拒絶査定不服の審決｜不服2017-3377 - 特許審決データベース

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審決分類	審判査定不服 2項進歩性特許、登録しない。 G09G 審判査定不服 1項3号刊行物記載特許、登録しない。 G09G
管理番号	1340514
審判番号	不服2017-3377
総通号数	223
発行国	日本国特許庁(JP)
公報種別	特許審決公報
発行日	2018-07-27
種別	拒絶査定不服の審決
審判請求日	2017-03-07
確定日	2018-05-15
事件の表示	特願2012-114306「画素ユニット回路及びOLED表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成24年12月10日出願公開、特開2012-242838〕について、次のとおり審決する。
結論	本件審判の請求は、成り立たない。
理由	第1 出願の経緯本願は、平成24年5月18日の出願(パリ条約に基づく優先権主張 2011年5月18日(以下、「優先日」という。) 中国)であって、平成28年2月12日付けで拒絶理由が通知され、平成28年5月18日付けで手続補正がなされたが、平成28年10月31日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成29年3月7日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。第2 平成29年3月7日付けの手続補正について平成29年3月7日付けの手続補正(以下、「本件補正」という。)は、本件補正前の請求項4に「第三のトランジスタ(21)のソース電極に接続される第四のトランジスタ」とあった記載を「第三のトランジスタ(21)のドレイン電極に接続される第四のトランジスタ」と補正し、本件補正前の請求項7に「第三のトランジスタ(21’)のソース電極に接続される第四のトランジスタ」とあった記載を「第三のトランジスタ(21’)のドレイン電極に接続される第四のトランジスタ」と補正するものである。そして、本件補正前の「第四のトランジスタ」に接続される「第三のトランジスタ」の電極が「ソース電極」ではなく「ドレイン電極」であることは、図6及び図16の記載より明らかである。よって、本件補正は、特許法第17条の2第5項第3号(誤記の訂正)に掲げる事項を目的とするものである。第3 本願発明本願の請求項1?10に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項1?10に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明1」)という)は、次のとおりのものである。「【請求項1】第一のサブ回路モジュール、第二のサブ回路モジュール、第一のコンデンサ及び有機発光表示ダイオードOLEDを備える画素ユニット回路において、第一のサブ回路モジュールの一方の入力端がデータラインに接続され、第一のサブ回路モジュールの他方の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され、第一のサブ回路モジュールの出力端と第二のサブ回路モジュールの入出力端は第一のコンデンサによって接続され、第二のサブ回路モジュールの入力端とOLEDの第二端との間にバックプレーンの正負電源の電圧差が印加され、前記第一のサブ回路モジュールは、前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力される電圧、又は前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力される電圧を選択して第一のコンデンサに出力するものであり、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は入力端となり、かつ、前記第二のサブ回路モジュールは入力された電圧を電流に変換してOLEDに供給し、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となることを特徴とする画素ユニット回路。」第4 引用例等 1 引用文献1 原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、米国特許出願公開第2009/0108763号明細書(以下、「引用例1」という。)には、図面とともに、次の事項が記載されている(下線は、当審で付与した。)。ア「[0002] 1. Field of the Invention [0003] Aspects of the invention relate to a pixel and an organic light emitting display using the same, and more particularly to a pixel capable of compensating for the threshold voltage of a transistor of the pixel and for deterioration of the pixel, and an organic light emitting display using the same. 」 (当審訳: [0002] 1. 発明の分野 [0003] 本発明の態様は、ピクセル回路と、それを用いた有機発光ディスプレイと、より詳細には、ピクセル回路のトランジスタのしきい値電圧およびピクセル回路の劣化を補償することができるピクセル回路と、それを用いた有機発光ディスプレイとに関する。) イ「[0010] Aspects of the invention relate to providing a pixel capable of compensating for a threshold voltage of a transistor of the pixel and preventing picture quality from deteriorating due to the deterioration of an organic light emitting diode of the pixel, and an organic light emitting display using the same.」 (当審訳: [0010] 本発明の態様は、ピクセル回路のトランジスタのしきい値電圧を補償し、ピクセル回路の有機発光ダイオードの劣化による画質劣化を防止することができるピクセル回路と、それを用いた有機発光ディスプレイの提供を目的とする。) ウ「[0011] According to an aspect of the invention, a pixel includes an organic light emitting diode (OLED) including an anode electrode, a cathode electrode, and a light emitting layer disposed between the anode electrode and the cathode electrode; a first transistor including a source coupled to a first power source line, a drain coupled to a first node, and a gate coupled to a second node; a second transistor including a source coupled to a data line, drain coupled to a third node, and a gate coupled to a first scan line; a third transistor including a source coupled to the first node, a drain coupled to the second node, and a gate coupled to a second scan line; a fourth transistor including a source coupled to the anode electrode, a drain coupled to the third node, and a gate coupled to the second scan line; a fifth transistor including a source coupled to a compensation power source line, a drain coupled to the third node, and a gate coupled to a third scan line; a sixth transistor including a source coupled to the first node, a drain coupled to the anode electrode, and a gate coupled to an emission control line; a first capacitor including a first electrode coupled to the first power source line, and a second electrode coupled to the second node; and a second capacitor including a first electrode coupled to the third node, and a second electrode coupled to the second node. 」 (当審訳: [0011] 本発明の一態様によれば、ピクセル回路は、アノード電極、カソード電極およびアノード電極とカソード電極との間に配置された発光層を含む有機発光ダイオード(OLED)と、第1の電源線、第1のノードに接続されたドレインおよび第2のノードに接続されたゲートに接続されたソースを含む第1のトランジスタと、データ線に接続されたソース、第3のノードに接続されたドレインおよび第1の走査線に接続されたゲートを含む第2のトランジスタと、第1のノードに接続されたソース、第2のノードに接続されたドレインおよび第2の走査線に接続されたゲートを含む第3のトランジスタと、前記アノード電極に接続されたソース、前記第3のノードに接続されたドレインおよび前記第2の走査線に接続されたゲートを含む第4のトランジスタと、補償電源線に接続されたソース、第3のノードに接続されたドレインおよび第3の走査線に接続されたゲートを含む第5のトランジスタと、第1のノードに接続されたソース、アノード電極に接続されたドレインおよび発光制御線に接続されたゲートを含む第6のトランジスタと、第1の電源線に接続された第1の電極および第2のノードに接続された第2の電極を含む第1のコンデンサならびに第3のノードに接続された第1の電極および第2のノードに接続された第2の電極を含む第2のコンデンサを含む。) エ「[0024] FIG. 2 is a circuit diagram of an organic light emitting display according to an aspect of the invention. Referring to FIG. 2 , the organic light emitting display includes a pixel unit 100 , a data driver 200 , and a scan driver 300 . The pixel unit 100 includes a plurality of pixels 101 , and each of the pixels 101 includes an organic light emitting diode (OLED) (not shown) that emits light having a brightness that depends on the magnitude of a current flowing in the OLED. In addition, 3n scan lines S 11 , S 12 , S 13 , S 21 , S 22 , S 23 , . . . , S(n-1) 1 , S(n-1) 2 , S(n-1) 3 , Sn 1 , Sn 2 , and Sn 3 for transmitting scan signals are formed in a row direction, n emission control lines E 1 , E 2 , . . . , E(n-1), and En for transmitting emission control signals are formed in the row direction, and m data lines D 1 , D 2 , . . . , D(m-1), and Dm for transmitting data signals are formed in a column direction. In addition, a first power source ELVDD and a second power source ELVSS provide power from the outside for driving the pixel unit 100 . Therefore, in the pixel unit 100 , driving currents that flow in the OLEDs of the pixels 101 are generated by the scan signals, the emission control signals, the data signals, the first power source ELVDD, and the second power source ELVSS so that the OLEDs of the pixels 101 emit light having a brightness that depends on the driving currents to display an image. [0025] As shown in FIG. 2 , three scan lines are coupled to one pixel 101 so that three scan signals are transmitted to the pixel 101 . When one scan signal is transmitted to the pixel 101 , the voltage drop of the OLED of the pixel 101 is compensated for. When another scan signal is transmitted to the pixel 101 , a threshold voltage of a transistor of the pixel 101 is compensated for. When still another scan signal is transmitted to the pixel 101 , a data signal is transmitted to the pixel 101 for use in generating a driving current for driving the OLED of the pixel 101 . Therefore, the driving current can be controlled according to the voltage drop of the OLED and the threshold voltage of the transistor.」 (当審訳: [0024] 図2は、本発明の一態様による有機発光ディスプレイの回路図である。図2を参照すると、有機発光ディスプレイは、ピクセル回路部100、データドライバ200および走査ドライバ300を含む。ピクセル回路部100は、複数のピクセル回路101を含み、各ピクセル回路101は、流れる電流の大きさに依存する輝度の光を発する有機発光ダイオード(OLED、図には示されていない)を含む。また、走査信号を送信するための3n本の走査線S11, S12, S13, S21, S22, S23, …, S(n-1)1, S(n-1)2, S(n-1)3, Sn1, Sn2, Sn3,が行方向に形成され、発光制御信号を送信するためのn本の発光制御線E1, E2,…,E(n-1), Enが行方向に形成され、データ信号を送信するためのm本のデータ線D1, D2,…,D(m-1), Dmが列方向に形成される。また、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSは、ピクセル回路部100を駆動するための電力を外部から供給する。したがって、ピクセル回路部100では、ピクセル回路101のOLEDに流れる駆動電流が走査信号、発光制御信号、データ信号、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSによって生成され、ピクセル回路101のOLEDが駆動電流に応じた輝度の光を発して画像を表示する。 [0025] 図2に示すとおり、3つの走査信号は、ピクセル回路101に送信されるように、1つのピクセル回路101に接続されている。1つの走査信号がピクセル回路101に送信されると、ピクセル回路101のOLEDの電圧降下が補償される。ピクセル回路101に別の走査信号が送信されると、ピクセル回路101のトランジスタのしきい値電圧が補償される。ピクセル回路101にさらに別の走査信号が送信されると、ピクセル回路101にデータ信号が送信され、ピクセル回路101のOLEDを駆動する駆動電流を発生する。したがって、OLEDの電圧降下およびトランジスタのしきい値電圧に応じて駆動電流を制御することができる。) オ「[0028] FIG. 3 is a circuit diagram of a pixel according to an aspect of the invention used in the organic light emitting display of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , a pixel includes a first transistor M 1 , a second transistor M 2 , a third transistor M 3 , a fourth transistor M 4 , a fifth transistor M 5 , a sixth transistor M 6 , a first capacitor C 1 , a second capacitor C 2 , and an organic light emitting diode OLED. FIG. 3 shows PMOS MOSFET transistors, but it is understood that other types of transistors may be used. [0029] The source of the first transistor M 1 is coupled to a first power source line ELVDD, the drain of the first transistor M 1 is coupled to a first node N 1 , and the gate of the first transistor M 1 is coupled to a second node N 2 . Therefore, the first transistor M 1 controls the magnitude of the driving current of the pixel that flows from its source to its drain in accordance with the voltage of the second node N 2 . [0030] The source of the second transistor M 2 is coupled to the data line Dm, the drain of the second transistor M 2 is coupled to a third node N 3 , and the gate of the second transistor M 2 is coupled to the first scan line Sn 1 . The second transistor M 2 transmits the data signal transmitted through the data line Dm to the pixel in accordance with the scan signal transmitted through the first scan line Sn 1 . [0031] The source of the third transistor M 3 is coupled to the first node N 1 , the drain of the third transistor M 3 is coupled to the second node N 2 , and the gate of the third transistor M 3 is coupled to the second scan line Sn 2 . The third transistor M 3 makes the voltages of the first node N 1 and the second node N 2 equal to each other in accordance with the scan signal transmitted through the second scan line Sn 2 so that the first transistor M 1 operates as a diode-connected transistor. [0032] The source of the fourth transistor M 4 is coupled to the anode electrode of the OLED, the drain of the fourth transistor M 4 is coupled to a first electrode of the second capacitor C 2 at the third node N 3 , and the gate of the fourth transistor M 4 is coupled to the second scan line Sn 2 . Therefore, the fourth transistor M 4 transmits a voltage drop of the OLED, i.e., a voltage between the anode electrode and the cathode electrode of the OLED when a current is flowing in the OLED, to the first electrode of the second capacitor C 2 at the third node N 3 in accordance with the scan signal transmitted through the second scan line Sn 2 . [0033] The source of the fifth transistor M 5 is coupled to a compensation power source line VDC, the drain of the fifth transistor M 5 is coupled to the third node N 3 , and the gate of the fifth transistor M 5 is coupled to the third scan line Sn 3 . Therefore, the fifth transistor M 5 transmits the voltage of the compensation power source line VDC to the third node N 3 in accordance with the scan signal transmitted through the third scan line Sn 3 . [0034] The source of the sixth transistor M 6 is coupled to the first node N 1 , the drain of the sixth transistor M 6 is coupled to the anode electrode of the OLED, and the gate of the sixth transistor M 6 is coupled to the emission control line En. Therefore, the sixth transistor M 6 transmits the driving current from the first transistor M 1 to the OLED in accordance with the emission control signal transmitted through the emission control line En. [0035] A first electrode of the first capacitor C 1 is coupled to the first power source line ELVDD, and a second electrode of the first capacitor C 1 is coupled to the second node N 2 to enable the first capacitor C 1 to maintain the voltage of the second node N 2 . [0036] The first electrode of the second capacitor C 2 is coupled to the third node N 3 , and a second electrode of the second capacitor C 2 is coupled to the second node N 2 so that the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 are connected in series at the second node N 2 to enable the voltage of the second node N 2 to be controlled in accordance with the voltage of the third node N 3 and the voltage-dividing effect of the series connection of the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . [0037] The OLED includes an anode electrode, a cathode electrode, and a light emitting layer disposed between the anode electrode and the cathode electrode to emit light when a current flows from the anode electrode to the cathode electrode. The brightness of the light emitted by the OLED varies in accordance with the magnitude of the current that flows in the OLED, thereby enabling the OLED to display gray scales.」 (当審訳: [0028] 図3は、図2の有機発光ディスプレイに用いられる本発明の一様態によるピクセル回路の回路図である。図3において、ピクセル回路は、第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4、第5のトランジスタM5、第6のトランジスタM6、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2および有機発光ダイオードOLEDを含む。図3はPMOS MOSFETトランジスタを示しているが、他のタイプのトランジスタを用いてもよいことは理解される。 [0029] 第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され、第1のトランジスタM1のドレインは第1のノードN1に接続され、第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続される。したがって、第1のトランジスタM1は、第2のノードN2の電圧に応じて、ソースからドレインへ流れるピクセル回路の駆動電流の大きさを制御する。 [0030] 第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され、第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され、第2のトランジスタM2のゲートは第1の走査線Sn1に接続される。第2のトランジスタM2は、第1の走査線Sn1を介して送信される走査信号により、データ線Dmを介してピクセル回路にデータ信号を送信する。 [0031] 第3のトランジスタM3のソースは第1のノードN1に接続され、第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のトランジスタM3のゲートは第2の走査線Sn2に接続される。第3のトランジスタM3は、第2の走査線Sn2を介して送信される走査信号により、第1のノードN1と第2のノードN2との電圧を等しくし、第1のトランジスタM1をダイオード接続トランジスタとして動作させる。 [0032] 第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され、第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードで第2のコンデンサC2に接続され、第4のトランジスタM4のゲートは第2の走査線Sn2に接続される。したがって、第4のトランジスタM4は、OLEDの電圧降下、すなわち電流がOLEDに流れているときのOLEDのアノード電極とカソード電極の間の電圧を、第2の走査線Sn2を介して送信される走査信号により、第3のノードN3の第2のコンデンサC2の第1の電極へ送信する。 [0033] 第5のトランジスタM5のソースは補償電源線VDCに接続され、第5のトランジスタM5のドレインは第3のノードN3に接続され、第5のトランジスタM5のゲートは第3の走査線Sn3に接続される。したがって、第5のトランジスタM5は、第3の走査線Sn3を介して送信される走査信号により、補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信する。 [0034] 第6のトランジスタM6のソースは第1のノードN1に接続され、第6のトランジスタM6のドレインはOLEDのアノード電極に接続され、第6のトランジスタM6のゲートは発光制御線Enに接続される。したがって、第6のトランジスタM6は、発光制御線Enを介して送信される発光制御信号により、第1のトランジスタM1からOLEDへ駆動電流を送信する。 [0035] 第1のコンデンサC1の第1の電極は第1の電源線ELVDDに接続され、第1のコンデンサC1の第2の電極は第2のノードN2に接続され、第1のコンデンサC1が第2のノードN2の電圧を維持する。 [0036] 第1のコンデンサC1および第2のコンデンサC2が第2のノードN2で直列に接続されることで、第2のノードN2の電圧が第3のノードN3の電圧および第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2の直列接続の分圧効果により制御されるように、第2のコンデンサC2の第1の電極は第3のノードN3に接続され、第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続される。 [0037] OLEDは、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に配置された発光層を有し、アノード電極からカソード電極へ電流が流れるときに発光する。OLEDが発する光の輝度は、OLEDに流れる電流の大きさに応じて変化し、これにより、OLEDはグレースケールを表示することができる。) カ「[0038] FIG. 4 is a timing diagram of the signals transmitted to the pixel of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , a pixel is coupled to three scan lines Sn 1 , Sn 2 , and Sn 3 . The scan signal transmitted through the first scan line Sn 1 is referred to as a first scan signal Sn 1 , the scan signal transmitted through the second scan line Sn 2 is referred to as a second scan signal Sn 2 , and the scan signal transmitted through the third scan line Sn 3 is referred to as a third scan signal Sn 3 . In addition, the data signal is transmitted to the pixel through the data line Dm, and the emission control signal en is transmitted to the pixel through the emission control line En.」 [0039] First, in a period T 1 , the second scan signal Sn 2 and the emission control signal en are in a low state so that the third transistor M 3 , the fourth transistor M 4 , and the sixth transistor M 6 are turned on. The third transistor M 3 being turned on causes the first transistor M 1 to operate as a diode-connected transistor so that a current flows from the first power source ELVDD to the OLED via the first transistor M 1 and the sixth transistor M 6 . At this time, due to the characteristic of the OLED, the current flowing in the OLED produces a voltage drop (hereinafter referred to as Vel) in the OLED that appears as a voltage on the anode electrode of the OLED. The voltage drop Vel is transmitted to the third node N 3 by the fourth transistor M 4 to initialize the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . [0040] In a period T 2 , the second scan signal Sn 2 is in a low state and the emission control signal is in a high state so that a current does not flow in the OLED. [0041] Since the second scan signal Sn 2 is in the low state in the period T 2 , the third transistor M 3 and the fourth transistor M 4 are still turned on. Since the third transistor M 3 is still turned on, the first transistor M 1 is still operating as a diode-connected transistor. The voltage between the source and the drain of a diode-connected transistor is equal to the threshold voltage of the transistor, plus a value that is a function of the current flowing through the transistor. Since the sixth transistor M 6 is turned off during the period T 2 because the emission control signal is in the high state, no current flows through the diode-connected first transistor M 1 during the period T 2 , such that the voltage between the source and the drain of the diode-connected first transistor M 1 during the period T 2 is equal to the threshold voltage of the first transistor M 1 . Therefore, the threshold voltage of the first transistor M 1 is transmitted to the second node N 2 during the period T 2 , thereby causing a voltage expressed by the following Equation 2 to be applied to the second node N 2 : where Vg is the voltage of the second node N 2 , ELVDD is the voltage of the first power source, and Vth is the threshold voltage of the first transistor M 1 . [0042] In a period T 3 , the fifth transistor M 5 is turned on by the third scan signal Sn 3 to transmit the voltage of the compensation power source line VDC to the third node N 3 so that the voltage of the third node N 3 becomes a voltage VDC. Therefore, the voltage of the second node changes from Vel to VDC. As the voltage of the third node N 3 changes, the voltage of the second node N 2 changes by an amount that is proportional to VDC-Vel in accordance with the voltage-dividing effect of the series connection of the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . Therefore, a voltage expressed by the following Equation 3 appears on the second node N 2 : [0043] In a period T 4 , the second transistor M 2 is turned on by the first scan signal Sn 1 to transmit a data signal received through the data line Dm to the third node N 3 so that the voltage of the third node N 3 becomes a voltage (hereinafter referred to as Vdata) of the data signal. Therefore, the voltage of the third node N 3 changes from VDC to Vdata. As the voltage of the third node N 3 changes, the voltage of the second node N 2 changes by an amount that is proportional to Vdata-VDC in accordance with the voltage-dividing effect of the series connection of the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . Therefore, a voltage expressed by the following Equation 4 appears on the second node N 2 : [0044] Equation 4 reduces to the following Equation 5: [0045] Finally, in a period T 5 , the sixth transistor M 6 is turned on by the emission control signal en so that a driving current flows through the OLED via the first transistor M 1 and the sixth transistor M 6 , thereby causing the OLED to emit light. The driving current flowing through the OLED is equal to a drain current Id of the first transistor M 1 , which is expressed by the following Equation 6: where βis a constant, Vgs is the gate-to-source voltage of the first transistor M 1 , and Vth is the threshold voltage of the first transistor M 1 . [0046] For a MOSFET, the constant βin Equation 6 is expressed by the following Equation 7: where βis a surface mobility of the first transistor M 1 , COX is a gate oxide capacitance per unit area of the first transistor M 1 , W is a gate width of the first transistor M 1 , and L is a gate length of the first transistor M 1 . [0047] The gate-to-source voltage Vgs in Equation 7 is the voltage difference between the gate voltage Vg of the first transistor M 1 , which, as can be seen from FIG. 3 , is the voltage of the second node N 2 that is expressed by Equation 5 above, and the source voltage Vs of the first transistor M 1 , which, as can be seen from FIG. 3 , is ELVDD. Thus, the gate-to-source voltage Vgs of the first transistor M 1 is expressed by the following Equation 8: [0048] Equation 8 reduces to the following Equation 9: [0049] Combining Equations 6 and 9 results in the following Equation 10: [0050] Equation 10 reduces to the following Equation 11: [0051] As can be seen from Equations 8, 10, and 11, the driving current Id that flows in the OLED is independent of the voltage ELVDD of the first power source and the threshold voltage Vth of the first transistor M 1 because the voltage ELVDD was canceled out in Equation 8, and the threshold voltage Vth was canceled out in Equation 10. In addition, as the OLED deteriorates, the voltage drop Vel changes, and the driving current Id that flows in the OLED can be controlled in accordance with the changed voltage drop Vel because the current voltage drop Vel is transmitted to the third node N 3 during the period T 1 each time the pixel is driven. Therefore, it is possible to compensate for the deterioration of the picture quality caused by the deterioration of the OLED.」 (当審訳: [0038] 図4は、図3のピクセル回路に送信される信号のタイミング図である。図4を参照すると、ピクセル回路は、3つの走査線Sn1、Sn2、Sn3に接続されている。第1の走査線Sn1を介して送信される走査信号を第1の走査信号Sn1、第2の走査線Sn2を介して送信される走査信号を第2の走査信号Sn2、第3の走査線Sn3を介して送信される走査信号を第3の走査信号Sn3と呼ぶ。また、データ信号はデータ線Dmを介してピクセル回路に送信され、発光制御信号enは発光制御線Enを介してピクセル回路に送信される。 [0039] 最初に、段階T1において、第2の走査信号Sn2および発光制御信号enがロー状態となり、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4および第6のトランジスタM6が作動する。第3のトランジスタM3が作動すると、第1のトランジスタM1がダイオード接続トランジスタとして作動し、第1のトランジスタM1および第6のトランジスタM6を介して、第1の電源ELVDDからOLEDへ電流が流れる。このとき、OLEDの特性により、OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じる。電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2を初期化する。 [0040] 段階T2では、第2の走査信号Sn2がロー状態であり、発光制御信号がハイ状態であるため、OLEDに電流が流れない。 [0041] 第2の走査信号Sn2は段階T2ではロー状態であるため、第3のトランジスタM3と第4のトランジスタM4は、作動状態のままである。第3のトランジスタM3が作動状態であるため、第1のトランジスタM1はダイオード接続トランジスタとして作動している。ダイオード接続トランジスタのソースとドレインとの間の電圧は、トランジスタのしきい値電圧およびトランジスタを流れる電流の関数となる値に等しい。段階T2においては(during the period T 2)発光制御信号がハイ状態であるため第6のトランジスタM6は作動しておらず、したがって段階T2ではダイオード接続の第1のトランジスタM1に電流は流れず、段階T2のダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなる。よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され、これにより、次式2で表される電圧が第2のノードN2に印加される。 (式2;省略) ここで、Vgは第2のノードN2の電圧、ELVDDは第1の電源の電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧である。 [0042] 段階T3において、第5のトランジスタM5は、第3の走査信号Sn3により作動され、補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がVDCとなるようにする。したがって、第2のノードの電圧は、VelからVDCに変化する。第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じて、VDC - Velに比例する量だけ変化する。したがって、第2のノードN2には、次式3で表される電圧が生じる。 (式3;省略) [0043] 段階T4において、第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がデータ信号の電圧(以下Vdataという)となるようにする。したがって、第3のノードN3の電圧はVDCからVdataに変化する。第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じてVdata - VDCに比例する分量だけ変化する。したがって、第2のノードN2には、次式4で表される電圧が生じる。 (式4;省略) [0044] 式4は、次式5に帰着する。 (式5;省略) [0045] 最後に、段階T5において、第6のトランジスタM6が発光制御信号enによって作動され、第1のトランジスタM1および第6のトランジスタM6を介してOLEDに駆動電流が流れ、OLEDが発光する。OLEDを流れる駆動電流は、第1のトランジスタM1のドレイン電流Idと等しく、次式6で表される。 (式6;省略) ここで、βは定数、Vgsは第1のトランジスタM1のゲート・ソース間電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧である。 [0046] MOSFETの場合、式6における定数βは、次式7で表される。 (式7;省略) ここで、βは第1のトランジスタM1の表面移動度、COXは第1のトランジスタM1の単位面積当たりのゲート酸化容量、Wは第1のトランジスタM1のゲート幅、Lは第1のトランジスタM1のゲート長である。 [0047] 式7のゲート・ソース間電圧Vgsは、図3から分かるとおり上記式5で表される第2のノードの電圧である第1のトランジスタM1のゲート電圧Vgと、同じく図3から分かるとおりELVDDである第1のトランジスタM1の電源圧Vsび電圧差である。したがって、第1のトランジスタM1のゲート・ソース間電圧Vgsは、次式8で表される。 (式8;省略) [0045] 式8は、次式9に帰着する。 (式9;省略) [0049] 式6と式9を組み合わせると、次の式10が得られる。 (式10;省略) [0050] 式10は、次式11に帰着する。 (式11;省略) [0051] 式8、10および11から分かるとおり、OLED中に流れる駆動電流Idは、第1の電源の電圧ELVDDと第1のトランジスタM1のしきい値電圧Vthと無関係である。これは式8で電圧ELVDDが相殺され、また、式8でしきい値電圧Vthが相殺されるためである。また、OLEDが劣化すると電圧降下Velが変化し、段階T1ではピクセル回路が駆動される毎に、電流電圧降下Velが第3のノードN3に送信されるため、OLEDに流れる駆動電流Idは、変化した電圧降下Velに応じて制御される。したがって、OLEDの劣化による画質劣化を補償することができる。) また、FIG.3には、「the OLED」(OLED)の「a cathode electrode」(カソード電極)が「ELVSS」に接続されていることが記載されている。 (引用発明1) 以上より、引用例1には、次の発明(以下、「引用発明1」という。)が記載されていると認められる(括弧内の段落は、認定の根拠とした段落である。)。「ピクセル回路のトランジスタのしきい値電圧およびピクセル回路の劣化を補償することができるピクセル回路([0003])であって、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSは、ピクセル回路部100を駆動するための電力を外部から供給し([0024])、ピクセル回路は、第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4、第5のトランジスタM5、第6のトランジスタM6、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2および有機発光ダイオードOLEDを含み([0028])、第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され、第1のトランジスタM1のドレインは第1のノードN1に接続され、第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続され([0029])、第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され、第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され、第2のトランジスタM2のゲートは第1の走査線Sn1に接続され([0030])、第3のトランジスタM3のソースは第1のノードN1に接続され、第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のトランジスタM3のゲートは第2の走査線Sn2に接続され([0031])、第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され、第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードで第2のコンデンサC2に接続され、第4のトランジスタM4のゲートは第2の走査線Sn2に接続され([0032])、第5のトランジスタM5のソースは補償電源線VDCに接続され、第5のトランジスタM5のドレインは第3のノードN3に接続され、第5のトランジスタM5のゲートは第3の走査線Sn3に接続され([0033])、第6のトランジスタM6のソースは第1のノードN1に接続され、第6のトランジスタM6のドレインはOLEDのアノード電極に接続され、第6のトランジスタM6のゲートは発光制御線Enに接続され([0034])、第1のコンデンサC1および第2のコンデンサC2が第2のノードN2で直列に接続され、第2のコンデンサC2の第1の電極は第3のノードN3に接続され、第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続され([0036])、 OLEDは、アノード電極と、カソード電極を有し([0037])、OLEDのカソード電極はELVSSに接続され(FIG.3)、最初に、段階T1において、第2の走査信号Sn2および発光制御信号enがロー状態となり、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4および第6のトランジスタM6が作動し、第3のトランジスタM3が作動すると、第1のトランジスタM1がダイオード接続トランジスタとして作動し、第1のトランジスタM1および第6のトランジスタM6を介して、第1の電源ELVDDからOLEDへ電流が流れ、このとき、OLEDの特性により、OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じ、電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2を初期化し([0039])、段階T2では、OLEDに電流が流れず([0040])、第3のトランジスタM3と第4のトランジスタM4は、作動状態のままであり、第3のトランジスタM3が作動状態であるため、第1のトランジスタM1はダイオード接続トランジスタとして作動しており、ダイオード接続トランジスタのソースとドレインとの間の電圧は、トランジスタのしきい値電圧およびトランジスタを流れる電流の関数となる値に等しく、段階T2においては(during the period T 2)発光制御信号がハイ状態であるため第6のトランジスタM6は作動しておらず、したがって段階T2ではダイオード接続の第1のトランジスタM1に電流は流れず、段階T2のダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなり、よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され、これにより、次式2で表される電圧が第2のノードN2に印加され、ここで、Vgは第2のノードN2の電圧、ELVDDは第1の電源の電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧であり([0041])、段階T3において、第5のトランジスタM5は、第3の走査信号Sn3により作動され、補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がVDCとなるようにし、したがって、第2のノードの電圧は、VelからVDCに変化し、第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じて、VDC - Velに比例する量だけ変化し、したがって、第2のノードN2には、次式3で表される電圧が生じ([0042])、段階T4において、第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がデータ信号の電圧(以下Vdataという)となるようにし、したがって、第3のノードN3の電圧はVDCからVdataに変化し、第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じてVdata - VDCに比例する分量だけ変化し、したがって、第2のノードN2には、次式4で表される電圧が生じ、 ([0043])、式4は、次式5に帰着し、 ([0044] )、最後に、段階T5において、第6のトランジスタM6が発光制御信号enによって作動され、第1のトランジスタM1および第6のトランジスタM6を介してOLEDに駆動電流が流れ、OLEDが発光し、OLEDを流れる駆動電流は、第1のトランジスタM1のドレイン電流Idと等しく、次式6で表され、ここで、βは定数、Vgsは第1のトランジスタM1のゲート・ソース間電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧である([0045])、ピクセル回路([0003])。」 (引用例2) 原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、米国特許出願公開第2009/0109150号明細書(以下、「引用例2」という。)には、図面とともに、次の事項が記載されている(下線は、当審で付与した。)。ア「[0002] 1. Field of the Invention [0003] Aspects of the invention relate to a pixel and an organic light emitting display using the same, and more particularly to a pixel capable of compensating for the threshold voltage of a transistor of the pixel and for deterioration of the pixel, and an organic light emitting display using the same.」 (当審訳: [0002] 1. 発明の分野 [0003] 本発明の態様は、ピクセル回路と、それを用いた有機発光ディスプレイと、より詳細には、ピクセル回路のトランジスタのしきい値電圧およびピクセル回路の劣化を補償することができるピクセル回路と、それを用いた有機発光ディスプレイに関する。) イ「[0024] FIG. 2 is a circuit diagram of an organic light emitting display according to an aspect of the invention. Referring to FIG. 2 , the organic light emitting display includes a pixel unit 100 , a data driver 200 , and a scan driver 300 . The pixel unit 100 includes a plurality of pixels 101 , and each of the pixels 101 includes an organic light emitting diode (OLED) (not shown) that emits light having a brightness that depends on the magnitude of a current flowing in the OLED. In addition, 3n scan lines S 11 , S 12 , S 13 , S 21 , S 22 , S 23 , . . . , S(n- 1 ) 1 , S(n- 1 ) 2 , Sn 2 , and Sn 3 for transmitting scan signals are formed in a row direction, n emission control lines E 1 , E 2 , . . . , E(n- 1 ), and En for transmitting emission control signals are formed in the row direction, and m data lines D 1 , D 2 , . . . , D(m- 1 ), and Dm for transmitting data signals are formed in a column direction. In addition, a first power source ELVDD and a second power source ELVSS provide power from the outside for driving the pixel unit 100 . Therefore, in the pixel unit 100 , driving currents that flow in the OLEDs of the pixels 101 are generated by the scan signals, the emission control signals, the data signals, the first power source ELVDD, and the second power source ELVSS so that the OLEDs of the pixels 101 emit light having a brightness that depends on the driving currents to display an image.」 (当審訳:[0024] 図2は、本発明の一態様による有機発光ディスプレイの回路図である。図2を参照すると、有機発光ディスプレイは、ピクセル回路部100、データドライバ200および走査ドライバ300を含む。ピクセル回路部100は、複数のピクセル回路101を含み、各ピクセル回路101は、流れる電流の大きさに依存する輝度の光を発する有機発光ダイオード(OLED、図には示されていない)を含む。また、走査信号を送信するための3n本の走査線S11, S12, S13, S21, S22, S23, …, S(n-1)1, S(n-1)2, Sn2, Sn3が行方向に形成され、発光制御信号を送信するためのn本の発光制御線E1, E2,…,E(n-1), Enが行方向に形成され、データ信号を送信するためのm本のデータ線D1, D2,…,D(m-1), Dmが列方向に形成される。また、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSは、ピクセル回路部100を駆動するための電力を外部から供給する。したがって、ピクセル回路部100では、ピクセル回路101のOLEDに流れる駆動電流が走査信号、発光制御信号、データ信号、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSによって生成され、ピクセル回路101のOLEDが駆動電流に応じた輝度の光を発して画像を表示する。) ウ「[0028] FIG. 3 is a circuit diagram of a pixel according to an aspect of the invention used in the organic light emitting display of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , a pixel includes a first transistor M 1 , a second transistor M 2 , a third transistor M 3 , a fourth transistor M 4 , a fifth transistor M 5 , a first capacitor C 1 , a second capacitor C 2 , and an organic light emitting diode OLED. FIG. 3 shows PMOS MOSFET transistors, but it is understood that other types of transistors can be used. [0029] The source of the first transistor M 1 is coupled to a first power source line ELVDD, the drain of the first transistor M 1 is coupled to a first node N 1 , and the gate of the first transistor M 1 is coupled to a second node N 2 . Therefore, the first transistor M 1 controls the magnitude of the driving current of the pixel that flows from its source to its drain in accordance with the voltage of the second node N 2 . [0030] The source of the second transistor M 2 is coupled to the data line Dm, the drain of the second transistor M 2 is coupled to a third node N 3 , and the gate of the second transistor M 2 is coupled to the first scan line Sn 1 . The second transistor M 2 transmits the data signal transmitted through the data line Dm to the pixel in accordance with the scan signal transmitted through the first scan line Sn 1 . [0031] The source of the third transistor M 3 is coupled to the first node N 1 , the drain of the third transistor M 3 is coupled to the second node N 2 , and the gate of the third transistor M 3 is coupled to the second scan line Sn 2 . The third transistor M 3 makes the voltages of the first node N 1 and the second node N 2 equal to each other in accordance with the scan signal transmitted through the second scan line Sn 2 so that the first transistor M 1 operates as a diode-connected transistor. [0032] The source of the fourth transistor M 4 is coupled to the anode electrode of the OLED, the drain of the fourth transistor M 4 is coupled to a first electrode of the second capacitor C 2 at the third node N 3 , and the gate of the fourth transistor is coupled to the third scan line Sn 3 . Therefore, the fourth transistor M 4 transmits a voltage drop of the OLED, i.e., a voltage between the anode electrode and the cathode electrode of the OLED when a current is flowing in the OLED, to the first electrode of the second capacitor C 2 at the third node N 3 in accordance with the scan signal transmitted through the third scan line Sn 3 . [0033] The source of the fifth transistor M 5 is coupled to the first node N 1 , the drain of the fifth transistor M 5 is coupled to the anode electrode of the OLED, and the gate of the fifth transistor M 5 is coupled to the emission control line En. Therefore, the fifth transistor M 5 transmits the driving current from the first transistor M 1 to the OLED in accordance with the emission control signal transmitted through the emission control line En. [0034] A first electrode of the first capacitor C 1 is coupled to the first power source line ELVDD, and a second electrode of the first capacitor C 1 is coupled to the second node N 2 to enable the first capacitor C 1 to maintain the voltage of the second node N 2 . [0035] The first electrode of the second capacitor C 2 is coupled to the third node N 3 , and a second electrode of the second capacitor C 2 is coupled to the second node N 2 so that the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 are connected in series at the second node N 2 to enable the voltage of the second node N 2 to be controlled in accordance with the voltage of the third node N 3 and the voltage-dividing effect of the series connection of the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . [0036] The OLED includes an anode electrode, a cathode electrode, and a light emitting layer disposed between the anode electrode and the cathode electrode to emit light when a current flows from the anode electrode to the cathode electrode. The brightness of the light emitted by the OLED varies in accordance with the magnitude of the current that flows in the OLED, thereby enabling the OLED to display gray scales. [0037] FIG. 4 is a timing diagram of the signals transmitted to the pixel of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , a pixel is coupled to three scan lines Sn 1 , Sn 2 , and Sn 3 . The scan signal transmitted through the first scan line Sn 1 is referred to as a first scan signal sn 1 , the scan signal transmitted through the second scan line Sn 2 is referred to as a second scan signal sn 2 , and the scan signal transmitted through the third scan line Sn 3 is referred to as a third scan signal sn 3 . In addition, the data signal is transmitted to the pixel through the data line Dm, and the emission control signal en is transmitted to the pixel through the emission control line En. [0038] First, in a period T 1 , the second scan signal sn 2 , the third scan signal sn 3 , and the emission control signal en are in a low state so that the third transistor M 3 , fourth transistor M 4 and the fifth transistor M 5 are turned on. The third transistor M 3 being turned on causes the first transistor M 1 to operate as a diode-connected transistor so that a current flows from the first power source ELVDD to the OLED via the first transistor M 1 and the fifth transistor M 5 . At this time, due to the characteristic of the OLED, the current flowing in the OLED produces a voltage drop (hereinafter referred to as Vel) in the OLED that appears as a voltage on the anode electrode of the OLED. The voltage drop Vel is transmitted to the third node N 3 by the fourth transistor M 4 to initialize the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . [0039] In a period T 2 , the second scan signal sn 2 and the third scan signal sn 3 are in a low state and the emission control signal is in a high state so that a current does not flow in the OLED. [0040] Since the second scan signal sn 2 is still in the low state in the period T 2 , the third transistor M 3 is still turned on, so that the first transistor M 1 is still operating as a diode-connected transistor. The voltage between the source and the drain of a diode-connected transistor is equal to the threshold voltage of the transistor, plus a value that is a function of the current flowing through the transistor. Since the fifth transistor M 5 is turned off during the period T 2 because the emission control signal is in the high state, no current flows through the diode-connected first transistor M 1 during the period T 2 , such that the voltage between the source and the drain of the diode-connected first transistor M 1 during the period T 2 is equal to the threshold voltage of the first transistor M 1 . Therefore, the threshold voltage of the first transistor M 1 is transmitted to the second node N 2 during the period T 2 , thereby causing a voltage expressed by the following Equation 2 to be applied to the second node N 2 : where Vg is the voltage of the second node N 2 , ELVDD is the voltage of the first power source, and Vth is the threshold voltage of the first transistor M 1 . [0041] In a period T 3 , the second transistor M 2 is turned on by the first scan signal sn 1 to transmit a data signal received through the data line Dm to the third node N 3 so that the voltage of the third node N 3 becomes a voltage (hereinafter referred to as Vdata) of the data signal. Therefore, the voltage of the third node N 3 changes from Vel to Vdata. As the voltage of the third node N 3 changes, the voltage of the second node N 2 changes by an amount that is proportional to Vdata-Vel in accordance with the voltage-dividing effect of the series connection of the first capacitor C 1 and the second capacitor C 2 . Therefore, a voltage expressed by the following Equation 3 appears on the second node N 2 : 」 (当審訳: [0028] 図3は、図2の有機発光ディスプレイに用いられる本発明の一態様によるピクセル回路の回路図である。図3において、ピクセル回路は、第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4、第5のトランジスタM5、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2および有機発光ダイオードOLEDを含む。図3はPMOS MOSFETトランジスタを示しているが、他のタイプのトランジスタも使用可能であることは理解される。 [0029] 第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され、第1のトランジスタM1のドレインは第1のノードN1に接続され、第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続される。したがって、第1のトランジスタM1は、第2のノードN2の電圧に応じて、ソースからドレインへ流れるピクセル回路の駆動電流の大きさを制御する。 [0030] 第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され、第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され、第2のトランジスタM2のゲートは第1の走査線Sn1に接続される。第2のトランジスタM2は、第1の走査線Sn1を介して送信される走査信号により、データ線Dmを介してピクセル回路にデータ信号を送信する。 [0031] 第3のトランジスタM3のソースは第1のノードN1に接続され、第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のトランジスタM3のゲートは第2の走査線Sn2に接続される。第3のトランジスタM3は、第2の走査線Sn2を介して送信される走査信号により、第1のノードN1と第2のノードN2との電圧を等しくし、第1のトランジスタM1をダイオード接続トランジスタとして動作させる。 [0032] 第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され、第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードN3の第2のコンデンサC2の第1の電極に接続され、第4のトランジスタのゲートは第3の走査線Sn3に接続される。したがって、第4のトランジスタM4は、OLEDの電圧降下、すなわち電流がOLEDに流れているときのOLEDのアノード電極とカソード電極の間の電圧を、第3の走査線Sn3を介して送信される走査信号により、第3のノードN3の第2のコンデンサC2の第1の電極へ送信する。 [0033] 第5のトランジスタM5のソースは第1のノードN1に接続され、第5のトランジスタM5のドレインはOLEDのアノード電極に接続され、第5のトランジスタM5のゲートは発光制御線Enに接続される。したがって、第5のトランジスタM5は、発光制御線Enを介して送信される発光制御信号により、第1のトランジスタM1からOLEDへ駆動電流を送信する。 [0034] 第1のコンデンサC1の第1の電極は第1の電源線ELVDDに接続され、第1のコンデンサC1の第2の電極は第2のノードN2に接続され、第1のコンデンサC1が第2のノードN2の電圧を維持する。 [0035] 第1のコンデンサC1および第2のコンデンサC2が第2のノードN2で直列に接続されることで、第2のノードN2の電圧が第3のノードN3の電圧および第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2の直列接続の分圧効果により制御されるように、第2のコンデンサC2の第1の電極は第3のノードN3に接続され、第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続される。 [0036] OLEDは、アノード電極、カソード電極およびアノード電極とカソード電極との間に配置された発光層とを有し、アノード電極からカソード電極へ電流が流れるときに発光する。OLEDが発する光の輝度は、OLEDに流れる電流の大きさに応じて変化し、これにより、OLEDはグレースケールを表示することができる。 [0037] 図4は、図3のピクセル回路に送信される信号のタイミング図である。図4を参照すると、ピクセル回路は、3つの走査線Sn1、Sn2、Sn3に接続されている。第1の走査線Sn1を介して送信される走査信号を第1の走査信号sn1、第2の走査線Sn2を介して送信される走査信号を第2の走査信号sn2、第3の走査線Sn3を介して送信される走査信号を第3の走査信号sn3と呼ぶ。また、データ信号はデータ線Dmを介してピクセル回路に送信され、発光制御信号enは発光制御線Enを介してピクセル回路に送信される。 [0038] 最初に、段階T1において、第2の走査信号sn2、第3の走査信号sn3および発光制御信号enがロー状態となり、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4および第5のトランジスタM5が作動する。第3のトランジスタM3が作動すると、第1のトランジスタM1がダイオード接続トランジスタとして作動し、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を介して、第1の電源ELVDDからOLEDへ電流が流れる。このとき、OLEDの特性により、OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じる。電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2とを初期化する。 [0039] 段階T2では、第2の走査信号sn2および第3の走査信号sn3がロー状態であり、発光制御信号がハイ状態であるため、OLEDに電流が流れない。 [0040] 第2の走査信号sn2は段階T2においてもロー状態であるため、第3のトランジスタM3は作動状態のままであり、したがって第1のトランジスタM1は引き続きダイオード接続トランジスタとして動作している。ダイオード接続トランジスタのソースとドレインとの間の電圧は、トランジスタのしきい値電圧およびトランジスタを流れる電流の関数となる値に等しい。段階T2においては発光制御信号がハイ状態であるため第5のトランジスタM5は作動しておらず、したがって段階T2ではダイオード接続の第1のトランジスタM1に電流は流れず、段階T2のダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなる。よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され、これにより、次式2で表される電圧が第2のノードN2に印加される。 (式2;省略) ここで、Vgは第2のノードN2の電圧、ELVDDは第1の電源の電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧である。 [0041] 段階T3において、第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がデータ信号の電圧(以下Vdataという)となるようにする。したがって、第3のノードN3の電圧はVelからVdataに変化する。第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じてVdata - Velに比例する分量だけ変化する。したがって、第2のノードN2には、次式3で表される電圧が生じる。 (式3;省略)) また、FIG.3には、「the OLED」(OLED)の「a cathode electrode」(カソード電極)が「ELVSS」に接続されていることが記載されている。よって、引用例2には、次の技術(以下、「引用例2に記載された技術」という。)が記載されているものと認められる(括弧内の段落は、認定の根拠とした段落である。)。「ピクセル回路のトランジスタのしきい値電圧およびピクセル回路の劣化を補償することができるピクセル回路であって([0003])、ピクセル回路は、第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4、第5のトランジスタM5、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2および有機発光ダイオードOLEDを含み([0028])、第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSは、ピクセル回路部100を駆動するための電力を外部から供給し([0024])、第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され、第1のトランジスタM1のドレインは第1のノードN1に接続され、第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続され([0029])、第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され、第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され、第2のトランジスタM2のゲートは第1の走査線Sn1に接続され([0030])、第3のトランジスタM3のソースは第1のノードN1に接続され、第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のトランジスタM3のゲートは第2の走査線Sn2に接続され([0031])、第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され、第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードN3の第2のコンデンサC2の第1の電極に接続され、第4のトランジスタのゲートは第3の走査線Sn3に接続され([0032])、第5のトランジスタM5のソースは第1のノードN1に接続され、第5のトランジスタM5のドレインはOLEDのアノード電極に接続され、第5のトランジスタM5のゲートは発光制御線Enに接続され([0033])、第1のコンデンサC1の第1の電極は第1の電源線ELVDDに接続され、第1のコンデンサC1の第2の電極は第2のノードN2に接続され([0034])、第2のコンデンサC2の第1の電極は第3のノードN3に接続され、第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続され([0035])、 OLEDは、アノード電極、カソード電極を有し([0036])、OLEDのカソード電極はELVSSに接続され(FIG.3)、最初に、段階T1において、第2の走査信号sn2、第3の走査信号sn3および発光制御信号enがロー状態となり、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4および第5のトランジスタM5が作動し、第3のトランジスタM3が作動すると、第1のトランジスタM1がダイオード接続トランジスタとして作動し、第1のトランジスタM1および第5のトランジスタM5を介して、第1の電源ELVDDからOLEDへ電流が流れ、このとき、OLEDの特性により、OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じ、電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2とを初期化し([0038])、段階T2では、第2の走査信号sn2および第3の走査信号sn3がロー状態であり、発光制御信号がハイ状態であるため、OLEDに電流が流れず([0039])、第2の走査信号sn2は段階T2においてもロー状態であるため、第3のトランジスタM3は作動状態のままであり、したがって第1のトランジスタM1は引き続きダイオード接続トランジスタとして動作しており、ダイオード接続トランジスタのソースとドレインとの間の電圧は、トランジスタのしきい値電圧およびトランジスタを流れる電流の関数となる値に等しく、段階T2においては発光制御信号がハイ状態であるため第5のトランジスタM5は作動しておらず、したがって段階T2ではダイオード接続の第1のトランジスタM1に電流は流れず、段階T2のダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなり、よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され、これにより、次式2で表される電圧が第2のノードN2に印加され、ここで、Vgは第2のノードN2の電圧、ELVDDは第1の電源の電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧であり([0040])、段階T3において、第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がデータ信号の電圧(以下Vdataという)となるようにし、したがって、第3のノードN3の電圧はVelからVdataに変化し、第3のノードN3の電圧が変化すると、第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じてVdata - Velに比例する分量だけ変化し、したがって、第2のノードN2には、次式3で表される電圧が生じる、 ([0041]) ピクセル回路([0003])。」 3 対比・判断ア引用発明1における「第2のトランジスタM2」、「第4のトランジスタM4」により構成され、「第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され、第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され、第2のトランジスタM2のゲートは第1の走査線Sn1に接続され」、「第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され、第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードで第2のコンデンサC2に接続され、第4のトランジスタM4のゲートは第2の走査線Sn2に接続され」る回路部分(以下、「回路部分ア」という。)が、本願発明1における「第一のサブ回路モジュール」に相当する。イ引用発明1における「第1のトランジスタM1」 , 「第3のトランジスタM3」 ,「第6のトランジスタM6 」及び「第1のコンデンサC1」により構成され、「第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され、第1のトランジスタM1のドレインは第1のノードN1に接続され、第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続され」、「第3のトランジスタM3のソースは第1のノードN1に接続され、第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され、第3のトランジスタM3のゲートは第2の走査線Sn2に接続され」、「第6のトランジスタM6のソースは第1のノードN1に接続され、第6のトランジスタM6のドレインはOLEDのアノード電極に接続され、第6のトランジスタM6のゲートは発光制御線Enに接続され」、「第1のコンデンサC1の第1の電極は第1の電源線ELVDDに接続され、第1のコンデンサC1の第2の電極は第2のノードN2に接続され」、「第2のコンデンサC2の第2の電極」が「第2のノードN2」に接続される回路部分(以下、「回路部分イ」という。)が、本願発明1における「第二のサブ回路モジュール」に相当する。ウ引用発明1における「第2のコンデンサC2 」及び「有機発光ダイオードOLED」が、それぞれ本願発明1における「第一のコンデンサ」及び「有機発光表示ダイオードOLED」に相当する。エ引用発明1における「ピクセル回路」は、「第1のトランジスタM1、第2のトランジスタM2、第3のトランジスタM3、第4のトランジスタM4」、「第6のトランジスタM6、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2および有機発光ダイオードOLEDを含」むから、上記「ア」?「ウ」を踏まえると、本願発明1における「第一のサブ回路モジュール、第二のサブ回路モジュール、第一のコンデンサ及び有機発光表示ダイオードOLEDを備える画素ユニット回路」に相当する。オ上記「ア」を踏まえると、引用発明1における回路部分アの「第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され」ることと、本願発明1における「第一のサブ回路モジュールの一方の入力端がデータラインに接続され」ていることとは、「第一のサブ回路モジュールの第一の入力端がデータラインに接続され」ている点で共通する。カ上記「イ」を踏まえると、引用発明1における回路部分イの「第6のトランジスタM6のドレイン」は「OLEDのアノード電極に接続され」ているから、本願発明1における「第二のサブ回路モジュールの出力端」に相当する。キ上記「ア」を踏まえると、引用発明1における「OLEDは、アノード電極と、カソード電極を有し」、引用発明1における回路部分アの「第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され」、引用発明1における回路部分イの「第6のトランジスタM6のドレインはOLEDのアノード電極に接続され」ることと、本願発明1における「第一のサブ回路モジュールの他方の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され」ることは、「第一のサブ回路モジュールの第二の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され」る点で共通する。ク引用発明1では、引用発明1における回路部分アの「第2のトランジスタM2のドレインは第3のノードN3に接続され」 ,「第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードN3の第2のコンデンサC2の第1の電極に接続され」ているから、引用発明1「第3のノードN3」が、本願発明1における「第一のサブ回路モジュールの出力端」に相当する。ケ引用発明1では、「第1のトランジスタM1のゲートは第2のノードN2に接続され」, 「第3のトランジスタM3のドレインは第2のノードN2に接続され」, 「第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続され」ている。よって、引用発明1における「第2のノードN2」は、回路部分イの「第1のトランジスタM1」のゲート入力であるとともに、「第3のトランジスタM3」のドレイン出力でもあるから、本願発明1における「第二のサブ回路モジュールの入出力端」に相当する。コ上記ケのとおり引用発明1における「第2のノードN2」は本願発明1における「第二のサブ回路モジュールの入出力端」に相当し、上記クのとおり引用発明1における「第3のノードN3」は本願発明1における「第一のサブ回路モジュールの出力端」に相当する。よって、引用発明1において、「第2のコンデンサC2の第2の電極は第2のノードN2に接続され」、引用発明1における回路部分アの「第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードで第2のコンデンサC2に接続され」ていることが、本願発明1における「第一のサブ回路モジュールの出力端と第二のサブ回路モジュールの入出力端は第一のコンデンサによって接続され」ていることに相当する。サ引用発明1における回路部分イの「第1のトランジスタM1のソース」は、「第1の電源線ELVDDに接続され」ているから、上記「イ」を踏まえると、本願発明1における「第二のサブ回路モジュールの入力端」に相当する。シ上記「イ」を踏まえると、引用発明1における「第1のトランジスタM1のソースは第1の電源線ELVDDに接続され」及び、「OLEDは、アノード電極と、カソード電極を有し」、「OLEDのカソード電極はELVSSに接続」され、「第1の電源ELVDDおよび第2の電源ELVSSは、ピクセル回路部100を駆動するための電力を外部から供給し」ていることが、本願発明1における「第二のサブ回路モジュールの入力端とOLEDの第二端との間にバックプレーンの正負電源の電圧差が印加され」ることに相当する。ス引用発明1における回路部分アの「第4のトランジスタM4のドレインは第3のノードで第2のコンデンサC2に接続され」ているから、引用発明1において「段階T1」において「OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じ、電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2を初期化し」、「段階T4」において、引用発明1における回路部分アの「第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し、第3のノードN3の電圧がデータ信号の電圧(以下Vdataという)となるようにし、」と、本願発明1における「前記第一のサブ回路モジュールは、前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力される電圧、又は前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力される電圧を選択して第一のコンデンサに出力するものであり、」とは、「前記第一のサブ回路モジュールは、前記第一のサブ回路モジュールの第一の入力端から入力される電圧、又は前記第一のサブ回路モジュールの第二の入力端から入力される電圧を選択して第一のコンデンサに出力するものであり、」の点で共通する。セ (ア)引用発明1では、「段階T4」において、「第2のトランジスタM2は、第1の走査信号Sn1により作動され、データ線Dmを介して受信したデータ信号を第3のノードN3に送信し」、「第2のノードN2の電圧は、第1のコンデンサC1と第2のコンデンサC2との直列接続の分圧効果に応じてVdata - VDCに比例する分量だけ変化し、したがって、第2のノードN2には、次式4で表される電圧が生じ」、続く「段階T5」で、「第6のトランジスタM6が発光制御信号enによって作動され、第1のトランジスタM1および第6のトランジスタM6を介してOLEDに駆動電流が流れ、OLEDが発光し、OLEDを流れる駆動電流は、第1のトランジスタM1のドレイン電流Idと等しく、次式6で表され、ここで、βは定数、Vgsは第1のトランジスタM1のゲート・ソース間電圧、Vthは第1のトランジスタM1のしきい値電圧である」とされている。 (イ)また、引用発明1における「段階T5」において、「第1のトランジスタM1のドレイン電流Id」が、「第2のノードN2の電圧」の電圧「Vg」と「ELVDD」との差電圧である「vgs」より、上記式(6)で決定されるドレイン電流を供給しているから、「第2のノードN2」が、「第1のトランジスタM1」への入力端になっていることは、明らかである。 (ウ)ここで、本願明細書段落【0032】には「【0032】図6に示す画素ユニット回路は、図7に示す制御信号波形に基づき、作業が以下の4つの段階に分ける。第1段階はプレチャージ段階である。図8に示すように、この段階では、SCANがハイレベルであり、EM及びEMBがローレベルである。この時、トランジスタ21、トランジスタ22、トランジスタ12及びトランジスタ23がオンされ、トランジスタ11がオフされ、コンデンサ3が放電され、NGスポットの電位はARVDD+VThPより小さく、VThPがP型TFTトランジスタ21の閾値電圧(VThP＜0)である。第2段階は補償段階である。図9に示すように、この段階では、SCANがハイレベルであり、EMBがローレベルであり,EMがハイレベルである。EMが高くなる瞬間で、トランジスタ21、トランジスタ22及びトランジスタ12がオンされ、トランジスタ11、トランジスタ23がオフされる。トランジスタ21がダイオード接続を形成し、NGスポットの電圧がARVDDにより充電されて段々ARVDD+VThPまで上昇してトランジスタ21をオフさせるとともに、OLED4がオフされ電流が流れなくなるまでNDスポットがOLED4により放電される。この時、ND電圧がVOLED_0、即ち、OLED4の閾値電圧になる。第3段階は演算段階である。図10に示すように、この段階では、SCANがローレベルであり、EM及びEMBがハイレベルである。トランジスタ21及びトランジスタ11がオンされ、トランジスタ22、トランジスタ12及びトランジスタ23がオフされる。この時、データラインの電圧がコンデンサ3のNDスポットに印加される。NGスポットには直流通路がないので、該スポットの電荷総量は、下式のように、段階2に対して不変すべきである。【数7】【数8】を得る。第4段階は保持発光段階、図11に示すように、この段階では、SCANがハイレベルであり、EMがローレベルであり、EMBがハイレベルである。トランジスタ21及びトランジスタ23がオンされ、トランジスタ22、トランジスタ11及びトランジスタ12がオフされる。この時、NGスポットの電圧がコンデンサ24に保存され、トランジスタ23がオンされた後、電流がOLED4に供給されてそれを発光させる。この時、トランジスタ21を流れる電流は、【数9】上記の式から分かるように、トランジスタ21を流れる電流はトランジスタ閾値電圧及びARVDDに関係ないので、本実施例における画素ユニット回路は、トランジスタ閾値電圧の不均一性及びIR Dｒｏｐの影響をほぼ除去した。」(下線は、当審で付与した。)と記載されている。よって、 a 本願発明1における「前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力された電圧を選択した場合」は、本願明細書段落【0032】における「第3段階」に対応し、 b 本願発明1における「前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は入力端となり、かつ、前記第二のサブ回路モジュールは入力された電圧を電流に変換してOLEDに供給し」は、本願明細書段落【0032】における「第4段階」に対応することがわかる。 (エ)そこで、引用発明1における上記(ア)(イ)の「段階T4」及びこれに続く「段階T5」と、上記本願明細書段落【0032】の上記記載との対応関係について検討すると、引用発明1における「段階T4」が本願明細書段落【0032】における「第3段階」に対応し、引用発明1において、該「段階T4」に続く「段階T5」が、本願明細書段落【0032】における「第4段階」に対応することがわかる。よって、上記(ウ)a、bより、引用発明1における「段階T4」と、これに続く「段階T5」とが、本願発明1における「前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は入力端となり、かつ、前記第二のサブ回路モジュールは入力された電圧を電流に変換してOLEDに供給し」に相当するといえる。カ引用発明1において、「段階T1」及び「段階T2」に亘り「第2の走査信号sn2」が「ロー状態」となり、回路部分アにおける「第4のトランジスタM4」「が作動」している段階と、本願発明1における「前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力された電圧を選択した場合」とは、「前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの第二の入力端から入力された電圧を選択し」ている状況の点で共通する。キ次に、引用発明1における「段階T2において」、「OLEDに電流が流れず」、回路部分イにおける「ダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなり、よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され」ることが、本願発明1における「前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となる」ことに相当する。よって、本願発明1と引用発明1との一致点及び相違点は、次のとおりである。 (一致点) 第一のサブ回路モジュール、第二のサブ回路モジュール、第一のコンデンサ及び有機発光表示ダイオードOLEDを備える画素ユニット回路において、第一のサブ回路モジュールの第一の入力端がデータラインに接続され、第一のサブ回路モジュールの第二の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され、第一のサブ回路モジュールの出力端と第二のサブ回路モジュールの入出力端は第一のコンデンサによって接続され、第二のサブ回路モジュールの入力端とOLEDの第二端との間にバックプレーンの正負電源の電圧差が印加され、前記第一のサブ回路モジュールは、前記第一のサブ回路モジュールの第一の入力端から入力される電圧、又は前記第一のサブ回路モジュールの第二の入力端から入力される電圧を選択して第一のコンデンサに出力するものであり、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの第一の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は入力端となり、かつ、前記第二のサブ回路モジュールは入力された電圧を電流に変換してOLEDに供給し、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの第二の入力端から入力された電圧を選択した状況で、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となることを特徴とする画素ユニット回路。」 (相違点1) 本願発明1では、第一のサブ回路モジュールの入力端は、「データラインに接続され」た「一方の入力端」及び「第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され」た「他方」の入力端であるのに対し、引用発明1では、回路部分アは、「第2のトランジスタM2のソースはデータ線Dmに接続され」、「第4のトランジスタM4のソースはOLEDのアノード電極に接続され」及び「第6のトランジスタM6のドレインはOLEDのアノード電極に接続され」ているが、さらに、「第5のトランジスタM5のソースは補償電源線VDCに接続され、第5のトランジスタM5のドレインは第3のノードN3に接続され、第5のトランジスタM5のゲートは第3の走査線Sn3に接続され」ているから、「補償電源線VDC」に接続された入力端である、「第5のトランジスタM5のソース」を備えている点。 (相違点2) 本願発明1では、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力された電圧を選択する「場合」(下線は、強調のため、当審で付与した。以下、同様。)、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となると表現されているのに対し、引用発明1では、「段階T1」及び「段階T2」に亘り「第2の走査信号sn2」が「ロー状態」となり、回路部分アにおける「第4のトランジスタM4」「が作動」している状況と、「OLEDに電流が流れず」、回路部分イにおける「ダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなり、よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され」ることとの関係が、「場合」との用語を用いて表現されていない点。 5 判断そこで上記相違点について検討すると (1)新規性についてア相違点1について本願発明1には「第一のサブ回路モジュール」についての特定事項として、「第一のサブ回路モジュールの一方の入力端がデータラインに接続され、第一のサブ回路モジュールの他方の入力端が第二のサブ回路モジュールの出力端及びOLEDの第一端に接続され、・・・前記第一のサブ回路モジュールは、前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力される電圧、又は前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力される電圧を選択して第一のコンデンサに出力するものであり、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの一方の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は入力端となり、かつ、前記第二のサブ回路モジュールは入力された電圧を電流に変換してOLEDに供給し、前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力された電圧を選択した場合、前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となる」と記載されている。ここで、上記記載は、「第一のサブ回路モジュール」について、「一方の入力端」、「他方の入力端」以外に、さらに他の入力端を備えていることを特段排除していない。そうであれば、引用発明1の回路部分アは、上記「4 対比」「オ」、「キ」で述べたととおり、本願発明1でいう、「一方の入力端」、「他方の入力端」に対応する構成を備えているのであるから、上記相違点1は実質的な相違点ではない。イ相違点2について引用発明1においては、 (ア)引用発明1の「段階T1」及び「段階T2」を通じて「第2の走査信号sn2」が「ロー状態」となり、第4のトランジスタM4」「が作動」している状況は、すなわち、本願発明1における「前記第一のサブ回路モジュールが前記第一のサブ回路モジュールの他方の入力端から入力された電圧を選択する場合」に相当する。 (イ)そして、引用発明1の「段階T1」において「OLEDに流れる電流により、OLED内に、OLEDのアノード電極に電圧として生じる電圧降下(以下、Velという)が生じ、電圧降下Velは、第4のトランジスタM4により第3のノードN3に送信され」、「段階T2」において、「OLEDに電流が流れ」ないよう「第6のトランジスタM6」を不作動としつつ、「ダイオード接続の第1のトランジスタM1のソースとドレイン間の電圧は、第1のトランジスタM1のしきい値電圧と等しくなり、よって、第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され」ることが、本願発明1における「前記第二のサブ回路モジュールの前記入出力端は出力端となる」ことに相当する。 (ウ)すると、引用発明1においても、「第2の走査信号sn2」が「ロー状態」となり、「第4のトランジスタM4」「が作動」している「場合」に、「第1のトランジスタM1のしきい値電圧は、段階T2で第2のノードN2に送信され」ていることになる。 (エ)したがって、上記相違点2は、表現上の差違に過ぎない。ウまとめ以上のとおり、本願発明1は、引用発明1と同一発明である。 (2)進歩性について仮に、上記相違点1について、本願発明1における上記「第一のサブ回路モジュール」は、「一方の入力端」及び「他方の入力端」のみを備えており、他の入力端を備えていることを排除していると解釈し、以下、本願発明1の進歩性についてさらに判断する。以下、(相違点1)について検討する((相違点2)が表現上の相違であり、実質的な相違点でないことは、上記「(1)」「イ」で述べたとおりである。)。ア引用発明1では、回路部分アが、「補償電源線VDC」を接続する入力端として「第5のトランジスタM5のソース」をさらに備えているが、式4 における2つのVDCの項は互いに打ち消しあって、VDCの項を含まない式5 に帰着することから明らかなように、引用発明1における「補償電源線VDC」の電圧VDCは、最終的にキャンセルされ、ピクセル回路の動作に影響しないものである。よって、引用発明1における「補償電源線VDC」、及び該「補償電源線VDC」を回路部分アに接続する入力端としての「ソース」を提供する「第5のトランジスタM5」は、適宜省略可能であることは、当業者にとって明らかなことである。イまた、引用例2に記載された技術には、「段階T2」、「段階T3」、及び式3 より明らかなように、引用発明1における「補償電源線VDC」と、「第5のトランジスタM5」とを備えておらず、引用発明1における「第5のトランジスタM5」が「第3の走査信号Sn3により作動され、補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信」する「段階T3」が省かれているが、かかる構成によっても、引用発明1における式5のVgを生成できることが示されている。このような事実からも、引用発明1において、「補償電源線VDC」及び、「ソース」を入力端として提供する「トランジスタM5」を回路部分アに設け、「補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信」する「段階T3」を備えるようにするか否かは、当業者が適宜選択すべき事項であるといえる。ウよって、引用発明1において、「第5のトランジスタM5は、第3の走査信号Sn3により作動され、補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信」する「段階T3」を省き、回路部分アが、「補償電源線VDC」、及び「ソース」を入力端として提供する「トランジスタM5」を用いないようにして、上記相違点1に係る本願発明1の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。エまた、本願発明1が上記相違点1に係る構成を採用したことによる作用効果も、引用発明1において、「補償電源線VDC」、及び「ソース」を入力端として提供する「トランジスタM5」を用いないようにし、「補償電源線VDCの電圧を第3のノードN3に送信」する「段階T3」を省いたことから予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。オしたがって、本願発明1は、引用発明1及び引用例2に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 (3)まとめ以上のとおり、本願発明1は、引用発明1と同一発明である。また、仮に、本願発明1が、引用発明1と同一発明ではないとしても、本願発明1は、引用発明1及び引用例2に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 6 むすび以上のとおり、本願発明1は、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。また仮に、特許法第29条第1項第3号に該当しないとしても、本願発明1は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。よって、結論のとおり審決する。
審理終結日	2017-11-28
結審通知日	2017-12-04
審決日	2017-12-21
出願番号	特願2012-114306(P2012-114306)
審決分類	P 1 8・ 121- Z (G09G) P 1 8・ 113- Z (G09G)
最終処分	不成立
前審関与審査官	小川浩史
特許庁審判長	中塚直樹
特許庁審判官	須原宏光清水稔
発明の名称	画素ユニット回路及びOLED表示装置
代理人	実広信哉
代理人	村山靖彦

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