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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01H |
|---|---|
| 管理番号 | 1310464 |
| 審判番号 | 不服2015-1976 |
| 総通号数 | 195 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2016-03-25 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2015-02-02 |
| 確定日 | 2016-01-27 |
| 事件の表示 | 特願2013-138214号「レーザー加工法を使用するSMDおよび挿入実装ヒューズの製造」拒絶査定不服審判事件〔平成25年10月17日出願公開、特開2013-214527号〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
1 手続の経緯、本願発明 本願は、2008年12月29日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2007年12月29日 米国)を国際出願日とする特願2010-540918号の一部を平成25年7月1日に新たな特許出願としたものであって、平成26年9月26日付けで拒絶査定(発送日:同年9月30日)がされ、これに対し、平成27年2月2日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 そして、本願の各請求項に係る発明は、平成25年7月10日付けで補正された特許請求の範囲の請求項1?31に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうちの請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、次のとおりである。 「【請求項1】 回路保護装置を製造する方法であって、 対向する第1及び第2主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップと; 前記基板の第1主面に導電性エレメント層を直接的に結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップと; 前記導電性エレメント層を直接的に結合した後、直接的に結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板を破損することなく絶縁された前記基板の第1主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップと; 前記基板に直接的に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、直接的に結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップと; を備える回路保護装置を製造する方法。」 2 引用文献及びその記載事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開2001-167909号公報(以下「引用文献」という。)には、図面とともに次の事項が記載されている。 (1)「【0034】(実施の形態1)以下、本発明の実施の形態1について、図面を参照しながら説明する。 【0035】図1(a)は本発明の実施の形態1におけるヒューズ抵抗器の上面を透視した図、図1(b)は同ヒューズ抵抗器のB-B断面図である。 【0036】図1において、31はガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなる絶縁性の基板である。32は基板31の上面に設けられたパラジウム等からなる矩形状の活性化層である。なお、活性化層32は抵抗体33をめっきによって設ける場合、めっきの下地として必要であり、抵抗体33をめっき以外の方法で設ける場合は必要ない。33は基板31上の活性化層32を覆うように設けられたニッケル-リン、ニッケル-ボロン、ニッケル-リン-ボロン、ニッケル-リン-タングステン、ニッケル-リン-鉄、ニッケル-クロム、ニッケル-銅、ニッケル-銅-リン等の金属からなる抵抗体である。このとき、抵抗体33の形状は、活性化層32の形状と略同一である。34a,34bは抵抗体33の略中央部の側辺に、対向する辺をずらして設けられた相対向する略長方形の2つの欠除部である。34は2つの相対向する略長方形の欠除部34a,34bの間に設けられた抵抗体33における負荷集中部である。」 (2)「【0047】以上のように構成された本発明の実施の形態1におけるヒューズ抵抗器について、以下にその製造方法について説明する。 【0048】図4?図6は本発明の実施の形態1におけるヒューズ抵抗器の製造方法を示す工程図である。なお、図4、図5(a)(b)は上面図、図5(c)(d)、図6は斜視図になっている。 【0049】まず、図4(a)に示すように、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板51の上面に、個片に分割するための縦横の分割溝52を金型等により形成する。さらに、分割溝52を形成したシート状の基板51の上面に、パラジウム等からなる有機物バインダ、ガラスバインダ等のペーストを印刷後、約500℃で焼成して活性化層32を形成する。なお、活性化層32は、対向する辺をずらして設けられた相対向する略長方形の2つの欠除部34a,34b間に形成される負荷集中部34を有するようにパターン形成され、且つ分割溝52の横溝を跨がり、縦溝を跨がらないようになっている。また、分割溝52に囲まれた領域が1つのヒューズ抵抗器となる。さらに、負荷集中部34は活性化層32の略中央部に位置するようにする。 【0050】次に、図4(b)に示すように、シート状の基板51に形成された活性化層32を覆うように、無電解めっきによって抵抗体33を形成する。この無電解めっきには、ニッケル-リン、ニッケル-ボロン、ニッケル-リン-ボロン、ニッケル-リン-タングステン、ニッケル-リン-鉄、ニッケル-クロム、ニッケル-銅、ニッケル-銅-リン等のいずれかを含む金属を用いる。 【0051】このとき、活性化層32をめっきの下地として抵抗体33を設ける。従って、抵抗体33の形状は、活性化層32の形状と略同一になる。また、負荷集中部34は抵抗体33の欠除部34a,34bの間に設けられた部分なので、当然めっきで形成されることになる。 【0052】次に、図4(c)に示すように、抵抗体33の上面の両端部に隣接して抵抗体33と電気的に接続するように、銅、ニッケル等からなる金属皮膜をスパッタまたは真空蒸着して上面電極36を形成する。このとき、上面電極36は分割溝52の横溝を跨がり、且つ1つのヒューズ抵抗器となる領域において抵抗体33の上面の両端部に位置し、且つ連続しないように設ける。 【0053】次に、図4(d)に示すように、シート状の基板51の上面の抵抗体33に、抵抗値を調整するためのトリミング溝35a,35bを、レーザ等を用いて形成する。このとき、トリミング溝35a,35bの始端は抵抗体33の対向する側辺に設け、トリミング溝35a,35bは負荷集中部34を挟むように形成する。 【0054】次に、図5(a)に示すように、シート状の基板51に形成された少なくとも負荷集中部34(本図では図示せず)を覆うように鉛ガラスペーストや炭化しない難燃性の塗料等を印刷後、乾燥させて低融点物質層37を形成する。 【0055】次に、図5(b)に示すように、少なくとも低融点物質層37と抵抗体33(本図では図示せず)とを覆うようにエポキシ樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂等の絶縁難燃性の塗料を印刷・乾燥後、約150?200℃で硬化して、保護膜38を形成する。 【0056】次に、図5(c)に示すように、前工程で得られたシート状の基板51を短冊状になるように横溝で分割し、短冊状基板53を形成する。 【0057】次に、図5(d)に示すように、短冊状基板53の端面に上面電極36と電気的に接続するように、ニッケル-クロム、ニッケル-クロム-アルミナ等からなる金属皮膜をスパッタまたは真空蒸着して端面電極39を形成する。 【0058】次に、図6(a)に示すように、前工程で得られた短冊状基板53を縦溝で分割し、個片状のヒューズ抵抗器54にする。 【0059】次に、図6(b)に示すように、個片状のヒューズ抵抗器54の端面に端面電極39を覆うようにニッケルめっき層40を形成する。 【0060】最後に、図6(c)に示すように、ニッケルめっき層40を覆うようにはんだめっき層41を形成してヒューズ抵抗器を製造するものである。 ・・・(中略)・・・ 【0063】なお、本発明の実施の形態1では、活性化層32をパターン状に形成して抵抗体33の欠除部34a,34bを形成するように説明したが、抵抗体33を略長方形状に形成した後、エッチングやレーザトリミングによって抵抗体を除去することによって欠除部を形成しても同様の効果が見られる。」 (3)図1?6を参照すると、シート状の基板51は、対向する上面と下面とを有していること、及び、トリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成することにより、トリミング溝35a、35bを削除した形状の抵抗体33が形成されることが認められる。 上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用文献には、ヒューズ抵抗器の製造方法に関して、実施の形態1として、次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されている。 「対向する上面と下面とを有し、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板51の上面に、活性化層32を形成し、 活性化層32を覆うように、無電解めっきによって、ニッケル-リン、ニッケル-ボロン、ニッケル-リン-ボロン、ニッケル-リン-タングステン、ニッケル-リン-鉄、ニッケル-クロム、ニッケル-銅、ニッケル-銅-リン等のいずれかを含む金属を用いた、抵抗体33を形成し、 シート状の基板51の上面の抵抗体33に、抵抗値を調整するためのトリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成することにより、 トリミング溝35a、35bを削除した形状の抵抗体33が形成される、 ヒューズ抵抗器の製造方法。」 3 対比 本願発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「ヒューズ抵抗器」は、本願発明の「回路保護装置」に相当する。 以下、同様に「ヒューズ抵抗器の製造方法」は、「回路保護装置を製造する方法」に、 「ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板51」は、「電気的に絶縁された基板」に、 シート状の基板51の「上面」及び「下面」は、基板の「第1主面」及び「第2主面」に、 「活性化層32を覆うように、無電解めっきによって、ニッケル-リン、ニッケル-ボロン、ニッケル-リン-ボロン、ニッケル-リン-タングステン、ニッケル-リン-鉄、ニッケル-クロム、ニッケル-銅、ニッケル-銅-リン等のいずれかを含む金属を用いた、抵抗体33」は、「導電性エレメント層」に、 「シート状の基板51の上面の抵抗体33に、抵抗値を調整するためのトリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成する」ことは、「前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工」に、 「トリミング溝35a、35bを削除した形状の抵抗体33」は、「導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメント」に、それぞれ相当する。 引用発明では、「対向する上面と下面とを有し、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板51」に対して、抵抗体33の形成を行っているから、抵抗体33を形成する以前にシート状の基板51が供給されているといえる。したがって、引用発明は、本願発明の「対向する第1及び第2主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップ」に相当する構成を備える。 引用発明では、「シート状の基板51の上面に、活性化層32を形成し、活性化層32を覆うように、無電解めっきによって」抵抗体33を形成しているから、シート状の基板51は、抵抗体33の下に配置されることとなる。したがって、引用発明は、本願発明の「前記基板の第1主面に導電性エレメント層を結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップ」に相当する構成を備える。 引用発明では、「シート状の基板51の上面の抵抗体33に、抵抗値を調整するためのトリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成」しているところ、レーザによって、抵抗体33のトリミング溝35a、35bの部分は蒸発する。したがって、引用発明は、本願発明の「前記導電性エレメント層を結合した後、結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板の第1主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップ」に相当する構成を備える。 引用発明では、「シート状の基板51の上面の抵抗体33に、抵抗値を調整するためのトリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成することにより、トリミング溝35a、35bを削除した形状の抵抗体33が形成される」から、引用発明は、本願発明の「前記基板に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップ」に相当する構成を備える。 以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。 「回路保護装置を製造する方法であって、 対向する第1及び第2主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップと; 前記基板の第1主面に導電性エレメント層を結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップと; 前記導電性エレメント層を結合した後、結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板の第1主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップと; 前記基板に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップと; を備える回路保護装置を製造する方法。」 一方で、両者は次の点で相違する。 [相違点1] 基板の第1主面と導電性エレメント層との「結合」に関して、本願発明では「直接的に結合」しているのに対して、引用発明ではシート状の基板51の上面と抵抗体33との間に「活性化層32」が形成され、この「活性化層32」を介して結合しているから、直接的に結合とはいえない点。 [相違点2] 導電性エレメント層の一部をレーザー加工することに関して、本願発明では、「絶縁された前記基板を破損することなく」レーザー加工しているのに対して、引用発明では、トリミング溝35a、35bをレーザを用いて形成する際に、シート状の基板を破損しているかどうか不明である。 4 判断 上記相違点について検討する。 [相違点1]について 引用文献には、「なお、活性化層32は抵抗体33をめっきによって設ける場合、めっきの下地として必要であり、抵抗体33をめっき以外の方法で設ける場合は必要ない。」(前記「2(1)」の段落【0036】を参照。以下「引用文献記載の事項」という。)と記載され、抵抗体33をメッキ以外の方法で設ける場合は、活性化層32が必要ないことが記載されている。 すると、引用発明において、抵抗体33をめっき以外の方法で設けて、該活性化層32を設けないようにすることにより、本願発明の上記相違点1に係る構成とすることは、引用文献記載の事項から、当業者が容易になし得たことである。 なお、上記の「抵抗体33をメッキ以外の方法で設ける」こととしては、例えば、原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開2003-234057号公報の段落【0027】に記載されているように、スクリーン印刷やスパッタリングの方法がある。 [相違点2]について 導電性エレメントのレーザー加工の際に、導電性エレメントの下に配置される層が損傷されることは、本願優先日前に周知の課題であり、この損傷を防ぐことが当然に行われてきた。(以下「周知の事項」という。) 例えば、原査定において引用され本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭63-142605号公報(特に、1ページ左下欄10行?右下欄6行を参照。)には、膜抵抗体(上記「導電性エレメント」に相当。)のレーザートリミング(上記「レーザー加工」に相当。)の際に、下地の絶縁層(上記「導電性エレメントの下に配置される層」に相当。)に損傷を与える場合が多かったこと、及びこの防止のために、レーザー光の出力調整が検討されてきたことが記載されている。 また、同じく原査定において引用され本願優先日前に頒布された刊行物である特開2006-100679号公報(特に、段落【0013】、【0034】を参照。)には、ヒューズ素子や抵抗素子(上記「導電性エレメント」に相当。)にレーザ光を照射して切断又は変質させるレーザトリミング処理(上記「レーザー加工」に相当。)の実施時に、レーザ光が照射された絶縁膜やシリコン基板(上記「導電性エレメントの下に配置される層」に相当。)が損傷し、半導体装置の信頼性が低下するという問題があったこと、及び不具合を発生させないためにレーザパワーの強度の設定をしなければならなかったことが記載されている。 更に、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平4-279087号公報(特に、段落【0004】?【0006】、【0011】?【0014】及び図1?2を参照。)、特開平5-235169号公報(特に、段落【0001】?【0009】を参照。)、及び特開2007-530292号公報(特に、段落【0006】?【0007】、【0012】?【0013】、【0054】?【0056】及び図1A?図1Cを参照。)にも、同様の事項が記載されている。 ここで、上記周知の事項の「導電性エレメント」、「レーザー加工」及び「導電性エレメントの下に配置される層」は、引用発明の「抵抗体33」、「トリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成する」こと、及び「シート状の基板51」に、それぞれ相当する。 他方、本願発明の「破損」とは「やぶれ損ずること。こわれること。」(株式会社岩波書店 広辞苑第六版)であり、「損傷」を含む広義の用語である。 すると、引用発明において、抵抗体33に、トリミング溝35a、35bを、レーザを用いて形成する際に、シート状の基板の51の損傷を防ぐこと(本願発明の「基板を破損することなく」に相当。)により、本願発明の上記相違点2に係る構成とすることは、周知の事項から当業者が容易になし得たものである。 そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 以上のことから、本願発明は、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 5 むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2015-08-19 |
| 結審通知日 | 2015-08-25 |
| 審決日 | 2015-09-07 |
| 出願番号 | 特願2013-138214(P2013-138214) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(H01H)
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| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 岡崎 克彦 |
| 特許庁審判長 |
小柳 健悟 |
| 特許庁審判官 |
小関 峰夫 内田 博之 |
| 発明の名称 | レーザー加工法を使用するSMDおよび挿入実装ヒューズの製造 |
| 代理人 | 島田 哲郎 |
| 代理人 | 青木 篤 |
| 代理人 | 大橋 康史 |
| 代理人 | 伊藤 健太郎 |
| 代理人 | 前島 一夫 |
| 代理人 | 三橋 真二 |