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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1323110
審判番号 不服2015-7245  
総通号数 206 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2017-02-24 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2015-04-17 
確定日 2017-01-17 
事件の表示 特願2013- 44370「縦型JFET制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型JFET制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 5月23日出願公開、特開2013-102245、請求項の数(20)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成25年 3月 6日(遡及出願平成15年12月 4日パリ条約による優先権主張 2002年12月20日 (US)アメリカ合衆国 2003年10月30日 (US)アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審決日 2017-01-04 
出願番号 特願2013-44370(P2013-44370)
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 早川 朋一  
特許庁審判長 飯田 清司
特許庁審判官 深沢 正志
河口 雅英
発明の名称 縦型JFET制限型シリコンカーバイドパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタおよび縦型JFET制限型シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを製造する方法  
代理人 特許業務法人浅村特許事務所  

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