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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1305838 |
| 審判番号 | 不服2014-13055 |
| 総通号数 | 191 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2015-11-27 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2014-07-04 |
| 確定日 | 2015-09-14 |
| 事件の表示 | 特願2012-166130「半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置、半導体装置用基板の製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成24年11月22日出願公開、特開2012-231176〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は、平成20年12月11日(優先権主張 平成19年12月11日)に出願した特願2008-315805号の一部を平成24年7月26日に特願2012-166130号として新たな特許出願をしたものであって、平成25年5月2日付けで拒絶理由が通知され、同年7月9日付けで手続補正がなされたが、平成26年4月11日付けで拒絶査定がなされた。 これに対し、同年7月4日付けで拒絶査定不服の審判請求および手続補正がなされ、平成27年3月31日付けで拒絶理由が通知され、同年6月1日付けで手続補正がなされた 第2 本願発明について 1.本願発明 本願の請求項1ないし18に係る発明のうち、請求項1(以下、「本願発明」という。)は、平成27年6月1日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項1に記載された次のとおりのものである。 「【請求項1】 基板を含まない半導体装置を作製するための半導体装置用基板であって、 金属製の基板と、 金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板側を向いた外部端子面を有する複数の外部端子部と、 金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板に対して反対側を向いた内部端子面を有する複数の内部端子部と、 金属製の基板上に突設されるとともに内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部と、を備え、 内部端子部は、基板に対して反対側の端部が内部接続用めっき層からなり、 外部端子部は、基板側の端部が外部接続用めっき層からなり、 内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はNi、Pd、Ag、Aｕのいずれかの金属であり、 一部の外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置され、 半導体素子の配置予定領域内に配置された前記一部の外部端子部以外の外部端子部は、基板上であって、配置予定領域外に配置され、 内部端子部の平面形状は、略長円形状または略長方形状であり、 内部端子部は、配置予定領域内に配置された外部端子部と、配置予定領域外に配置された外部端子部との間に、矩形状に複数配置され、 前記矩形状の角部に配置された各内部端子部は、その長手方向が、前記矩形状の辺に対して傾斜して配置され、 配置予定領域外において、互いに平面方向に隣接する外部端子部同士の間に空間が形成され、 配置予定領域内において、互いに平面方向に隣接する外部端子部同士の間に空間が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。」 2.引用例 平成27年3月31日付け拒絶理由通知で引用した特開2004-282098号公報(以下、「引用例1」という。)には、「半導体パッケージの製造方法」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 ア.「【0029】 本発明では、半導体素子はLSIチップ、ICチップ等通常の素子が使用できる。 ・・・(中略)・・・ 【0035】 本発明の半導体パッケージにおいては、配線は1層の配線においてその配線の片面が半導体チップと接続する第1の接続機能を持ち、その配線の反対面が外部の配線と接続する第2の接続機能をもつように構成されている。 【0036】 外部の配線と接続する外部接続端子は、例えばはんだバンプ、金バンプ等が好的に使用できる。 【0037】 外部接続端子は、半導体素子端子が配線とワイヤボンディング等で導通される位置より内側に設けるようにするのが高密度化の上で好ましい(ファンインタイプ)。このように外部接続端子の位置は、半導体素子が搭載された下面に格子状に配置するのが高密度化の上で好ましい。」 イ.「【0080】 図19、20、21により本発明の第十七の実施例について説明する。 【0081】 支持体51上に複数組の所定の配線パターン52を形成する(図19a)。支持体としては、電解銅箔などの金属箔の他にポリイミドフィルムなどの絶縁基材を適用できる。絶縁基材を適用する場合には2通りの方法がある。第1の方法は、絶縁基材の所定部分に配線パターンに達する非貫通凹部を形成し、配線パターンの露出部に外部接続端子を形成する方法である。非貫通凹部はエキシマレーザや炭酸ガスレーザなどを適用して形成できる。第2の方法は、接着材付き絶縁基材にドリル加工したものを予め形成しておき、電解銅箔などと積層させた後、銅箔をエッチング加工する方法である。 【0082】 一方、金属箔を適用する場合には、まずフォトレジストなどによりレジストパターンを形成後、金属箔をカソードとして電気めっき法で配線パターンを形成する。この場合、通常の電解銅箔や電解銅箔上に銅箔と化学エッチング条件の異なる金属(ニッケル、金、はんだ等)の薄層を設けたものなどが適用できる。また、配線パターンとしては銅が好ましいが、前述のように電解銅箔を支持体として適用する場合には、銅箔とエッチング条件の異なる金属自体を配線パターンとして適用したり、あるいは、銅箔エッチング時のバリヤ層となるパターン薄層をパターン銅めっき前に形成したりする必要がある。 【0083】 次に、ダイボンド材53で半導体素子54を搭載後、半導体素子端子と配線パターンとを電気的に接続し(図19b)、トランスファーモールド法により複数組の半導体素子と配線パターンとを一括して樹脂封止材56で封止する(図19c)。樹脂封止材は特に限定するものではなく、例えば、直径10?20μm程度のシリカを5?80wt%の範囲で含有したエポキシ樹脂のが適用できる。なお、本発明は半導体素子の実装方式がフェースアップ方式の場合に限定されるものではなく、例えば、フェースダウン方式の場合にも適用可能である。具体的には、配線パターン52上の所定位置にフェースダウンボンド用のバンプをめっき法などにより形成した後、半導体素子の外部接続部とバンプとを電気的に接続させれば良い。 【0084】 更に、図20や図21に示したように後工程でパッケージを分割しやすいようにしておくことは有効である。このうち、図20は複数個ある各パッケージ部分の境界部分に溝59を形成するものである。溝の幅や深さ等は、トランスファーモールド用金型の加工寸法により制御可能である。また、図21は、あらかじめ各パッケージ部に対応した部分をくり抜いた格子状中間板60を使用してトランスファーモールドを行なうものである。次に、支持体が金属箔の場合、化学エッチング法などにより支持体を除去し、所定の位置に外部接続用端子57を形成する(図19d)。支持体として絶縁基材を適用する場合には、前述したようにレーザ等により所定部分の絶縁基材のみを選択的に除去すれば良い。最後に、一括封止した基板を単位部分58に切断分離する。なお、配線パターン露出面に配線パターンを保護する目的でソルダーレジスト層を形成しても良い。 【0085】 第十七の実施例を具体的に説明する。 【0086】 具体例3 厚さ35μm、外形250mm角の電解銅箔のシャイニー面に、感光性ドライフィルムレジスト(日立化成工業(株)製、商品名:フォテックHN640)をラミネートし、露光、現像により所望するレジストパターン(最少ライン/スペース=50μm /50μm )を形成した。次に、電気めっき法により、厚さ0.2μmのニッケル、30μmの銅、5μmのニッケル及び1μmのソフト金で構成される同一の配線パターンを300個(4ブロック/250mm角、75個/ブロック)形成した。次に、液温35℃、濃度3wt%の水酸化カリウム溶液を用いてレジストパターンを剥離し、85℃で15分間乾燥後、各ブロックに切断後、半導体素子実装用ダイボンド材(日立化成工業(株)製、商品名:HM-1)を用いて半導体素子を接着した。接着条件は、プレス圧力5kg/cm2、温度380℃及び圧着時間5秒である。次に、半導体素子の外部端子と金めっき端子部(第2の接続部)をワイヤボンドにより電気的に接続した後、トランスファーモールド金型にセットし、半導体封止用エポキシ樹脂(日立化成工業(株)製、商品名:CL-7700)を用いて185℃、90秒で75個(1ブロックに相当)の配線パターンを一括封止することにより、各配線パターンを封止材中に転写した。次に、アルカリエッチャント(メルテックス(株)製、商品名: A プロセス)を用いて電解銅箔の所望する部分をエッチング除去した。エッチング液の温度は40℃、スプレー圧力は1.2kgf/ cm2である。次に、印刷法により外部接続端子部にはんだパターンを形成し、赤外線リフロー炉によりはんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。最後に、ダイヤモンドカッターにより、各パッケージ部に分離して所望するパッケージを得た。」 ・上記アによれば、引用例1の半導体素子はLSIチップやICチップであるから、半導体素子に備える端子は複数あり、その結果、半導体素子と接続される端子および外部接続端子も「複数」備えられるものである。そして、外部接続端子の位置は、半導体素子と接続される接続部よりも内方に配置されており、半導体素子が搭載された下面に格子状に配置されているものである。 ・上記ア、上記イ、図19によれば、所定厚(35μm)の銅箔をカソードとして電気めっき法によって、4つのめっき層(ニッケルめっき層-銅めっき層-ニッケルめっき層-金めっき層)からなる配線パターンを形成するから、配線パターンは銅箔に積層されて形成されるものである。また、配線パターンは、銅箔上に「平面状に配置」されているものといえ、その片面(金めっき層の側)に半導体素子と接続する金めっき端子部、反対の面(最下層のニッケルめっき層の側)に外部の配線と接続する外部接続端子部を備えているものである。そして、配線パターンは、配線パターンの一部に備える金めっき端子部と外部接続端子部とを接続する配線機能も当然に含んでいるといえる。 ・上記イ、図19によれば、銅箔は、外部接続端子部に外部接続バンプを形成する前に除去されるものである。 そうすると、引用例1には、以下の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。 「外部接続端子部に外部接続バンプを形成する前に除去される銅箔と、 銅箔上に積層されるとともに平面状に配置され、配線パターンの(最下層の)ニッケルめっき層に端子部を有する複数の外部接続端子部と、 銅箔上に積層されるとともに平面状に配置され、配線パターンの金めっき層に端子部を有する複数の金めっき端子部と、 銅箔上に積層されるとともに金めっき端子部と外部接続端子部とを銅箔上で平面状に接続する配線パターンと、を備え、 金めっき端子部、外部接続端子部および配線パターンの銅箔と接する部分は(最下層の)ニッケルめっき層であり、 外部接続端子部は、銅箔上であって、半導体素子が搭載された下面に配置されていることを特徴とする銅箔。」 3.対比・判断 本願発明と引用発明とを対比する。 a.引用発明の「銅箔」は、所定の厚みを有し、この銅箔上に複数の金属めっき層の配線を形成するものであるから、本願発明の「金属製の基板」に相当する。また、引用発明の「銅箔」は、半導体素子と外部配線とを接続するための端子部を形成するものであるから、本願発明の「半導体装置用基板」に相当するところ、外部接続端子部に外部接続バンプを形成する前に除去され、最終的に半導体パッケージ(半導体装置)に残らないものであるから、引用発明の「外部接続端子部に外部接続バンプを形成する前に除去される銅箔」は、本願発明の「基板を含まない半導体装置を作製するための半導体装置用基板」に相当する。 b.引用発明の「外部接続端子部」は、本願発明の「外部端子部」に相当する。そして、引用発明の外部接続端子部は、配線パターンの最下層のニッケルめっき層、即ち銅箔側に設けられているから、引用発明の「銅箔上に積層されるとともに平面状に配置され、配線パターンの(最下層の)ニッケルめっき層に端子部を有する複数の外部接続端子部」は、本願発明の「金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板側を向いた外部端子面を有する複数の外部端子部」、「外部端子部は、基板側の端部が外部接続用めっき層からなり」に相当する。 c.引用発明の「金めっき端子部」は、半導体素子とワイヤボンドにより電気的に接続されるものであるから、本願発明の「内部端子部」に相当する。そして、引用発明の金めっき端子部は、配線パターンの金めっき層、即ち銅箔と反対側に設けられているから、引用発明の「銅箔上に積層されるとともに平面状に配置され、配線パターンの金めっき層に端子部を有する複数の金めっき端子部」は、本願発明の「金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板に対して反対側を向いた内部端子面を有する複数の内部端子部」、「内部端子部は、基板に対して反対側の端部が内部接続用めっき層からなり」に相当する。 d.引用発明の「配線パターン」は、金めっき端子部、外部接続端子部、及びそれらの端子部を接続する配線部分とで構成されるから、引用発明の「銅箔上に積層されるとともに金めっき端子部と外部接続端子部とを銅箔上で平面状に接続する配線パターン」は、本願発明の「金属製の基板上に突設されるとともに内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部」に相当する。 e.引用発明の「金めっき端子部、外部接続端子部および配線パターンの銅箔と接する部分はニッケルめっき層であり」は、本願発明の「内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はNi金属であり」に相当する。 f.引用発明の「外部接続端子部は、銅箔上であって、半導体素子が搭載された下面に配置され」は、本願発明の「外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置され」に相当する。しかしながら、引用発明の外部接続端子部は、本願発明のように半導体素子の配置予定領域外にも配置されている構成とはなっていない。 したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 (一致点) 「基板を含まない半導体装置を作製するための半導体装置用基板であって、 金属製の基板と、 金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板側を向いた外部端子面を有する複数の外部端子部と、 金属製の基板上に突設されるとともに平面状に配置され、基板に対して反対側を向いた内部端子面を有する複数の内部端子部と、 金属製の基板上に突設されるとともに内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部と、を備え、 内部端子部は、基板に対して反対側の端部が内部接続用めっき層からなり、 外部端子部は、基板側の端部が外部接続用めっき層からなり、 内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はNi金属であり、 外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置されていることを特徴とする半導体装置用基板。」 (相違点1) 外部端子部について、本願発明は「半導体素子の配置予定領域内に配置された一部の外部端子部以外の外部端子部は、基板上であって、配置予定領域外に配置」されているのに対して、引用発明は半導体素子の配置予定領域外に外部端子が配置されていない点。また、配置予定領域外および配置予定領域内の外部端子部について、本願発明は「互いに平面方向に隣接する外部端子部同士の間に空間が形成されている」のに対して、引用発明にはその具体的な特定がされていない点。 (相違点2) 内部端子部について、本願発明は「平面形状は、略長円形状または略長方形状」であり、「配置予定領域内に配置された外部端子部と、配置予定領域外に配置された外部端子部との間に、矩形状に複数配置され、前記矩形状の角部に配置された各内部端子部は、その長手方向が、前記矩形状の辺に対して傾斜して配置」されているのに対して、引用発明はその具体的な特定がされていない点。 そこで、上記相違点について検討する。 ＜相違点1について＞ まず、「隣接する外部端子部同士の間に空間が形成されている」ことは、新たに補正された事項であるが、本願明細書において「空間」なる用語は定義されておらず、本願の図面に基づいて補正されたものであるから、単に「隣接する外部端子部同士が離れている」ことと認められる。そうすると、外部接続端子をそれぞれ離す(電気的な接触をさせない)ことは技術常識であり、当然に引用発明の(製造途中で除去される)銅箔上に形成された互いに離れた複数の外部接続端子部も同様の構成をなすものである。 そして、半導体装置において、外部端子部を半導体配置予定領域内のみに配置すること(ファンインタイプ)、外部端子部を半導体配置予定領域内および領域外に配置すること(ファンイン・ファンアウトタイプ)は、共に周知の配置手段であり、外部端子の数に応じて適宜設計し得ることである。なお、外部端子部を半導体配置予定領域内および領域外に配置する周知例として、例えば平成27年3月31日付け拒絶理由通知で引用した特開2007-266492号公報(以下、「引用例2」という。)、特開平11-163201号公報などが提示できる。よって、引用発明(ファンインタイプ)の外部接続端子部(本願発明の外部端子部に相当。)を、半導体配置予定領域内だけでなく領域外にも配置することは、当業者であれば容易になし得ることである。 したがって、引用発明の外部接続端子部(本願発明の外部端子部に相当。)の配置として周知技術を採用して相違点1の構成とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。 ＜相違点2について＞ 内部端子を「矩形状に配置」や「傾斜して配置」することは、本願明細書に記載されている事項ではなく、本願の図面を基に本願発明に加えられたもの(平成26年7月4日付け手続補正)であるから、その技術的意義についても何ら記載されていないものであるところ、引用例2の図10、図12、図13には、半導体配置予定領域内に配置された外部端子部と配置予定領域外に配置された外部端子部との間に、略長方形状のボンディング用ポスト204(本願発明の内部端子部に相当。)が一列に矩形状に並んでおり、矩形状の角部に配置されたボンディング用ポストは前記矩形状の辺に対して傾斜して配置していることが記載されているように、相違点2に係る事項は適宜採用し得る内部端子の構成(配置)に過ぎない。 したがって、引用発明の金めっき端子部(本願発明の内部端子部に相当。)の配置として、引用例2に記載された技術事項を採用して相違点2の構成とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。 そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 4.むすび 以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2015-07-22 |
| 結審通知日 | 2015-07-24 |
| 審決日 | 2015-08-04 |
| 出願番号 | 特願2012-166130(P2012-166130) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WZ
(H01L)
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| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 宮崎 園子 |
| 特許庁審判長 |
森川 幸俊 |
| 特許庁審判官 |
井上 信一 酒井 朋広 |
| 発明の名称 | 半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置、半導体装置用基板の製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| 代理人 | 永井 浩之 |
| 代理人 | 堀田 幸裕 |
| 代理人 | 大野 浩之 |
| 代理人 | 勝沼 宏仁 |