描画データに従って前記フォトマスク上の第2領域に第2パターンを形成する工程と、
を備えたフォトマスクの製造方法。」



3.引用発明
3-1.刊行物の記載事項
本願の出願前に頒布された刊行物である特開平2-262319号公報(以下「引用例1」という。)には、以下の技術事項が記載されている(後述の「3-2.引用発明の認定」において引用した記載に下線を付した)。

記載事項a.第1頁右下欄第2行乃至第18行
「(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にパターン精度の異なる領域が共存する半導体装置のパターン形成方法に関する。
(従来の技術)
近年、集積回路の高密度・高集積化のため、ますます微細で大規模なパターンを形成することが要求されている。この高解像度を要求されるパターンは、電子線露光による直接描画によって形成されている。しかしながら、高解像度を要求される部分とそうでない部分が混在している1枚の半導体基板全体を電子露光により直接描画する場合は極めて露光時間が長くなる。特に電源線等の幅広いパターンを描画する場合には、露光スポット数も多くなる。従って、1枚の半導体基板の処理について電子線露光装置を占有する時間が長くなり量産性の低下を招く。」

記載事項b.第3頁左下欄第4行乃至第7行
「次に、この半導体基板1及び多結晶シリコン膜4上に高感度で高解像性を有するポジ型のレジストであるPMMA8(ポリメチルメタアクリレート)を塗布する。(第3図(c))」

記載事項c.第3頁左下欄第15行乃至右下欄第16行
「 第4図は、本発明の第4の実施例のパターン形成方法である。半導体基板1上には高解像度を要する領域2と高解像度を要しない領域3が存在している。この半導体基板1上に、例えば多結晶シリコン膜4が堆積する。次に、半導体基板1上の全面にPMMA8を塗布する。(第4図(a))
次に、最終的に残置させたい所を除いた部分に所定のパターンデータに従って電子ビームを照射し現像する。引き続き、このPMMA8をマスクにしてエッチングを行なう(第4図(b))
次に、このPMMA8を除去し、半導体基板1及び多結晶シリコン膜4上に280nm?480nmに分光感度を有するポジ型のノボラック系の第2のフォトレジスト7を塗布する。(第4図(c))
次に、高解像度を要しない領域3について、スループットの高い光ステッパ等を用いてパターンを露光、現像し第2のフォトレジスト7をパターニングする。引き続き、この第2のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なう。(第4図(d))
次に、この第2のフォトレジストを除去し所定のパターニングを完了する。(第4図(e))」

記載事項d.第4図





3-2.引用発明の認定
引用例1の「半導体装置のパターン形成方法」は「電子ビームを照射」することを含むのであるから、引用例1の「半導体装置のパターン形成方法」が何らかの“電子ビーム照射装置”を用いていることは明らかである。
記載事項c及び記載事項dの記載内容から、引用例1の「半導体装置のパターン形成方法」において、「電子ビームを照射し現像する」こと、及び、「PMMA8をマスクにしてエッチングを行なう」ことにより、「半導体基板1上」の「高解像度を要する領域2」に“所定のパターンを形成している”と認められる。
記載事項c及び記載事項dの記載内容から、引用例1の「半導体装置のパターン形成方法」において、「半導体基板1上」の「高解像度を要しない領域3について」、「光ステッパ」「を用いてパターンを露光、現像し第2のフォトレジスト7をパターニングする」こと、及び、「この第2のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なう」ことにより、「半導体基板1上」の「高解像度を要しない領域3」に“前記所定のパターンとは異なるパターンを形成している”と認められる。
記載事項aの「高解像度を要求されるパターンは、電子線露光による直接描画によって形成されている」という記載、及び、記載事項cの「高解像度を要しない領域3について、スループットの高い光ステッパを用いてパターンを露光」するとの記載から、引用例1の「光ステッパ」が、前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低いことは明らかである。

上記事項及び記載事項a乃至記載事項dから、引用例1には、
「 電子ビーム照射装置を用いて、半導体基板1上の全面にポジ型レジストであるPMMA8を塗布し、所定のパターンデータに従って電子ビームを照射し現像し、このPMMA8をマスクにしてエッチングを行なうことにより、半導体基板1上の高解像度を要する領域2に所定のパターンを形成し、
このPMMA8を除去し、半導体基板1上に第2のフォトレジスト7を塗布し、半導体基板1上の高解像度を要しない領域3について、前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いてパターンを露光、現像し第2のフォトレジスト7をパターニングし、この第2のフォトレジストをマスクにしてエッチングを行なうことにより、半導体基板1上の高解像度を要しない領域3に前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する、
半導体装置のパターン形成方法。」
(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。



4.対比
本願発明と引用発明を対比する。

本願発明の「フォトマスク上の第1領域」及び「フォトマスク上の第2領域」とは、それぞれ、フォトマスク上の“所定の領域”及び“前記所定の領域とは異なる領域”であるといえる。一方、引用発明の「半導体基板1上の高解像度を要する領域2」は半導体基板上の所定の領域であり、「半導体基板1上の高解像度を要しない領域3」が前記「半導体基板1上の高解像度を要する領域2」とは異なる領域であることは明らかである。よって、引用発明の「半導体基板1上の高解像度を要する領域2」と本願発明の「フォトマスク上の第1領域」とは、「第1領域」である点で一致し、同様に、引用発明の「半導体基板1上の高解像度を要しない領域3」と本願発明の「フォトマスク上の第2領域」とは、「第2領域」である点で一致する。
引用発明の「所定のパターン」は、「半導体基板1上の高解像度を要する領域2に」「形成」されるパターンであるから、前記一致点における関係も考慮すれば、引用発明の「所定のパターン」は本願発明の「第1パターン」に相当し、以下同様に、引用発明の「所定のパターンデータ」は、「半導体基板1上の高解像度を要する領域2に所定のパターンを形成」するために用いられるものであるから、本願発明の「第1描画データ」に相当し、引用発明の「前記所定のパターンとは異なるパターン」は、「半導体基板1上の高解像度を要しない領域3に」「形成」されるパターンであるから、本願発明の「第2のパターン」に相当し、引用発明の「電子ビーム照射装置」は、「半導体基板1上の高解像度を要する領域2に所定のパターンを形成」するために用いられるものであるから、引用発明の「電子ビーム照射装置」と本願発明の「第1フォトマスク描画装置」とは、「第1描画装置」である点で一致し、引用発明の「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパ」は、「半導体基板1上の高解像度を要しない領域3に前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ために用いられるものであるから、引用発明の「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いて」いることと本願発明の「前記第1フォトマスク描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2フォトマスク描画装置を用いて」いることとは、「前記第1描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2装置を用いて」いることである点で一致する。

したがって本願発明と引用発明とは、
「 第1描画装置を用いて、第1描画データに従って第1領域に第1パターンを形成する工程と、
前記第1描画装置の加工精度とは異なる加工精度の第2装置を用いて、第2領域に第2パターンを形成する工程と、
を備えた製造方法。」

である点で一致し、以下の点で相違する。

(相違点1)
第1パターンを形成するための第1描画データ及び第2パターンを形成するための第2描画データを、本願発明では「設計データに対し図形演算を行なうことによって」作成しているのに対し、引用発明ではどのようにして作成しているのか不明である点。

(相違点2)
第2領域に第2パターンを形成するのに際し、本願発明では「第2」「描画装置を用いて」いるのに対し、引用発明では「光ステッパを用いて」いる点。

(相違点3)
本願発明が「フォトマスクの製造方法」であるのに対し、引用発明は「半導体装置のパターン形成方法」であり、またそれに付随して、加工される対象が、本願発明では「フォトマスク」であるのに対し、引用発明では「半導体基板1」である点。



5.判断
5-1.相違点1について
本願明細書の段落【0026】乃至【0028】並びに図1乃至4等の記載内容を参酌すると、本願発明における「設計データに対し図形演算を行なうことによって第1と第2描画データをそれぞれ作成する」こととは、設計データに対して複数回の変形を施すことにより、異なる加工精度の複数のパターンに対応する複数のデータを作成することであると理解できるが、そのような技術思想は本願出願前に周知である(例えば、特開2001-109128号公報(【0044】、図3等参照))。
よって、引用発明において、上記周知技術を採用し、「所定のパターンを形成」するためのデータ及び「前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ためのデータとを、設計データに対し図形演算を行うことによって作成するとして、相違点1に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。

5-2.相違点2について
本願出願前に頒布された刊行物である特開2001-318455号公報(以下「引用例2」という。)には、レジストにパターンを形成する方法において、要求される微細度が低いパターンの形成に際し、要求される微細度が高いパターンの形成に用いられる描画装置よりも加工精度が低い描画装置を用いる工程を備えた発明が記載されていると認められる(【0031】、【0038】乃至【0042】、【0061】、【0069】参照)。
引用発明と引用例2に記載の発明とは、レジストにパターンを形成する方法である点で技術分野が共通であり、要求される微細度が異なる2つのパターンを効率よく形成する点で課題も共通するから、引用発明において、「前記所定のパターンとは異なるパターンを形成する」ために「半導体基板1上の高解像度を要しない領域3について」行われる「前記電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いてパターンを露光」することに代えて、(「半導体基板1上の高解像度を有する領域2」に「電子ビームを照射」する「電子ビーム照射装置」の加工精度とは)異なる加工精度の描画装置を用いて描画する構成を採用することにより、相違点2に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。

以下、平成23年9月26日付け意見書における審判請求人の主張について言及する。
(審判請求人の主張1)
「 しかし、特開昭57-72327号公報には、「第1の露光方式で一部のパターンを露光し、第2の露光方式で残りを露光する」ことが記載されているだけであり、やはり本願発明と同様の方法が記載されているとはいえません。特開昭57-72327号公報では、あくまで、光露光方式と直接描画の露光方式のような異なる方式の露光方法を使い分けることが記載されており、本願発明のような「同一方式の加工精度の相違」に全く着目していません。このことは、引用文献1,2(当審注:それぞれ本審決における「引用例1」及び「引用例2」)について全く同様です。
したがって、引用文献1,2および上記周知技術のいずれにも、『「同一方式の加工精度の相違」を上手く利用する』という技術的思想は全く記載されておらず、これらの文献を組み合わせても、独立請求項1に係る本願発明は、容易に得られるものではありません。」
(当審の見解)
上記したように、引用例2には、要求される微細度に応じて加工精度の異なる2つの描画装置を用いる技術思想が記載されており、当該技術思想は、“同一方式の加工精度の相違を上手く利用する”ことに他ならない。よって審判請求人の上記主張は採用できない。

(審判請求人の主張2)
「 さらに、本願発明の属する技術分野の専門家は、「光露光(結像)」と「光描画(集光)」とを明確に区別しており、これらが代替可能であるとは通常は考えないものです。現に、「光露光(結像)」と「光描画(集光)」とが代替可能であることに言及した先行技術は存在しません。
ところが、審判官殿は、何ら根拠を示すことなく、「光露光(結像)」と「光描画(集光)」とが代替可能であると判断されていますが、これは本願発明の属する技術分野における技術常識を無視した判断であり、決して妥当であるとはいえません。」
(当審の見解)
技術常識(技術の変遷)から、パターン形成方法において、光露光方式と光描画方式とは代替可能であることは明らかであり(例えば、特開平08-115864号公報(【0002】の第4行乃至第10行参照)や特開平08-162478号公報(【0021】の第5行乃至第8行参照))、よって審判請求人の上記主張は採用できない。

(審判請求人の主張3)
「 その上、審判官殿は、「光露光の方が電子線描画より加工精度が低い」と述べておられますが、電子線描画の加工精度は、電子の加速電圧によって決まり、光露光の加工精度は、露光波長、開口数NA、開口数比δにより決まり、条件を選べば、光露光の方が電子線描画より高精度となり得ます。したがって、「光露光の方が電子線描画より加工精度が低い」との判断も、技術的観点から正しいものであるとはいえません。」
(当審の見解)
当審が通知した平成23年7月20日付け拒絶理由において、引用発明の認定等で「電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパ」としたのは、あくまで引用発明の「光ステッパ」が同じく引用発明の「電子ビーム照射装置」よりも解像度が低いと述べたものであって、電子線描画の加工精度一般について述べたものではない。そして、「3-2.引用発明の認定」で述べたように、引用発明の「光ステッパ」が引用発明の「電子ビーム照射装置」よりも解像度が低いことは明らかであり、平成23年7月20日付け拒絶理由における上記認定に誤りはないから、審判請求人の上記主張は採用できない。

(審判請求人の主張4)
「 また、引用文献1に記載の発明の目的は、パターン形成時間を短縮し、電子線描画装置の利用効率を向上することであり、そのために光ステッパ等を用いたパターンの露光を行っています。
ところが、この光ステッパ等を用いたパターンの露光を、光描画や低精度の電子線描画といった描画方式に変更しますと、光ステッパ等を用いたパターンの露光を採用する場合と比較して、パターン形成時間が格段に遅くなり、パターン形成時間を短縮することができなくなります。したがって、このような変形は、通常は行わないものであると思料致します。」
(当審の見解)
先に述べたように、引用例2には、要求される微細度に応じて異なる加工精度、すなわち、異なる処理速度の描画装置を用いることが記載されている(具体的には、精度の要求されない箇所にパターンを速く描画するのに用いられるものとして、約10kV程度に加速された電子ビームを用いるラスタ方式の電子線描画装置と、高い寸法精度が要求される箇所にパターンを正確に描画するために用いられるものとして、約50kV程度に加速された電子ビームを用いるベクタ方式の電子線描画装置が記載されている(【0038】乃至【0042】、【0061】、【0069】参照))。そして、引用発明において、「電子ビーム照射装置よりも解像度が低い光ステッパを用いてパターンを露光」するのは、「高解像度を要しない領域」に対して高速にパターンを形成するためであると認められるので、引用例2に記載の発明の構成を採用することにより、当該領域に対して、他方の領域に用いた描画装置と比べて、相対的に加工精度を低くすることによって処理速度を速めた描画装置を用いることは、何ら引用発明の目的に反するものとはいえない。よって、審判請求人の上記主張は採用できない。

5-3.相違点3について
半導体装置の製造方法において用いられているのと同じパターン形成方法を、半導体の製造とフォトマスクの製造の両方において採用することは、本願出願前に周知である(例えば、特開昭57-72327号公報(第3頁左下欄第3行乃至第9行参照))。
よって、引用発明における半導体装置の製造方法におけるパターン形成方法を、フォトマスクの製造方法に採用することにより、相違点3に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。



6.本願発明の効果について

本願発明による効果は、引用発明、引用例2に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず、格別なものとはいえない。



7.むすび

以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例2に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。

したがって、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2011-10-25 
結審通知日 2011-11-01 
審決日 2011-11-14 
出願番号 特願2003-156999(P2003-156999)
審決分類 P 1 8・ 121- WZ (G03F)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 久保田 創秋田 将行  
特許庁審判長 神 悦彦
特許庁審判官 森林 克郎
吉川 陽吾
発明の名称 フォトマスクの製造方法およびフォトマスク描画システム  
代理人 深見 久郎  
代理人 森田 俊雄  
代理人 荒川 伸夫  
代理人 酒井 將行  
代理人 佐々木 眞人  
代理人 仲村 義平  
代理人 堀井 豊  

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