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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1276945
審判番号 不服2012-14437  
総通号数 165 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2013-09-27 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2012-07-27 
確定日 2013-08-06 
事件の表示 特願2002-505658「オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成14年 1月 3日国際公開、WO02/01608、平成16年 1月22日国内公表、特表2004-502298、請求項の数(19)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成13年 6月27日(パリ条約による優先権主張 2000年 6月28日 (US)アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項1ないし19に係る発明は、平成24年 7月27日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし19に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2013-07-24 
出願番号 特願2002-505658(P2002-505658)
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 大塚 徹  
特許庁審判長 鈴木 正紀
特許庁審判官 井上 茂夫
加藤 友也
発明の名称 オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法  
代理人 特許業務法人特許事務所サイクス  

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