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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1345792
審判番号 不服2017-14791  
総通号数 228 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2018-12-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2017-10-04 
確定日 2018-11-07 
事件の表示 特願2016- 4190「パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成28年 7月 7日出願公開、特開2016-122846〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は,平成25年(2013年)6月13日(パリ条約による優先権主張 外国庁受理 2012年6月14日(以下,左の日を「本願優先日」という。),米国)を国際出願日とする特願2015-517439号の一部を,平成28年1月13日に新たな出願としたものであって,その手続の経緯は以下のとおりである。
平成28年12月22日 拒絶理由通知
平成29年 3月14日 意見書・手続補正書
平成29年 3月15日 意見書・手続補正書
平成29年 6月 6日 拒絶査定
平成29年10月 4日 審判請求・手続補正書

第2 補正の却下の決定
[補正却下の決定の結論]
審判請求と同時にされた手続補正(以下,「本件補正」という。)を却下する。
[理由]
1 補正の内容
本件補正により,本件補正前の特許請求の範囲の請求項14は,本件補正後の請求項14へ補正された。
(1)本件補正前
本件補正前の,特許請求の範囲の請求項14の記載は次のとおりである。
「【請求項14】
パワーアンプモジュールであって,
基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと,
前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,10μmから50μmまでの範囲から選ばれた厚みと,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み,
前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え,前記ワイヤーボンドパッドは,前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と,前記拡散バリア層の上のバリア層と,前記バリア層の上のボンディング層とを含み,前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される,パワーアンプモジュール。」
(2)本件補正後
本件補正後の,特許請求の範囲の請求項14の記載は,次のとおりである。(当審注。補正個所に下線を付した。下記(3)も同じ。)
「【請求項14】
パワーアンプモジュールであって,
基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと,
前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,10μmから50μmまでの範囲から選ばれた厚みと,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み,
前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え,前記ワイヤーボンドパッドは,前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と,前記拡散バリア層の上の,0.03μmから0.15μmまでの厚みを有するバリア層と,前記バリア層の上のボンディング層とを含み,前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される,パワーアンプモジュール。」
(3)本件補正事項
本件補正は,請求項14に記載された「バリア層」について「0.03μmから0.15μmまでの厚みを有する」と限定する補正(以下,この補正事項を「本件補正事項」という。)を含むものである。
2 補正の適否
本件補正事項は,新規事項を追加するものではないから特許法17条の2第3項の規定に適合し,特許請求の範囲の減縮を目的とするから,同条4項の規定に適合し,同条5項2号に掲げるものに該当する。
そこで,本件補正後の請求項14に記載された発明(以下,「本願補正発明」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か(特許法第17条の2第6項で準用する同法第126条第7項)につき,さらに検討する。
(1)本願補正発明
本願補正発明は,本件補正後の請求項14に記載された,次のとおりのものと認める。(再掲)
「パワーアンプモジュールであって,
基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと,
前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,10μmから50μmまでの範囲から選ばれた厚みと,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み,
前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え,前記ワイヤーボンドパッドは,前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と,前記拡散バリア層の上の,0.03μmから0.15μmまでの厚みを有するバリア層と,前記バリア層の上のボンディング層とを含み,前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される,パワーアンプモジュール。」
(2)引用文献及び引用発明
ア 引用文献1について
(ア)引用文献1
原査定の拒絶の理由に引用された,本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開平9-213730号公報(以下,「引用文献1」という。)には,図面とともに,次の記載がある。(下線は,当審で付加した。以下同じ。)
a 「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯およびそれ以上の周波数帯で使用される高周波用モジュール基板,およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールに関するものである。」
b 「【0004】図6は図5のモジュール基板上に形成されたマイクロストリップラインの断面構造を示すものである。窒化アルミニウム基板上にタングステン/ニッケル/銅により線路が形成されている。さらにトランジスタチップを基板表面に実装し,ワイヤボンディングを行うため,表面には金メッキが必要とされる。表面の金メッキと下層金属の銅との密着性,およびワイヤボンディング時の表面の硬度を考慮して,ニッケルメッキを行った後,金メッキが行われる。
【0005】しかし,基板上にチップ部品を実装する時,半田と金が反応して,いわゆる半田の金食われが生じるため,表面の金メッキが多いと信頼性上問題となる。そのため金メッキ厚t5は1μm程度に制約される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では,金メッキの厚さは1μm程度と薄いけれども線路全体に金メッキがあるため,組立時にリフロー炉を通ることにより,部品直下の金だけでなく,周辺部の金にも半田が広がって反応していく。金メッキ層の厚みは1μm程度と薄いが,全ての線路に形成されているため金の絶対量が多く,半田と反応する金の量も多くなり,信頼性上好ましくない。
【0007】また,金メッキが全体に施されていると,練り半田を塗布する際に位置ズレが生じた場合,リフロー炉を通しても部品の位置ズレは修正されず,部品実装の精度が要求される。さらに,リフローの際,チップが動いて隣接したチップと接触してしまう虞がある。そのため,部品の実装密度も低下せざるを得ない。またチップの位置ズレが修正されないと,チップの実装位置のばらつきにより,特性のばらつきも大きくなってしまう。
【0008】本発明の目的は,表面の金メッキが施された領域を限定して金の量を少なくすることにより,半田の金食われを低減して信頼性を向上させ,さらに部品実装密度を上げて,小型化を可能にした高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供するものである。」
c 「【0012】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)図1(a)は第1の実施の形態の高周波電力増幅モジュールの1部分,(b)はその断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的な構成は,窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線路において,部品実装領域のみに金メッキが施されており,他の領域はレジストで覆われている点にある。
【0013】線路の構成としては,窒化アルミニウム基板5の表面にタングステン6がパターン形成されており,その上にニッケルメッキ7,さらに銅メッキ8が行われ,マイクロストリップラインが形成される。ここで,銅メッキ8は線路の抵抗を低減するため,またニッケルメッキ7は銅8とタングステン6との密着性を高めるために有効である。
【0014】さらに,表面にチップ実装を行うためには,銅メッキ8上にニッケル/金メッキが必要とされる。実装に必要な部分のみにニッケル/金メッキを形成するために,部品実装領域以外はレジスト11で覆っておく。そして,部品実装領域のみにニッケルメッキ9,金メッキ10を形成する。ここで,ニッケルメッキ9は銅8と金10の密着性を高めるため,およびワイヤボンディング時の表面の硬度を高めるために有効である。
【0015】このような構成にすることにより,線路全体に金メッキがある場合に比べ金メッキ10の量が少ないため,実装時に問題になる半田の金食われを低減し,信頼性を向上させることができる。また,部品実装領域以外はレジストで覆われているため,チップ部品を実装する際の位置ズレはリフロー炉を通ることにより修正され,実装不良が低減され,実装密度を上げることも可能となる。
【0016】また,高周波においては表皮効果が生ずるため,高周波電流は伝送線路の上下に集中する。上側の電流成分を考えた場合,電流は線路の表面近傍に集中するため,伝送損失は線路の表面層の抵抗に大きく依存する。マイクロ波帯では表皮の深さは数μm程度であり,上側の電流分布としては表面の金およびニッケルの部分に電流は集中する。しかし,低抵抗な金メッキ層はわずか1μm以下であり,残りの電流はニッケルメッキの部分を流れることになる。ニッケルは金や銅に比べると抵抗率が大きいため,伝送損失が大きくなってしまう。本発明の構成とすることにより,ニッケル9も部品実装領域にしか存在しないため,伝送線路での表面の電流分布は主に低抵抗な銅を流れることになり,線路全体での伝送損失も低減することができる。
【0017】図1では金メッキ10の下層導体の構造はタングステン6/ニッケル7/銅8/ニッケル9となっているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。また最後にレジスト11を除去することにより誘電体損を低減することができる。
【0018】(実施の形態2)図2(a)は第2の実施の形態の高周波電力増幅モジュールの1部分,(b)はその断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的な構成は,アルミナ基板上に形成された伝送線路において,部品実装領域のみに金メッキが施されており,他の領域はレジストで覆われている点にある。
【0019】アルミナ基板13上に銅8によりマイクロストリップ線路が形成されている。さらに,表面にはチップ実装を行うため,銅メッキ8上にニッケル9/金メッキ10が施されている。チップ実装に必要な部分のみに金メッキを形成するために,部品実装領域以外はレジスト11で覆っておく。そして,部品実装領域のみにニッケルメッキ9,金メッキ10を形成する。
【0020】このような構成にすることにより,線路全体に金メッキがある場合に比べ金メッキ10の量が少ないため,実装時に問題になる半田の金食われを低減することができる。さらに,実装不良を低減して,実装密度を上げることも可能となる。また,ニッケル9も部品実装領域にしか存在しないため,線路全体での伝送損失も低減することができる。
【0021】図2では金メッキの下層導体は銅/ニッケルとなっているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。また最後にレジストを除去することにより誘電体損も低減することができる。」
d 「【0031】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明により,組立実装時に問題になる半田の金食われを低減し,信頼性を向上することができる。また実装不良を低減して,部品の実装密度を上げて,小型化を可能にすることができる。さらに線路の伝送損失が低減され,モジュールの特性を向上させることができる。」
e 図2(a)及び(b)には,「アルミナ基板13」上にある「トランジスタチップ2」及び「トランジスタチップ2」と「マイクロストリップライン1」の幅広部とを結ぶ「ボンディングワイヤ3」が記載され,幅広部の表面には「ニッケル9/金メッキ10」が施されていること,「トランジスタチップ2」と幅広部との間の側面には「ニッケル9/金メッキ10」が施されていないこと,が記載されている,と認められる。

(イ)引用発明
前記(ア)より,引用文献1には,次の発明(以下,「引用発明」という。)が記載されていると認められる。
「高周波電力増幅モジュールであって,アルミナ基板上に銅によりマイクロストリップラインが形成され,その表面には部品実装領域のみにニッケル/金メッキを形成し,部品実装領域以外はレジストで覆っておき,アルミナ基板上にあるトランジスタチップ及びトランジスタチップとマイクロストリップラインの幅広部とを結ぶボンディングワイヤとを備え,幅広部の表面にはニッケル/金メッキが施され,トランジスタチップと幅広部との間の側面にはニッケル/金メッキが施されていないこと。」
イ 引用文献2について
(ア)引用文献2
原査定の拒絶の理由に引用された,本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開2009-228021号公報(以下,「引用文献2」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
a 「【0001】
発明の分野
本発明は,接続端子部の電導基材表面上に,ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成された電子部品に関する。また本発明は,このような電子部品の製造方法に関する。」
b 「【0002】
背景技術
半導体チップなどを搭載しうる電子部品として,パッケージや回路基板など種々のものが利用されている。この内,パッケージとしては,例えば,リードフレーム,BGA(ボール・グリッド・アレイ)などが挙げられる。従来より,このような電子部品では,その接合材として半田やワイヤーボンディングが用いられており,搭載される半導体チップとの接合や,パッケージをプリント配線板等に実装する際の接続端子との接合において,利用されている。例えば,リードフレームでは,半導体チップを搭載して,半導体チップの電極とリードフレームのインナーリードとの間にワイヤーボンディングを施す一方,アウターリードには半田が施される。
【0003】
このような電子部品の接合技術および実装技術としては,例えば,特開平9-8438号公報(特許文献1)に,リードフレームにおいて,端子基材である銅の表面上に,ニッケルめっき被膜,パラジウムめっき被膜,金めっき被膜を順に形成させることによって,ワイヤーボンディング及び半田接合端子における接合特性を向上させることが開示されている。
【0004】
また特開2006-083410号公報(特許文献2)には,半田付け部にニッケル,パラジウム,金の三層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において,パラジウム層と金層の厚みを特定の厚さの関係に保持することによって,半田濡れ性が良好な電子部品を形成できることが開示されている。
【0005】
一方で,本出願人らは,これまでに電子部品の端子部に使用可能であって,半田濡れ性に優れたパラジウムめっき液を複数提案してきた(例えば,特開2001-335986号公報(特許公報3),特開2001-335093号公報(特許公報4))。
【0006】
このように,これまでにも電子部品の接合技術として,接合部もしくは接続端子部の半田濡れ性向上の等の観点から,接合部等にめっき被膜を形成させる試みが種々なされてきた。
【0007】
しかしながら,パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請は依然として強い。このため,接合部分自体の薄膜化もしくは小面積化がさらに求められると同時に,さらなる薄膜化もしくは小型化がなされて接合部が高温の熱履歴を受けた場合であっても,良好な接合状態を実現できる接合部もしくは接続端子部が求められている。すなわち,従来よりもさらに厳しい条件下に置かれても,良好な接合状態を実現できる接合部もしくは接続端子部が求められているのである。したがって,製造効率の向上の観点からも,高温の熱履歴を受けても良好な接合を可能とする,耐熱性および半田濡れ性に優れた接合部もしくは接続端子部を形成することが依然として求められている。」
c 「【発明の具体的説明】
【0017】
電子部品
本発明による電子部品は,前記したように,接続端子部の電導基材表面上に,ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。
【0018】
一般的に,電子部品におけるめっき被膜の耐熱性向上のためには,熱負荷時に,電導基材表面のニッケルめっき被膜のニッケルや,下地である電導基材の主(ベース)金属(例えば,銅)が,めっき被膜の最表面層まで拡散し,表面に露出して,大気により酸化されることを防止することが望ましい。このようなニッケル等の金属の拡散を防止するためには,例えば,ニッケルめっき被膜上をさらに,パラジウムめっき被膜や,金めっき被膜で覆い,さらに必要に応じてこれらパラジウムめっき被膜や金めっき被膜を,ニッケル等の拡散をバリアするよう改良したり,それら被膜の厚み等を工夫したりすることが考えられる。しかしながら,このようなパラジウムめっき被膜や金めっき被膜に対する改良は,薄膜化という流れに必ずしも合致するとは言えず,一方で,パラジウムめっき被膜や金めっき被膜には,できるだけ純金属かそれに近いものを使用したいという需要者の強い要望があるという現実もある。
【0019】
本発明は,ニッケルめっき被膜の調製の際にニッケルめっき浴に単にゲルマニウムを加えることによって,ニッケルめっき被膜のニッケルや,下地である電導基材の主金属(例えば,銅)の,表面層への拡散を効果的に防止することに成功した。このことは,本発明者等が今回,予想外にも見出したことである。
【0020】
通常,本発明におけるニッケルめっき被膜は,ニッケルめっき浴にゲルマニウムを添加して,ニッケルめっきを行うことによって形成され,ニッケルめっき被膜中においてはゲルマニウムが共析していると考えられる。このようにニッケルめっき被膜中に存在するゲルマニウムには,ニッケルめっき被膜を覆う,パラジウムめっき被膜や金めっき被膜へのニッケルの拡散を防止もしくは遅延させる働きがあることがは今回分かった。また,下地である電導基材の主金属(例えば,銅)の表面層への拡散を抑えるバリア効果もあることも今回判明した。
なお以上でのニッケルめっき被膜中でのゲルマニウムの挙動は,理論的な仮定を含むものであり,このような仮定は本発明を限定するものではない。
【0021】
すなわち,本発明によれば,下層から順に,ニッケル(Ni)-パラジウム(Pd)-金(Au)の三層めっき被膜を形成させる場合に,パラジウムめっき層および金めっき層をそれぞれ純金属かそれに近いものとすることができる。これは需要者にとって望ましく受け入れやすい特性であり,このような構成を採用できることも本発明の特徴の一つであると言える。
【0022】
本発明の一つの好ましい態様によれば,本発明による電子部品は,前記ニッケルめっき被膜の表面上に,パラジウムめっき被膜または金めっき被膜が形成された,二層めっき構造を有する。ニッケルめっき被膜を,パラジウムめっき被膜または金めっき被膜が覆うことによって,酸化などの腐食等から保護することができ,耐熱性および半田濡れ性等の向上を図ることができる。
【0023】
本発明の一つのより好ましい態様によれば,本発明による電子部品は,前記ニッケルめっき被膜の表面上に,パラジウムめっき被膜が形成され,さらにその表面上に,金めっき被膜が形成された,三層めっき構造を有する(例えば,図1参照)。このような三層構造を有することにより,ニッケルめっき被膜を酸化などの腐食等から保護することができ,耐熱性および半田濡れ性等の向上を図ることができる。
【0024】
本発明の別の一つの好ましい態様によれば,本発明による電子部品は,ニッケルめっき被膜の厚みは,0.01?5μmであり,好ましくは0.01?3μm,より好ましくは0.05?2μm,さらに好ましくは0.1μm?1μm,さらにより好ましくは0.3μm?1μm,特に好ましくは0.5μm?1μmである。ニッケルめっき膜厚が,0.01μmより薄いと,ニッケルめっき被膜におけるニッケルの拡散抑止効果が低減し,また良好な耐熱性および半田濡れ性を確保することが困難となることがある。また,ニッケルめっき膜厚が,5μmより大きいと,コスト増につながると共に,製品の軽薄短小化,小型化を目指す観点からは望ましくない。」
d 「【実施例】
【0038】
以下本発明を実施例により説明するが,本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【0039】
実施例1
ここでは実際に,ニッケルめっき液を用いて電子部品に半田との接合部を形成して,半田濡れ性を評価した。
【0040】
(1) 評価サンプルの調製
まず,Cu合金系リードフレームを用いて,その接続端子部となる部分の表面上に,下記条件に従いニッケルめっき処理,パラジウムめっき処理,および,金めっき処理を順次施し,各めっき被膜を形成させ,これを評価サンプルとした。
なお,このような一般的なリードフレーム(Cu合金系リードフレーム)素材上に形成された三層めっき構造の概念図を示すと,図1の通りである。
(中略)
【0045】
なお各めっき処理は,めっき膜厚がそれぞれニッケル 1μm,パラジウム 0.01μm,および金 0.007μmとなるように行った。
また上記で作成した評価サンプルにおいて,ニッケルめっき処理におけるニッケル浴のゲルマニウムの含有量0,1,10,50,100,1000ppmとした場合に得られたサンプルをそれぞれ,評価サンプル1(比較例),評価サンプル2?6(本発明)とした。
(中略)
【0060】
実施例3
実施例1において調製したサンプル1およびサンプル5を用いて,これらに大気中で400℃,30秒の条件の加熱処理を施した後,これらの三層めっき被膜におけるニッケル層からのニッケル拡散の挙動を,X線光電子分光装置(XPS)(日本電子株式会社製,JPS-9010MX)を用いて,深さ方向の分析を行った結果(depthプロファイル)を測定した。
なお前記したように,サンプル1(比較例)は,Cu合金系リードフレームの電導基材(銅ベースの金属)上に,ゲルマニウム不含のニッケルめっき被膜(膜厚 1μm)と,パラジウムめっき被膜(膜厚 0.01μm)と,金めっき被膜(膜厚 0.007μm)とが順に形成されたものである。またサンプル5(本発明)は,ニッケルめっき被膜にゲルマニウムが0.83重量%含有されている以外は,サンプル1と同様である。
【0061】
結果は図6(サンプル1(比較例)の結果)および図7(サンプル5(本発明)の結果)に示される通りであった。
【0062】
なお,図は横軸が三層めっき被膜の表層からの深さに相当し,縦軸がその深さにおける,ニッケル,パラジウム,金の各含有割合を示す。したがって,三層めっき被膜を,仮に加熱処理を施さずに測定したとすれば,depthプロファイルのグラフでは,横軸の値の小さい側(すなわち,めっき被膜の表層側)から順に,金がまず多く見られ,次いで表層から深くなるにつれて,パラジウムが多く見られるようになり,さらに深くなると,ニッケルが多く見られるようになる。図6および7はこのような観点で見ることができる。
【0063】
図6では,ニッケルめっき被膜がゲルマニウム不含であることから,ニッケル層からのニッケルのパラジウム層や金層への拡散が起きていることが確認できた。すなわち,三層めっき被膜の表層およびそれに近いあたりから,既にニッケルの存在が確認できた。このことは,加熱処理によりニッケルが,より表層に近い,パラジウム層および金層にまで拡散しており,最表面においてもニッケルが析出していることを意味する。
【0064】
一方,図7は,図6に比べるとそのプロファイルは大きく異なっている。図7では,表層およびそれに近い段階ではニッケルはほとんど観察されず,パラジウム層が終わるあたりからようやくニッケルが観察された。すなわち,図7のサンプル5(本発明)の場合には,ニッケルめっき被膜よりも表面に近い層へのニッケルの大幅な拡散はほとんど認められなかった。このことは,ニッケルめっき被膜がゲルマニウムを含有することによって,より表層へのニッケルの拡散が抑制されたことを意味する。」
(イ)引用技術的事項2
前記(ア)より,引用文献2には,次の技術的事項(以下,「引用技術的事項2」という。)が記載されていると認められる。
「パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請によりワイヤーボンディングによる接合部分自体の薄膜化が求められていることから,金属の拡散を防止するために,ニッケルめっき浴にゲルマニウムを加えたニッケルめっき被膜の表面上に,パラジウムめっき被膜が形成され,さらにその表面上に,金めっき被膜が形成された,三層めっき構造。」
ウ 引用文献3について
(ア)引用文献3
原査定の拒絶の理由に引用された,本願優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった,国際公開第2008/093626号(以下,「引用文献3」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
a 「【技術分野】
[0001] この発明は,ワイヤボンディングによって実装基板やパッケージ基板などに実装されるチップ素子に関する。」
b 「[0030] ガラス層20の2つの開口22A,22B内には,開口22A,22B下の主面電極12と導通するボンディング用電極21A,21Bを設けている。これらのボンディング用電極21A,21Bは複数のメッキ層を形成したものである。具体的には,主面電極12と導通する最下層に,ニッケルを主成分とする約3μm厚のニッケルメッキ層を無電解メッキにより形成し,ニッケルメッキの上層に,パラジウムを主成分とする約0.1μm厚のパラジウムメッキ層を無電解メッキにより形成し,パラジウムメッキの上層に,金ワイヤ50A,50Bとの接続性を高めるために金を主成分とする約0.1μm厚の金メッキ層を無電解メッキにより形成している。ここではニッケルメッキ層が本発明の下地メッキ層である。なお,ここでは下地メッキ層としてニッケルメッキ層を設けるとともに,主面電極12に対して触媒等を用いて適切な表面処理を施すことで,主面電極12とニッケルメッキ層との間にメッキ性を与える。なお,下地メッキ層および主面電極は,良好なメッキ性が得られるような成分であれば好適であり,上記パラジウムメッキ層は除いてもよく,パラジウムメッキ層に替えて他のメッキ層を設けてもよい。ここで用いた各メッキ層の主成分は,いずれもガラス層20に対してメッキ性がないものであるが,ガラス層20に対してメッキ性がないものであれば他のどのような主成分を用いてもよい。」
(イ)引用技術的事項3
前記(ア)より,引用文献3には,次の技術的事項(以下,「引用技術的事項3」という。)が記載されていると認められる。
「ボンディング用電極は複数のメッキ層を形成したものであり,最下層にニッケルを主成分とする約3μm厚のニッケルメッキ層を無電界メッキにより形成し,ニッケルメッキの上層に,パラジウムを主成分とする約0.1μm厚のパラジウムメッキ層を無電界メッキにより形成し,パラジウムメッキの上層に,金を主成分とする約0.1μm厚の金メッキ層を無電界メッキにより形成すること。」
エ 引用文献4について
原査定に引用された,本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開平7-46007号公報(以下,「引用文献4」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
(ア)「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は,アナログ用あるいはデジタル用携帯電話などの主に送信用に用いられる高周波用電力増幅器に関するものである。」
(イ)「【0023】図2(a)は図1(a)のマイクロストリップライン11のB-B’線における断面図である。窒化アルミニウム基板16上にタングステン21を主成分とする導体層が厚さt1=15μm程度形成されており,次にニッケルメッキ22が厚さt2=4μm程度,次に銅メッキ23が厚さt3=20μm程度形成されている。ニッケルメッキ22はタングステン21と銅メッキ23との密着性を高めるのに有効である。図2(b)は図1(a)のドレイン出力電極6のH-H’線における断面図である。図2(a)で説明した銅メッキ23上にニッケルメッキ24が厚さt4=4μm程度,次に金メッキ25が厚さt5=1μm程度形成されている。金メッキ25はボンディングワイヤー10を行いやすくするために施してある。ニッケルメッキ24は銅メッキ23と金メッキ25の密着強度を高めると共に,導体表面の硬度を高めボンディングワイヤー10を行いやすい状態にするのに効果的である。ここで,マイクロストリップライン11上には,ニッケルメッキ24および金メッキ25が形成されていないが,形成されていても構わない。」
オ 引用文献5について
原査定に引用された,本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開2003-51567号公報(以下,「引用文献5」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
(ア)「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,例えばパーソナルコンピュータ,オーディオ機器或いは各種のモバイル機器や携帯電話機等の各種電子機器等に好適に用いられ,情報通信機能やストレージ機能等を有して超小型通信機能モジュールを構成する高周波モジュール用基板装置及びその製造方法,並びに高周波モジュール装置及びその製造方法に関する。」
(イ)「【0116】次に,図28に示すように,マスク42が形成された第2の絶縁層17上に例えばメッキ法等によって厚み10μm程度のCu層43を形成する。」
(3)本願補正発明と引用発明との対比
ア 引用発明の「高周波電力増幅モジュール」は,下記相違点1及び2を除いて,本願補正発明の「パワーアンプモジュール」に相当する。
イ 引用発明の「アルミナ基板上にあるトランジスタチップ」は,「高周波電力増幅モジュール」を構成するものであるから「無線周波数信号を供給する」ことは明らかであって,これは,本願補正発明の「基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプ」に相当する。
ウ 引用発明の「アルミナ基板上」の「マイクロストリップライン」は,本願発明の「前記基板上の導電トレース」に相当し,引用発明において,「マイクロストリップライン」の「部品実装領域以外はレジストで覆っておき」,「幅広部の表面にはニッケル/金メッキが施され」,「トランジスタチップと幅広部との間の側面にはニッケル/金メッキが施されていない」から,これは,下記相違点1を除いて,本願補正発明の「前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み」を満たす。
エ 引用発明において,「トランジスタチップとマイクロストリップラインの幅広部とを結ぶボンディングワイヤ」を備え,「幅広部の表面にはニッケル/金メッキが施され」るから,この「幅広部」は,本願補正発明の「前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え」及び同「前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される」を満たす。
オ すると,本願補正発明と引用発明とは,下記カの点で一致し,下記クの点で相違する。
カ 一致点
「パワーアンプモジュールであって,
基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと,
前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み,
前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え,前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される,パワーアンプモジュール。」
キ 相違点
(ア)相違点1
本願補正発明の「導電トレース」は「10μmから50μmまでの範囲から選ばれた厚み」を含むのに対し,引用発明の「マイクロストリップライン」はその厚みが不明である点。
(イ)相違点2
本願補正発明では,「前記ワイヤーボンドパッドは,前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と,前記拡散バリア層の上の,0.03μmから0.15μmまでの厚みを有するバリア層と,前記バリア層の上のボンディング層とを含」むのに対し,引用発明では,「幅広部の表面」には「ニッケル/金メッキが施され」る点。
(4)相違点についての検討
ア 相違点1について
引用発明においてマイクロストリップラインの厚さは所望の電気的特性を得るにあたって当業者が適宜設計すべき事項にすぎない。
引用文献4にはマイクロストリップラインの厚さを39μmとすることが記載されているし,引用文献5には,銅層をメッキにより10μm程度の厚さに形成することが記載されているから,マイクロストリップラインの厚さを設計した上で,それをメッキにより実現することは当業者が容易になしうることである。
イ 相違点2について
引用文献1において,「部品実装密度を上げて,小型化を可能にする」という課題が示されていること(前記(2)ア(ア)b【0008】)及び金メッキの下層導体を他の組み合わせとすることが示唆されている(前記(2)ア(ア)c【0021】)ことから,引用発明に「パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請により接合部分自体の薄膜化が求められていること」に対処し「表面上に金めっき被膜が形成された,三層めっき構造」である引用技術的事項2を採用することは,当業者において動機づけられるといえる。
そして,引用技術的事項2は「金属の拡散を防止するため」のものであるからその「ニッケルメッキ被膜」及び「パラジウムメッキ被膜」が,それぞれ「拡散バリア層」及び「バリア層」として機能していることは明らかである。
この際に,ボンディングワイヤからの高周波信号は幅広部の表面にある三層めっき構造を「貫通」してマイクロストリップラインに伝播することになるから「前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚み」とすることは当業者に自明のことである。
また,ボンディング用電極のメッキ層としてパラジウムメッキ層の厚さを0.1μm程度とすることが引用技術的事項3に示されているから,前記のとおり引用技術的事項2を採用する際に,パラジウムメッキ被膜がバリア層として十分機能するように,その厚さを同程度の値とすることは,当業者が容易になし得ることである。
なお,引用文献2には,三層めっき構造において,パラジウムめっき被膜の膜厚を0.01μmとすることが記載されている(前記(2)イ(ア)d【0060】)が,この膜厚でニッケルの拡散が抑制される(同【0064】)ことを測定により確かめるためのものであるから,この膜厚より厚くすることを否定する趣旨ではない(同【0038】参照。)ことは明らかである。
ウ 効果について
引用文献1には「表皮効果により生じうる伝送損失が低減できる」という効果が示されている(前記(2)ア(ア)c【0016】)から,同様の効果は当業者が予測できる程度のものである。
(5)まとめ
以上のとおり,本願補正発明は,引用文献1ないし5に記載された発明に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法第29条第2項の規定により,特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
3 むすび
したがって,本件補正は,特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので,同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明の特許性の有無について
1 本願発明について
審判請求と同時にされた手続補正は,前記第2のとおり却下されたので,本願の請求項14に係る発明(以下,「本願発明」という。)は,平成29年3月15日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項14に記載された,次のとおりのものと認める。
「パワーアンプモジュールであって,
基板上にあり,無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと,
前記基板上の導電トレースとを備え,前記導電トレースは,10μmから50μmまでの範囲から選ばれた厚みと,めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み,前記導電トレースは,さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み,
前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて,前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え,前記ワイヤーボンドパッドは,前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と,前記拡散バリア層の上のバリア層と,前記バリア層の上のボンディング層とを含み,前記ワイヤーボンドパッドは,ワイヤーボンディングのために構成される,パワーアンプモジュール。」
2 原査定の拒絶の理由
原査定の拒絶の理由は,本願発明は,本願優先日前に日本国内又は外国において,頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献(当審注:引用文献番号は付け替えた。)に記載された発明に基づいて,その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法29条2項の規定により特許を受けることができない,というものである。

引用文献1 特開平09-213730号公報
引用文献2 特開2009-228021号公報
引用文献3 国際公開第2008/093626号
引用文献4 特開平07-046007号公報
引用文献5 特開2003-051567号公報
3 引用文献
各引用文献の記載及び引用発明は,前記第2の2(2)のとおりである。
4 判断
本願発明は,本願補正発明から「0.03μmから0.15μmまでの厚みを有する」という限定を取り除いたもの(前記第2の1(3)参照。)であり,本願発明の発明特定事項をすべて含みさらに限定を加えたものが,前記第2の2(5)のとおり,引用文献1ないし5に記載された発明に基づいて,当業者が発明をすることができたものであるから,本願発明も同様の理由により,引用文献1ないし5に記載された発明に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものである。
5 まとめ
よって,本願発明は,引用文献1ないし5に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから,特許法第29条第2項の規定により,特許を受けることができない。

第4 結言
したがって,本願の請求項14に係る発明は,特許法第29条第2項の規定により,特許を受けることができないから,その余の請求項について検討するまでもなく,本願は拒絶されるべきものである。
よって,結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審理終結日 2018-06-11 
結審通知日 2018-06-12 
審決日 2018-06-25 
出願番号 特願2016-4190(P2016-4190)
審決分類 P 1 8・ 121- Z (H01L)
P 1 8・ 575- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 綿引 隆  
特許庁審判長 飯田 清司
特許庁審判官 深沢 正志
小田 浩
発明の名称 パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法  
代理人 特許業務法人深見特許事務所  
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