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| 審決分類 |
審判 査定不服 特36条4項詳細な説明の記載不備 取り消して特許、登録(定型) C30B 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) C30B |
|---|---|
| 管理番号 | 1337738 |
| 審判番号 | 不服2016-13953 |
| 総通号数 | 220 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2018-04-27 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2016-09-16 |
| 確定日 | 2018-03-19 |
| 事件の表示 | 特願2012- 95592「GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成24年11月15日出願公開、特開2012-224539、請求項の数(17)〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願は、平成24年 4月19日(パリ条約による優先権主張 2011年 4月19日 (KR)大韓民国)の出願であって、その請求項1?17に係る発明は、平成28年9月16日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1?17に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2018-03-02 |
| 出願番号 | 特願2012-95592(P2012-95592) |
| 審決分類 |
P
1
8・
537-
WYF
(C30B)
P 1 8・ 536- WYF (C30B) |
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 塩谷 領大、山田 頼通 |
| 特許庁審判長 |
豊永 茂弘 |
| 特許庁審判官 |
大橋 賢一 中澤 登 |
| 発明の名称 | GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子 |
| 代理人 | 阿部 達彦 |
| 代理人 | 崔 允辰 |
| 代理人 | 木内 敬二 |
| 代理人 | 実広 信哉 |