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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01C
管理番号 1327557
審判番号 不服2016-5072  
総通号数 210 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2017-06-30 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2016-04-06 
確定日 2017-04-27 
事件の表示 特願2013-242117「チップサーミスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成26年 2月20日出願公開、特開2014- 33241〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、2011年(平成23年)6月21日(パリ条約による優先権主張2010年6月24日 日本(JP))を国際出願日とする特願2012-521482号の一部を平成25年11月22日に新たな特許出願としたものであって、平成26年8月7日付けで拒絶理由が通知され、同年10月14日付けで手続補正がされたが、平成27年4月17日付けで拒絶理由が通知され、同年6月10日付けで意見書のみが提出されたが、平成28年1月4日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年4月6日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。

第2 本願発明
本願の請求項1ないし9に係る発明は、平成26年10月14日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項1ないし9に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は、以下のとおりである。

「 【請求項1】
金属酸化物を主成分とするセラミックスからなるサーミスタ部と、
金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つ前記サーミスタ部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、
前記サーミスタ部と前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備え、
前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成されており、
前記素体の長手方向における前記サーミスタ部の厚みは、前記素体の長手方向における長さの50%以下であることを特徴とするチップサーミスタ。」

1.引用例
(1)引用例1
原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第2004/0090733号明細書(以下、「引用例1」という。)には、「SINGLE LAYER CAPACITOR」について、図面とともに以下の記載がある。なお、当審で作成した日本語仮訳を併記した。また、下線は当審で付与した。

ア.「[0010] There is thus a need to provide a surface mountable single layer ceramic capacitor that may be easily assembled and inexpensively manufactured, and that has high capacitance and good structural strength. 」
(当審訳:「[0010] したがって、容易に組み立てられ、安価に製造することができ、かつ、高い静電容量及び良好な構造的強度を有する表面実装型単層セラミックコンデンサを提供する必要がある。」)

イ.「[0033] With reference to the drawings, in which like reference numerals are used to refer to like parts, FIG. 3A depicts in cross-sectional view a vertically-oriented, surface mountable, single layer capacitor 30 of the present invention. The standing or vertical capacitor 30 is provided having a vertically-oriented ceramic dielectric layer 32 with a metallization 34 , 36 on each of substantially opposed coplanar surfaces 32a, 32b of the dielectric layer 32 . As will be shown and described in further detail below, the metallizations 34 , 36 do not cover the entire area of coplanar surfaces 32a, 32b. Metal/ceramic composite end blocks 38 , 40 are adjacent respective metallizations 34 , 36 . Thereby, an internal face 38a, 40a of each end block 38 , 40 is in contacting relation with a respective metallization 34 , 36 . The remaining faces 38b, 40b of the end blocks 38 , 40 , referred to as the external faces, are coated with a conductive metal 42 . The coating 42 is provided by a plating technique, for example electroless plating, whereby the conductive metal preferentially plates to the composite end blocks due to the presence of the metal in the composite, which acts as seed points for the plating metal. The ceramic dielectric layer 32 does not receive the coating due to the absence of the metal within the material. The resulting capacitor 30 is shown in perspective view in FIG. 3B . Capacitor 30 has four-way symmetry that makes it possible to pick and place the capacitors mechanically without regard for the orientation, which allows the capacitor 30 to be positioned and soldered robotically. The end blocks 38 , 40 can be soldered using solder 44 directly to printed metal traces 11 , 12 on a pc board 10 . 」
(当審訳:「[0033] 図面を参照すると、同じ参照番号が同様の部分を指すために使用されており、図3Aは、本発明の垂直方向に配向され、表面実装可能な、単層コンデンサ30の断面図を示している。スタンディングまたは垂直コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有している。後述するように、メタライゼーション34、36は、同一面32a、32bの全領域は覆わない。金属/セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接する。コンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36と接する。これにより、各エンドブロック38、40の内側面38a、40aは、メタライゼーション34、36とそれぞれ接する関係にある。エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、外側面と呼ばれ、導電性金属42で被覆されている。コーティング42は、例えば無電解メッキ法のようなメッキ技術により設けられていることにより、導電性金属は、メッキ金属のためのシード点として機能するコンポジットの金属の存在に起因してコンポジットエンドブロックに優先的にメッキされる。セラミック誘電体層32は、材料内に金属が存在しないことに起因してコーティングされない。得られるコンデンサ30は、図3Bの斜視図に示されている。コンデンサ30は、4方向対称性を有しており、向きを気にせず機械的にコンデンサを取って配置することができ、これによりコンデンサ30をロボット的に位置決めしてハンダ付けすることが可能となる。エンドブロック38、40は、プリント回路基板10上にプリントされた金属トレース11、12にハンダ44を用いて直接ハンダ付けすることができる。」)

ウ.「[0035] In the embodiment depicted in FIGS. 3A and 3B , the end blocks 38 , 40 comprise a composite metal/ceramic material in which particles of conductive metal are dispersed in a ceramic matrix. The metal particles provide seed points for the electroplating process, drawing the conductive metal 42 to the end blocks 38 , 40 while allowing the ceramic gap 32 to remain un-coated. The metal particles may be in the form of a powder or flakes, for example. The powder or flakes are added to the ceramic, and the mixture is formed into a green-state tape or sheet, which may subsequently be assembled with the dielectric layer, diced, and hardened by cofiring the structure. Alternatively, the composite metal/ceramic material may comprise a ceramic powder wherein the particles are coated with the conductive metal, for example a ceramic coated with a palladium-silver alloy, and the coated powder is formed into a green-state tape or sheet, followed by assembly, dicing and firing. 」
(当審訳:「[0035] 図3Aおよび図3Bに示されている実施形態では、エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成される。金属粒子は、電気メッキプロセスのためのシード点をもたらし、導電性金属42をエンドブロック38、40に導きながら、セラミックギャップ32をコーティングしないままにする。金属粒子は、例えば、粉末またはフレークの形態を有していてもよい。粉末又はフレークは、セラミックに加えられ、混合物は未焼結状態のテープまたはシートに形成され、その後、誘電体層と組み合わせてダイシングし、構造体を焼成して硬化処理される。あるいは、コンポジット金属/セラミック材料は粒子が導電性金属で被覆されていることを特徴とするセラミック粉末、例えばパラジウム-銀合金で被覆されたセラミックを含むことができ、粉末コーティングし、未焼結状態のテープ又はシートに形成され、続いて、アセンブリされ、ダイシングされ、焼成される。」)

エ、「[0036] In the embodiment depicted in FIGS. 4A and 4B , the end blocks 38’, 40’ comprise a composite metal/ceramic material in which the particles of conductive metal are present in an amount sufficient to render the composite matrix conductive. In general, the matrix becomes conductive when the metal particles start to touch. Referring to FIG. 5 , the graph indicates that 100% ceramic is non-conductive and 100% metal is conductive. For composites between 100% ceramic and x % ceramic/y % metal, the metal content is insufficient to render the composite matrix conductive, but the metal will act as seed points for electroless plating of the end blocks 38 , 40 . For composites between x % ceramic/y % metal and 100% metal, the metal content is sufficient for the metal particles to touch each other, thereby rendering the composite matrix conductive. Electroplating is optional because end blocks 38’, 40’ are already conductive. The internal metallizations 34 , 36 are also optional because the conductive end blocks 38’, 40’ are capable of serving as the electrodes for the capacitor. 」
(当審訳:「[0036] 図4Aおよび図4Bに示される実施形態において、エンドブロック38'、40'は、コンポジットマトリックスを導電性にするのに十分な量の導電性金属の粒子を含むコンポジット金属/セラミック材料から構成される。一般的には、金属粒子が接触し始めるとマトリックスが導通状態となる。図5を参照すると、グラフは、100%セラミックが非導電性、100%金属が導電性であることを示している。100%セラミックからx%セラミック/y%金属の間のコンポジットは、コンポジットマトリックスを導電性にするには金属の含有量が不十分であるが、金属はエンドブロック38、40の無電解メッキのためのシード点として作用する。x%セラミック/y%金属から100%金属の間のコンポジットは、金属粒子が互いに接触するのに十分な金属含有量であり、それによって、コンポジットマトリックスが導電性となる。エンドブロック38'、40'は、既に導電性であるため電気メッキは任意である。導電性エンドブロック38'、40'は、コンデンサのための電極として機能することができるから、内部メタライゼーション34、36も任意である。」)

オ.「[0038] The conductive metal may be Ag, AgNO_(3) or AgCO_(3), for example. Alternatively, Cu and Ni and alloys thereof may be used, but these metal systems will generally require a reducing atmosphere. Pd, Pt, Au and alloys thereof may also be used, but these metal systems are generally more expensive than Ag-based systems. Advantageously, the ceramic material is an ultra-low firing ceramic, for example, one that fires around 900℃. An exemplary ceramic is a BaTiO_(3) based ceramic. The metals generally used for the conductive metal portion of the composite generally sinter around 800℃. such that the ultra-low firing ceramic materials will be most compatible with the metal portion. Regardless, the ceramic material must sinter below the melting point of the metal. Advantageously, the ceramic material in the composite is the same as the ceramic material used for dielectric layer 32. 」
(当審訳:「[0038] 導電性金属は、例えば、Ag、AgNO_(3)またはAgCO_(3)である。あるいは、Cu、Niおよびこれらの合金を用いることができるが、これらの金属系は、一般に、還元性雰囲気を必要とする。Pd、Pt、Auおよびこれらの合金も使用することができるが、これらの金属系は、Ag系よりも一般的に高価である。有利なことに、セラミック材料は、超低温焼成セラミック、例えば、温度が約900℃で焼成するものである。典型的なセラミックはBaTiO_(3)ベースのセラミックである。コンポジットの導電性金属部分に一般的に用いられる金属は、一般的に約800℃で焼結するので、超低温焼成セラミック材料は、金属部分と相性が良い。いずれにしても、セラミック材料は、金属の融点より低い温度で焼結しなければならない。有利なことに、コンポジットのセラミック材料は、誘電体層32に使用されるセラミック材料と同じである。」)

カ.「[0044] The method of the present invention provides an accurate, easy and inexpensive means for assembling a capacitor of the present invention. The method begins with all portions of the capacitor in the green state, i.e., the unfired state. One exemplary embodiment of the method of the present invention may be further understood with reference to the flowchart of FIG. 11 A and the perspective views of FIGS. 12A and 12B . FIG. 12A depicts the assembly of green sheets of material from which a plurality of capacitors may be formed by dicing and firing the sheets. The exemplary method is described with reference to the manufacture of capacitor 30 of FIGS. 3A and 3B . A green-state (unfired) ceramic sheet or tape 100 is provided to form the dielectric layer 32 . By way of example and not limitation, the ceramic tape 100 may be on the order of 2-5 mil thick. The top and bottom opposing faces 101 a, 101 b of the ceramic sheet 100 are metallized with a conductive metal capable of functioning as the electrodes for the capacitor chip. The metallizations may be provided in spaced strips 102 , 104 extending to opposing edges 106 , 108 of the dielectric sheet 100 depicted in FIG. 12A . The dielectric sheet 100 having the metallizations 102 , 104 on opposing faces 101 a, 101 b is placed upon a green-state (unfired) ceramic/metal composite sheet 110 such that the dimensions of the composite sheet 110 are substantially equal in length and width to the corresponding dimensions of the ceramic sheet 100 , and the two sheets are substantially aligned, as depicted in FIG. 12A . The metallizations 104 are in contact with the composite sheet 110 . A second green-state (unfired) ceramic/metal composite sheet 112 is then placed on the dielectric sheet 100 whereby metallizations 102 are in contact with the composite sheet 112 . Again, the composite sheet 112 has dimensions substantially equal to the ceramic sheet 100 and the sheets are aligned. Composite sheets 110 and 112 will form the end blocks 38 , 40 of capacitor 30 , which in this embodiment, do not contain sufficient metal content to render the matrix conductive. By way of example and not limitation, the composite sheets 110 , 112 may have a thickness on the order of 10-20 mil. By way of further example and not limitation, using 5×5×0.02 inch composite sheets, 40,000 capacitors having 20×20 mil square end blocks may be fabricated. 」
(当審訳:「[0044] 本発明の方法は、本発明のコンデンサを組み立てるための正確で容易かつ安価な手段を提供する。この方法は未焼結状態、すなわち、未焼成の状態でコンデンサのすべての部分で始まる。本発明の方法の1つの例示的な実施形態は、図11Aのフローチャート及び図12A及び図12Bの斜視図を参照して更に理解することができる。 図12Aは、シートをダイシングして焼成することにより複数のコンデンサを形成することができる材料の未焼結シートの組み立てを示す図である。図3Aおよび図3Bのコンデンサ30の製造を参照して、例示的な方法を説明する。未焼結状態(未焼成)セラミックシートまたはテープ100は、誘電体層32を形成する。例示であって限定するものではないが、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーであってよい。セラミックシート100の上部および下部の対向面101a、101bは、コンデンサチップ用電極として機能することができる導電性金属で金属化される。メタラーぜーションは、図12Aに示されている誘電体シート100の対向する縁部106、108まで延在する隔置されたストリップ102、104を設けてもよい。対向面101a、101bにメタライゼーション102、104を有する誘電体シート100は、未焼結状態(未焼成)セラミック/金属コンポジットシート110上に配置されるため、コンポジットシート110の寸法は、セラミックシート100の対応する寸法に長さと幅が実質的に等しく、2枚のシートは、図12Aに示すように、実質的に整列している。メタライゼーション104は、コンポジットシート110と接している。そして、誘電体シート100上に載置される第2の未焼結状態(未焼成)セラミック/金属コンポジットシート112のメタライゼーション102は、コンポジットシート112に接している。コンポジットシート112は、セラミックシート100と実質的に等しい寸法を有しており、シートは、整列されている。コンポジットシート110及び112は、キャパシタ30のエンドブロック38、40を形成し、この実施形態では、マトリックスを導電性にするのに十分な金属含有量を含まない。例示であって限定するものではないが、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さを有することができる。さらに非限定的な例として、5×5×0.02 inchのコンポジットシートを使用して、20×20 milの正方形のエンドブロックを有する40,000個のコンデンサを製造することができる。」)

・上記アによれば、容易に組み立てられ、安価に製造することができ、かつ、高い静電容量及び良好な構造的強度を有する表面実装型単層セラミックコンデンサに関するものである。

・上記イによれば、コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有し、金属/セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられるものである。

・上記ウによれば、エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成されるものである。

・上記エによれば、エンドブロック38'、40'は、コンポジット材料を導電性にするのに十分な量の導電性金属の粒子を含むコンポジット金属/セラミック材料から構成され、既に導電性であるため電気メッキは任意であり、また、コンデンサのための電極として機能することができるから、内部メタライゼーション34、36も任意である。

・上記オによれば、典型的なセラミックは、BaTiO_(3)ベースのセラミックであり、コンポジットのセラミック材料は、誘電体層32に使用されるセラミック材料と同じである。

・上記カによれば、未焼結状態(未焼成)セラミックシートまたはテープ100は、誘電体層32を形成し、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーとするものである。また、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さである。

以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例1には、次の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。

「コンデンサ30は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有し、金属/セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、誘電体層32に使用されるセラミック材料は、BaTiO_(3)ベースのセラミックであり、
エンドブロック38、40は、導電性金属の粒子をセラミックマトリックス中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成され、コンポジットのセラミック材料は、BaTiO_(3)ベースのセラミックであり、
エンドブロック38、40の残りの面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられ、
セラミックシートテープ100は、誘電体層32を形成し、セラミックテープ100は厚さ2-5 milのオーダーであり、コンポジットシート110、112は、10-20 milの厚さであるコンデンサ。」

(2)引用例2
原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平6-314602号公報(以下、「引用例2」という。)には、「セラミック電子部品」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。

カ.「【0002】
【従来の技術】従来よりよく知られたこの種のセラミック電子部品は、セラミック基体の相対する両端部に外部端子電極を設け、外部端子電極間にあるセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得る単板型であった。単板型のセラミック電子部品は、外部端子電極間のセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得るので、外部端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動する。また、セラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化した場合も、得られる電気的特性が変動する。」

キ.「【0007】
本発明のもう一つの課題は、外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供することである。」

ク.「【0009】
【作用】セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、少なくとも一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出される。内部電極間のセラミック層の電気的特性はセラミック基体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても変化しない。このため、セラミック素体の表面結晶状態が外部雰囲気や熱等の影響を受けて変化しても、安定した電気的特性を確保し得る。」

ケ.「【0011】
【実施例】図1は本発明に係るセラミック電子部品の正面断面図である。セラミック電子部品には、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサまたはバリスタ等が含まれる。図において、1はセラミック基体、21、22は内部電極、31、32は外部端子電極、41、42はリード導体である。
【0012】
セラミック基体1は、所要の電気的特性を有するセラミック層11を有している。セラミック層11は当該セラミック電子部品の種類に応じた電気的特性を有する。例えばNTCサーミスタを得る場合は負の抵抗温度特性を有するセラミック材料で構成され、PTCサーミスタを得る場合には正の抵抗温度特性を有するセラミック材料で構成され、コンデンサを得る場合はセラミック誘電体材料で構成され、バリスタを得る場合は電圧非直線性を有するセラミック材料によって構成される。NTCサーミスタを得る場合には、セラミック層11はMn、 Ni、 Co、Cu、 Al、 Fe、 CrまたはZrの少なくとも2種を含む化合物であるセラミック材料によって構成される。」

・上記カによれば、単板型のセラミック電子部品は、外部端子電極間のセラミック素体を利用して必要な電気的特性を得るので、外部端子電極形成工程において、外部端子電極間の距離が変動した場合、得られる電気特性、例えば抵抗値が変動するものである。

・上記キによれば、外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供するものである。

・上記クによれば、セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出されるものである。

・上記ケによれば、セラミック電子部品には、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサが含まれ、セラミック基体1は、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成されるものである。

以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例2には、次の技術事項が記載されている。

「外部端子電極間の距離が変動しても、安定した電気的特性を確保し得るセラミック電子部品を提供するために、セラミック基体は所要の電気的特性を有するセラミック層を有しており、一対備えられる内部電極のそれぞれは、セラミック層内において長さ方向に互いに間隔を隔てて対向しており、外部端子電極はセラミック基体の長さ方向の両側端面に互いに独立して付着されており、リード導体は内部電極の一つと外部端子電極の一つとを電気的に接続しているから、内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出されるものであって、
セラミック基体は、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成され、セラミック電子部品には、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサが含まれる」こと。

(3)引用例3
原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平9-260106号公報(以下、「引用例3」という。)には、「電子部品の製造方法」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。

サ.「【0013】
【発明の実施の形態】本発明による一つの実施の形態について、図1、図2にもとづいて詳細に説明する。セラミック電子部品素体として大きさが1.7×1.2×1.0mmのサーミスタ素体11を準備し、図1に示すように、サーミスタ素体11の一方の外部電極に相当する所定部分を電解めっき液中に浸漬して、Niめっきを行ってNi膜12を形成した。次に、Niめっきと同様にして、Ni膜12の表面にSnめっきを行って、Sn膜13を形成し、2層からなる一方の外部電極14を形成した。サーミスタ素体11の他方についても同様にサーミスタ素体11の所定部分を部分的に電解めっき液中に浸漬して、2層からなる他方の外部電極15を形成して電子部品10を得た。」

シ.「【0020】
さらに、セラミック電子部品素体として、サーミスタ素体を例にして説明をしたが、NTCサーミスタおよびPTCサーミスタを含み、これ以外にもコンデンサ、圧電体、磁性体、バリスタ、抵抗体等のセラミック電子部品素体に適用することができる。」

・上記サによれば、サーミスタ素子のNiめっきを行ってNi膜を形成し、Ni膜の表面にSnめっきを行って、Sn膜を形成し、外部電極を形成するものである。

・上記シによれば、セラミック電子部品素体として、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサを含むものである。

・図1ないし4によれば、サーミスタ素体11の両端部に外部電極14、15を形成し、外部電極14、15が形成されている箇所以外はめっき膜を有しない電子部品である。

以上の点を踏まえて、上記記載事項および図面を総合的に勘案すると、引用例3には、次の技術事項が記載されている。

「セラミック電子部品素体の両端部に外部電極を形成した電子部品において、セラミック電子素体として、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサを含む」こと。

4.対比
本願発明と引用発明とを対比する。
a.引用発明の「コンデンサ」は、セラミック誘電体層を有していることから、誘電体層32がセラミックスからなることは明らかであり、本願発明のセラミックスからなる「構成部」を有していることに相当する。さらに、引用発明の「セラミックス」は、誘電体層32に使用されるセラミック材料が、BaTiO_(3)ベースのセラミックであることを鑑みれば、本願発明の「金属酸化物を主成分とするセラミックス」であるといえる。
ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。

b.引用発明の「コンポジットエンドブロック38、40」は、導電性金属の粒子をセラミック基材中に分散させたコンポジット金属/セラミック材料から構成され、コンポジットのセラミック材料は、BaTiO_(3)ベースのセラミックであることを鑑みれば、本願発明の「金属及び金属酸化物を含む複合材料からな」る「一対のコンポジット部」に相当するといえる。また、引用発明の「コンポジットエンドブロック38、40」は、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にあるメタライゼーション34、36に隣接することから、本願の「金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる」構成部を「挟み込むように配置」されているといえる。
ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。

c.引用発明の「導電性金属42」により、エンドブロック38、40の残りの面38b、40bが被覆され、金属/セラミックコンポジットエンドブロック38、40は、それぞれメタライゼーション34、36に隣接し、誘電体層32の実質的に対向する同一面32a、32bの各々上にメタライゼーション34、36を有する垂直方向に配向されたセラミック誘電体層32を有すること、および、引用例1の図3A、図3Bに示されているようにコンデンサの素体の形状が略直方体であることを鑑みれば、引用発明の「導電性金属42」は、本願発明の「セラミックからなる」構成部と「前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極」を有しているといえる。
ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。

d.引用発明の「コーティング42」、すなわち、「導電性金属42」は、エンドブロック38、40の他面38b、40bは、導電性金属42により被覆されており、コーティング42は、メッキ技術により設けられることを鑑みれば、本願発明の「素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成され」ているといえる。

e.引用発明の誘電体層32の厚さが2-5 milのオーダーであり、コンポジットシート110、112の厚さが10-20 milであることを勘案すると、誘電体層32が素体の長手方向における厚みは、(誘電体層/(コンポジットシート+誘電体層+コンポジットシート)の比率を勘案すると、概ね4.8?20%であることから、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」の「厚みは、素体の長手方向における長さの50%以下である」であるといえる。
ただし、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明はコンデンサの「誘電体層」である点で相違する。

本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点で一致している。

<一致点>
「金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる構成部と、
金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり且つ前記構成部を挟み込むように配置される一対のコンポジット部と、
前記構成部と前記一対のコンポジット部とを含んで構成される略直方体形状の素体の長手方向の両端に形成されて、前記一対のコンポジット部それぞれに接続される外部電極と、を備え、
前記外部電極は、前記素体の一部を構成する前記コンポジット部に直接めっきされることにより形成され、
前記素体の長手方向における前記構成部の厚みは、前記素体の長手方向における長さの50%以下であることを特徴とするセラミック電子部品。」

他方、本願発明と引用発明は、以下の点で相違する。

<相違点>
金属酸化物を主成分とするセラミックスからなる「構成部」が、本願発明は、「サーミスタ部」であるのに対して、引用発明は「誘電体層」である点。

5.判断
上記相違点について検討する。
所要の電気的特性を有するセラミック層を一対の対向する電極で接続するセラミック電子部品において、セラミック電子部品の種類に応じた電気特性を有するセラミック材料によって構成することで、セラミック電子部品として、NTCサーミスタ、PTCサーミスタ、コンデンサ等を構成することは、例えば、引用例2(上記「1.(2)」 参照)、引用例3(上記「1.(3) 参照」)に記載されているように周知の技術事項であり、また、引用例1の[0036]、[0044]の記載を参酌すると、引用発明のコンデンサ構造において、コンデンサとして機能しているセラミック材料は誘電体層の部分であることを勘案すれば、セラミック電子部品の種類に応じた材料で構成することでコンデンサ、サーミスタ等に適用できるという周知の技術事項を引用発明のセラミック電子部品に適用し、誘電体層に代えてサーミスタとして機能するセラミック材料によりサーミスタ部を構成する相違点に係る構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。

なお、審判請求書において、審判請求人は、
「本願発明1では、
・一対のコンポジット部に挟み込まれるようにサーミスタ部が配置されている
という技術的事項が特徴となっています。
これに対し、引用発明1では、金属/セラミック化合物38,40の間に配置されているのはコンデンサ部32であって、サーミスタではありません。そもそも引用発明1は、あくまでも「コンデンサ」の発明に過ぎず、サーミスタを全く想定していない発明であって、本願発明1の上記技術的課題が全く導き出されないものです。 」

「本願発明1では、
・一対のコンポジット部に挟み込まれるように配置されたサーミスタ部の厚みが、素体の長さの50%以下である
という技術的事項が特徴となっています。
これに対し、引用発明1では、コンデンサ部32の厚みが、素体の長さの50%以下となっているに過ぎません。そもそも、上述したように、引用発明1においては、一対のコンポジット部に挟み込まれるように配置されたサーミスタ部が開示も示唆もされていない以上、当該サーミスタ部の厚みについても何ら開示も示唆もされていません。 」

「引用文献2、4、5には、当該引用文献2、4、5に記載された材料の置き換えを引用発明1においても適用してよいことは何ら記載も示唆もされておらず、この置き換えを引用発明1においても直ちに適用する動機付けはありません。よって、引用発明1に引用発明2、4、5を組み合わせる動機となり得る事項は全く存在せず、引用発明1に引用発明2、4、5を組み合わせること自体、当業者にとりましても容易に想到し得る事項ではありません。
また、仮に引用発明1における「コンデンサ部」を「サーミスタ部」に置き換えることが周知慣用技術であるとするならば、引用文献1においても当然その記載や示唆等があるはずと考えますが、引用文献1にはそのような記載も示唆も一切ありません。
・・・(中略)・・・
そうしますと、サーミスタを全く想定していない引用発明1に対して、サーミスタ特有の技術的事項を適用しようとすること自体が、事後分析的かつ非論理的思考に基づくものであり、引用発明1における「コンデンサ部」を「サーミスタ部」に置き換えることが当業者に容易になし得たとする審査官殿の論理付けは、いわゆる後知恵と言わざるを得ないと思料します。
・・・(中略)・・・
さらに、引用文献2、4、5には、外部電極に直接接続された素体部をコンデンサやサーミスタ等に置き換えてもよいことが記載されているに過ぎません。よって、仮に当業者が引用文献2、4、5に記載された技術を引用発明1に適用することができたとしても、外部電極に直接接続された「金属/セラミック化合物38,40」を置き換える構成に留まり、」

との主張をしている。

しかしながら、上記「5.判断」に記載したとおり、引用発明に周知技術を適用することで、引用発明のコンデンサの誘電体層をサーミスタを構成する材料にすることでサーミスタ部を構成することは当業者であれば容易に想到し得たことである。なお、引用発明と本願発明の技術的課題が異なる点を主張されているが、引用発明に周知技術を適用することで得られる構成は、技術的課題が異なっていたとしても、物の構成としてみれば結果的には本願発明と同じ構成となり、該構成による作用効果も当業者が予測できる範囲のものである。
また、例えば、引用例2の段落【0009】に、「内部電極間のセラミック層の電気的特性が、リード導体及び外部端子電極を介してそのまま引出される」と記載されているようにセラミック電子部品の電気的特性は内部電極間のセラミック層に起因するものである以上、コンデンサやサーミスタ等を構成する材料の置き換えは、セラミック電子部品の電気的特性を決める内部電極間のセラミック層の材料に適用されるものであると判断され、引用発明のコンデンサに引用例2に記載された技術事項を適用する場合には、コンデンサとして機能している誘電体層をサーミスタとして機能する材料に置き換えると考えるべきであり、審判請求人が主張しているような「金属/セラミック化合物38,40」を置き換える構成に留まるものとは考えられない。 したがって、審判請求人の主張は採用できない。

したがって、本願発明は、引用発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものである。
そして、本願発明の作用効果も、引用発明および周知の技術事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。

6.むすび
以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、引用例1に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
したがって、本願はその余の請求項に論及するまでもなく拒絶すべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2017-02-17 
結審通知日 2017-02-21 
審決日 2017-03-14 
出願番号 特願2013-242117(P2013-242117)
審決分類 P 1 8・ 121- Z (H01C)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 田中 晃洋▲吉▼澤 雅博多田 幸司  
特許庁審判長 酒井 朋広
特許庁審判官 安藤 一道
森川 幸俊
発明の名称 チップサーミスタ及びその製造方法  
代理人 三上 敬史  
代理人 黒木 義樹  
代理人 長谷川 芳樹  

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