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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H05B
管理番号 1311602
審判番号 不服2014-2532  
総通号数 196 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-04-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2014-02-10 
確定日 2016-02-24 
事件の表示 特願2011- 85802「カラー・エレクトロルミネセンス表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成23年 7月 7日出願公開,特開2011-134732〕について,次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は,成り立たない。 
理由 1 手続の経緯
本願は,2003年10月16日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2002年10月18日,米国,2003年6月9日,米国)を国際出願日とする特願2005-501254号の一部を平成23年4月7日に新たな特許出願としたものであって,平成23年5月9日に手続補正書が提出され,平成24年7月25日付けで拒絶理由が通知され,平成25年1月31日に意見書及び手続補正書が提出されたが,同年9月30日付けで拒絶査定がなされたところ,平成26年2月10日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され,当審において,平成27年2月17日付けで拒絶の理由が通知され,同年8月24日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。

2 本願の請求項1に係る発明
本願の請求項1ないし11に係る発明は,平成27年8月24日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項1ないし11によってそれぞれ特定されるものであるところ,請求項1に係る発明は次のとおりのものと認められる。

「第1電極と第2電極の間に位置する焼結厚膜絶縁体層を備える厚膜絶縁体エレクトロルミネセンス表示装置用の画素サブ構造であって,
前記画素サブ構造は,
3つのサブ画素と,
第1のフォトルミネセンス蛍光体層と,
第2のフォトルミネセンス蛍光体層と,
を備え,
前記各サブ画素は,青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層を含み,
前記第1のフォトルミネセンス蛍光体層は,青色光以外の有色光を放射し,
前記第2のフォトルミネセンス蛍光体層は,青色光以外であって前記第1のフォトルミネセンス蛍光体層が放射する有色光以外の有色光を放射し,
各サブ画素が,さらに,前記青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層と関連付けられた表示側電極を含み,
各フォトルミネセンス蛍光体層が,前記サブ画素の前記それぞれの前記表示側電極上に配置されている,
画素サブ構造。」(以下,「本願発明」という。)

3 当審で通知した拒絶理由の概要
当審において平成27年2月17日付けで通知した拒絶の理由(以下,「当審拒絶理由」という。)の一つは,本願の請求項1に係る発明は,引用文献1に記載された発明,及び引用文献2ないし5に示される周知技術に基いて,その優先権主張の日(以下,「本願優先日」という。)より前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法29条2項の規定により特許を受けることができない,というものである。
当審拒絶理由で引用した各引用文献は次のとおりである。
引用文献1:国際公開02/051960号
引用文献2:特開2000-284705号公報
引用文献3:特開2000-212554号公報
引用文献4:特開平10-214992号公報
引用文献5:特開平9-326297号公報

4 引用例
(1)引用文献1
ア 引用文献1の記載
当審拒絶理由で引用した引用文献1は,本願優先日より前に頒布された刊行物であって,当該引用文献1には次の記載がある。(日本語訳における下線は,後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。)
(ア) 「Field of the Invention
The present invention relates to a method for the deposition of a ternary, quaternary or similar composition, especially a phosphor, in which components of the composition are located on different sources. In particular, the compositions are thioaluminates, thiogallates or thioindates of Group IIA and Group IIB elements, and the sulphides that form such compounds are located on the different sources. A preferred method of deposition is electron beam vaporization. In particular aspects, the present invention relates to a method of improving the luminance and emission spectrum of phosphor materials, especially those used for full colour ac electroluminescent displays employing thick film dielectric layers with a high dielectric constant.

Background to the Invention
Thin film electroluminescent (TFEL) displays are known and are typically fabricated on glass substrates. However, electroluminescent displays with thin film phosphors employing thick film dielectric layers fabricated on ceramic substrates, as exemplified by U.S. Patent 5 432 015, provide greater luminance and superior reliability.
Thick film dielectric structures provide superior resistance to dielectric breakdown, as well as a reduced operating voltage. When deposited on a ceramic substrate, the thick film dielectric structure will withstand higher processing temperatures than TFEL devices on glass substrates. The increased tolerance to higher temperatures facilitates annealing of the phosphor films at higher temperatures, to improve luminosity. ・・・(中略)・・・
A high luminosity full colour electroluminescent display requires the use of red, green and blue sub-pixels.・・・(中略)・・・
Alternate blue phosphor materials that have narrower emission spectra tuned to provide the colour coordinates required for blue sub-pixel have been evaluated. These include cerium activated alkaline earth thiogallate compounds, which give good blue colour coordinates, but have relatively poor luminosity and stability. Since the host materials are ternary compounds, it is relatively difficult to control the stoichiometry of the phosphor films. Europium-activated barium thioaluminate provides excellent blue colour coordinates and higher luminance, but it too is a ternary compound whose stoichiometry is difficult to control.
Vacuum deposition of phosphor films comprising europium-activated barium thioaluminate from a single source pellet using sputtering or electron beam evaporation has not yielded films with high luminosity. Improved luminance of barium thioaluminate phosphors has been achieved by using a hopping electron beam deposition technique to deposit films from two source pellets. The stoichiometry of the deposited film is controlled by controlling the relative dwell time of the electron beam impinging on each of the two source materials. However, this technique is not readily scalable to facilitate commercial production of large area displays and the process cannot be controlled to compensate for changes in the evaporation rates from the two sources as the deposition proceeds and the source pellets are depleted.」(明細書1ページ4行ないし4ページ9行)
(日本語訳)
「本発明の技術分野
本発明は,異なるソースから供給された構成成分からなる,3元,4元などの化合物の成膜,特に蛍光体物質の成膜法に関するものである。特に,それらの化合物は,チオアルミン酸塩,チオ没食子酸塩またはグループIIAおよびグループIIBのチオインデートである。そのような化合物を形成する硫化物のソースは異なっている。望ましい成膜法のひとつは電子ビーム蒸着法である。特定の態様としては,本発明は蛍光体物質,特に高誘電率の厚膜誘電体層を利用したフルカラーacエレクトロルミネセントディスプレイに使われるものの輝度と発光スペクトルの改良方法に関連する。

本発明の背景
薄膜エレクトロルミネセント(TFEL)ディスプレイは良く知られており,ガラス基板上に作られることが多い。しかし,特許文献1に例示された,セラミック基板上に作られた厚膜誘電体層を利用した薄膜蛍光体を使ったエレクトロルミネセントディスプレイは,より高い輝度とより優れた信頼性をもたらす。
厚膜誘電体の構造は,誘電破壊に対する優れた抵抗力を提供し,また,作動電圧が低い。セラミック基板の上に堆積された厚膜誘電体構造は,ガラス基板上に成膜されたTFELデバイスに比べて高い処理温度に耐える。高温に対する抵抗力が高いことは,輝度の改良のため蛍光体膜を高温で処理するうえで有利である。・・・(中略)・・・
高輝度フルカラーエレクトロルミネセントディスプレイには赤,緑,青色のサブピクセルを用いることを必要とする。・・・(中略)・・・
青色サブピクセルのための色座標を提供するように調節された,狭い発光スペクトルの幅を持つ代替青色蛍光体物質が検討されている。これらの中には,良好な青色色座標を持つが,輝度が低く安定性も悪いアルカリアースチオ没食子酸塩化合物を含んでいる。ホスト物質が3元化合物なので,蛍光体膜の化学量論的組成(ストイキオメトリ)を制御することは比較的に困難である。ユーロピウムで活性化されたバリウムチオアルミン酸塩は優れた青色座標と高い輝度を提供するが,これもまた化学量論的組成を制御することが困難な3元化合物である。
スパッタリングまたは電子ビーム蒸発を用いた単一ソースペレットから,ユーロピウムで活性化されたバリウムチオアルミン酸塩を含む蛍光体膜を真空堆積することでは,高輝度のフィルムが得られなかった。2つのソースペレットにより,ホッピング電子ビーム蒸着法を使って成膜した結果,バリウムチオアルミン酸塩の輝度を改善することができた。堆積された膜の化学量論的組成は,2つのソース物質をたたく電子ビームの滞留時間を制御することによって制御される。しかし,この方法には広い面積を持つディスプレイの商業生産には簡単に応用できないこと,また,作業中にペレットが消耗するゆえに発生する2つのソースからの蒸発率の変化を補償することができないという問題がある。」

(イ) 「Summary of the Invention
A method for the deposition of compositions e.g. phosphors, especially ternary and other chemically complex phosphors, has now been found.
Accordingly, one aspect of the present invention provides a method for the deposition of a thin film of a pre-determined composition onto a substrate, said composition comprising a ternary, quaternary or higher compound, comprising the steps of:
(i) placing a pellet of at least one sulphide on a first source and placing a pellet of at least one sulphide on a second source, the sulphides on the first and second sources being different, said sulphides being the components of said composition, at least one of the pellets on the first and second sources additionally containing dopant for the composition;
(ii) effecting vapour deposition of said composition on said substrate by simultaneously vaporizing the pellets on the first and second sources with separate electron beams; and
(iii) monitoring the rate of vaporizing of sulphide from the first source with a first coating rate monitor and monitoring the rate of vaporizing of sulphide from the second source with a second coating rate monitor, said first coating rate monitor being shielded from deposition of sulphide from the second source and said second coating rate monitor being shielded from deposition of sulphide from the first source.」(明細書4ページ17行ないし5ページ7行)
(日本語訳)
「本発明の概要
化合物,特に3元およびその他の化学的に複雑な蛍光体化合物の成膜方法を発見した。
本発明の1つの態様は,1つのあらかじめ定められた化合物,すなわち,3元,4元またはより高次の化合物の薄膜を基板上に成膜する方法であり,下記のステップから成るものである:
(i)少なくとも1種類の硫化物のペレットを第1のソースに置き,少なくとも1種類の硫化物のペレットを第2のソースに置くこと,その場合第1と第2のソース上の硫化物は互いに異なり,少なくとも第1と第2のソース上の一方の硫化物は化合物に対する不純物を含む;
(ii)分離された電子ビームで第1と第2のソース上のペレットを同時に蒸発させることにより,前記基板上の前記化合物の蒸着を実施すること;および
(iii)第1のソース上の硫黄の蒸発率を第1の被膜率モニタでモニタし,第2のソース上の硫黄の蒸発率を第2の被膜率モニタでモニタすること,その場合,第1の被膜率モニタは第2のソースからの硫化物の蒸着から遮蔽され,第2の被膜率モニタは第1のソースからの硫化物の蒸着から遮蔽されているものとする。」

(ウ) 「Brief Description of the Drawings
・・・(中略)・・・
Figure 3 is a schematic representation of a section of an electroluminescent element comprising a thick film dielectric layer and a phosphor composition;」(明細書7ページ6ないし15行)
(日本語訳)
「図面の簡単な説明
・・・(中略)・・・
図3は,厚膜誘電体層と蛍光体化合物からなるエレクトロルミネセント素子の断面の模式図;」

(エ) 「Detailed Description of the Invention
The present invention relates to a method of deposition of ternary, quaternary and higher compounds, including other chemically complex compositions, especially phosphors, to achieve the desired stoichiometry, and high energy efficiency and high luminosity phosphor films. Phosphors in the form of ternary, quaternary or higher compounds may be deposited to provide high electroluminescence. However, the ratio of the three or four, or more, constituent elements must be controlled to close tolerances. Control of stoichiometry is important in achieving optimum performance of the phosphor.・・・(中略)・・・
In the present invention, control of stoichiometry during deposition is effected using two or more deposition sources with different chemical compositions, together with a deposition rate measuring system for at least two of the sources that measures the deposition rate for these sources independently from the deposition rate of the remaining source materials and a feedback system that controls the relative deposition rates commensurate with the measured rates. The invention is believed to be applicable to a variety of physical vapour deposition techniques including but not limited to electron beam evaporation, thermal evaporation, sputtering and reactive sputtering methods.
As exemplified hereinafter, phosphor materials comprising europium activated calcium thioaluminate (CaAl_(2)S_(4):Eu), barium thioaluminate (BaAl_(2)S_(4):Eu) and barium-calcium thioaluminate (Ba_(a)Ca_(1-a)Al_(2)S_(4):Eu ) may be deposited using the method described herein and have shown high luminance and energy efficiency.・・・(中略)・・・
The method of the invention is believed to be applicable to any ternary, quaternary or higher composition deposited on a substrate. It will be understood that the various source materials would be selected so that a vapour may be created for condensation on the substrate. The preferred substrate is a substrate that is opaque in the visible and infrared regions of the electromagnetic spectrum. In particular, the substrate is a thick film dielectric layer on a ceramic substrate. Examples of such substrates include alumina, and metal ceramic composites.
As discussed herein, components of the phosphor are placed on each of the sources. For instance, if the phosphor is CaAlS_(4)(審決注:「CaAlS_(4)」は誤記であり,正しくは「CaAl_(2)S_(4)」と解される。日本語訳では「CaAl_(2)S_(4)」と記載した。):Eu, then Al_(2)S_(3) is placed on one source and europium-doped CaS on the other source. If the phosphor is Ba_(a)Ca_(1-a)Al_(2)S_(4):Eu, then Al_(2)S_(3) is preferably placed on one source and a europium-doped mixture of BaS and CaS, in the ratio's defined by "a" and "1-a", is placed on the other source.」(明細書7ページ22行ないし10ページ1行)
(日本語訳)
「本発明の詳細な説明
本発明は,望ましい化学量論的組成,高いエネルギ効率および高い輝度の蛍光体膜を得るための,化学的に複雑な化合物,特に蛍光体を含む,3元,4元および高次の化合物の成膜法に関連するものである。蛍光体の3元,4元および高次の化合物を使って成膜をすると高いエレクトロルミネセント現象が得られる。しかし,それには3,4,またはそれ以上の構成元素の比率を高精度に制御しなければならない。蛍光体の最高の性能を引き出すためには,化学量論的組成(ストイキオメトリ)の制御が重要である。・・・(中略)・・・
本発明においては,成膜中の化学量論的組成の制御は,異なる化学成分の2ないしそれ以上の成膜ソースと,他のソース物質と別に少なくとも2つのソースの堆積率を測定する堆積率測定システムおよび測定された堆積率に基づいて相対堆積率を制御するフィードバックシステムとの組み合わせを使うことにより,作動する。本発明は,電子ビーム蒸発,加熱蒸発,スパッタリングおよび反応スパッタリング法など,いくつかの物理的蒸着技法に適用できると考えられる。
ここに例示されるように,ユーロピウムで活性化されたカルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu),バリウムチオアルミン酸塩(BaAl_(2)S_(4):Eu),およびバリウム-カルシウムチオアルミン酸塩(Ba_(a)Ca_(1-a)Al_(2)S_(4):Eu )から成る蛍光体物質は,ここに説明された方法で堆積することができ,高い輝度とエネルギ効率を示す。・・・(中略)・・・
本発明の方法は,基板上に堆積される任意の3元,4元または高次の化合物に適用できると信じられている。基板上に蒸気を凝着させるために,さまざまなソース物質が選ばれることが,以下の説明から明らかになる。望ましい基板は,電磁波スペクトルの可視領域および赤外領域において不透明な基板である。具体的には,基板はセラミック基板の上に設けた厚膜誘電体層である。そのような基板の例はアルミナ,及び金属のセラミック複合物を含む。
ここに述べたように,蛍光体の組成物は各々のソースの上に置かれている。たとえば,もし蛍光体がCaAI_(2)S_(4):Euならば,Al_(2)S_(3)が1つのソース上に置かれ,ユーロピウムがドープされたCaSが他のソース上に置かれる。もし蛍光体がBa_(a)Ca_(1-a)Al_(2)S_(4):Euならば,Al_(2)S_(3)が1つのソース上に置かれ,ユーロピウムがドープされたBaSとCaSとの混合物が他のソース上に置かれる。BaSとCaSとの混合比率は,”a”と”1-a”とで定義される。」

(オ) 「The present invention is further illustrated by the embodiment shown in Figures 3 and 4. Figure 3 shows a cross-section of an electroluminescent device utilizing a phosphor. Figure 4 shows a plan view of the electroluminescent device. The electroluminescent device, generally indicated by 40, has a substrate 42 on which is located row electrode 44. Thick film dielectric 46 has thin film dielectric 48 thereon. Thin film dielectric 48 is shown with three pixel columns, referred to as 50, 52 and 54, located thereon. The pixel columns contain phosphors to provide the three basic colours viz. red, green and blue. Pixel column 50 has red phosphor 56 located in contact with thin film dielectric 48. Another thin film dielectric 58 is located on red phosphor 56, and column electrode 60 is located on thin film dielectric 58. Similarly, pixel column 52 has green phosphor 62 on thin film dielectric 48, with thin film dielectric 64 and column electrode 66 thereon. Pixel column 54 has blue phosphor 68 on thin film dielectric 48, with thin film dielectric 70 and column electrode 72 thereon.」(明細書12ページ17ないし末行)
(日本語訳)
「本発明は,図3,図4に示された実施例によってさらに明らかにされる。図3は蛍光体を使用するエレクトロルミネセント装置の断面図である。図4はエレクトロルミネセント装置の平面図である。その全体を40で示すエレクトロルミネセント装置は,行電極44を配置した基板42を有している。厚膜誘電体46はその上に薄膜誘電体48を有している。薄膜誘電体48は,その上に3本のピクセルコラム50,52,54を有している。ピクセルコラムは,赤,緑および青の3基本原色を提供する蛍光体を含んでいる。ピクセルコラム50は,薄膜誘電体48と接触する赤の蛍光体56を有している。別の薄膜誘電体58は赤色蛍光体56の上に置かれ,列電極60は薄膜誘電体58上に置かれている。同様に,ピクセルコラム52は,薄膜誘電体48上に緑色蛍光体62を有し,さらにその上に薄膜誘電体64と列電極66とを有している。同様に,ピクセルコラム54は,薄膜誘電体48上に青色蛍光体68を有し,さらにその上に薄膜誘電体70と列電極72を有している。」

(カ) 「

」(図面2/3ページ上段)

イ 引用文献1に記載された発明
前記ア(オ)の記載から,「エレクトロルミネセント装置」における,赤色,緑色及び青色のサブピクセルからなるピクセルの構造についての発明を把握することができるところ,当該「エレクトロルミネセント装置」が,前記ア(ア)に記載された「高誘電率の厚膜誘電体層を利用したフルカラーacエレクトロルミネセントディスプレイ」であること,及び,当該「エレクトロルミネセント装置」中の「青色蛍光体68」が,前記ア(イ)及び(エ)に記載された成膜方法により形成され,前記ア(エ)に記載された蛍光体物質からなる層であることが明らかであり,かつ,前記ア(オ)の記載を参酌すれば,前記ア(カ)から,電極44上に厚膜誘電体46,薄膜誘電体48がこの順で積層され,薄膜誘電体48上に赤色蛍光体56,薄膜誘電体58,列電極60がこの順で積層され,前記薄膜誘電体48上の前記赤色蛍光体56,薄膜誘電体58,列電極60に隣接した位置に緑色蛍光体62,薄膜誘電体64,列電極66がこの順で積層され,前記薄膜誘電体48上の前記赤色蛍光体56,薄膜誘電体58,列電極60に隣接した位置に青色蛍光体68,膜誘電体70,列電極72がこの順で積層されていることを看取できるから,前記ア(ア)ないし(カ)の記載から,引用文献1には,次の発明が記載されていると認められる。

「行電極44を配置した基板42上に厚膜誘電体46,薄膜誘電体48がこの順で積層され,
前記薄膜誘電体48上に3本のピクセルコラム50,52,54が設けられ,
前記ピクセルコラム50は,赤色蛍光体56,薄膜誘電体58,列電極60がこの順で積層されたものであり,
前記ピクセルコラム52は,緑色蛍光体62,薄膜誘電体64,列電極66がこの順で積層されものであり,
前記ピクセルコラム54は,ユーロピウムで活性化されたカルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)からなる青色蛍光体68,膜誘電体70,列電極72がこの順で積層されたものであり,
前記青色蛍光体68は,Al_(2)S_(3)のペレットを第1のソースに置き,ユーロピウムがドープされたCaSを第2のソースに置き,第1のソース上の硫黄の蒸発率を第2のソースからの硫化物の蒸着から遮蔽された第1の被膜率モニタでモニタし,第2のソース上の硫黄の蒸発率を第1のソースからの硫化物の蒸着から遮蔽された第2の被膜率モニタでモニタしながら,別々の電子ビームで第1と第2のソース上のペレットを同時に蒸発させるという成膜方法により形成された,
フルカラーacエレクトロルミネセントディスプレイにおける赤色,緑色及び青色のサブピクセルからなるピクセルの構造。」(以下,「引用発明」という。)

(2)周知例
ア 引用文献2の記載
当審拒絶理由で周知例として例示した引用文献2は,本願優先日より前に頒布された刊行物であって,当該引用文献2には次の記載がある。(下線は,後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。)
(ア) 「【0002】
【従来の技術】電子ディスプレイデバイス・・・(中略)・・・には,発光系と受光系とがあり,発光系としては,例えばCRT(陰極線管),PDP(プラズマディスプレイ),ELD(エレクトロルミネセッンスディスプレイ),VFD(蛍光表示管),LED(発光ダイオード)などが挙げられる。・・・(中略)・・・
【0003】ここで,上記発光形のディスプレイにおけるフルカラー化の方法としては,(1)多色(例えば赤,青,緑の三原色)の発光部分を平面的に分離配置して,それぞれ発光させる方法,(2)LCDを含むが,バックライトの白色光をカラーフィルターで多色に分解させる方法,及び(3)ある一色(例えば青)の発光を平面的に分離配置した蛍光変換膜に吸収させ,それぞれの蛍光変換膜から異なる蛍光(例えば赤,緑)を発光させる方法が知られている。
【0004】しかしながら,上記(1)の方法においては,赤,青,緑の発光体(素子)をそれぞれ作成する必要があり,各発光体の材料の選択や発光体を平面的に微細に分離配置するプロセスにおいて,困難を伴う場合があるし,また,(2)の方法においては,白光色を多色に分解するために,各色の明るさが低減する(三原色の場合は3分の1)のを免れないという問題がある。
【0005】これに対し,上記(3)の蛍光変換膜を用いる方法においては,ある一色の発光体があれば,平面的に微細に分離配置した蛍光変換膜を発光を吸収できる位置とは別に配置すればよいので,プロセスが容易であることが類推されるし,原理的に蛍光変換によって各色の明るさが低減しないという問題がある。
【0006】そこで,蛍光変換膜を用いて,一色の発光体から多色の発光を蛍光変換する方法については,一色はエネルギー的に高い発光であることが望ましく,可視光の場合,青色であればよりエネルギーの低い緑色や赤色への変換が可能となり,三原色の多光発光が可能となる。また,紫外光の場合も同様に三原色の多光発光が可能となる。特に有機エレクトロルミネッセンス(以下,「エレクトロルミネッセンス」をELと略記する。)発光素子の場合には,高効率で高輝度の青色発色が実現されており,また,有機物で構成されるため,あらゆる色の発光が有機物の設計により達成される期待が大きい。」

(イ) 「【0060】[第2の実施形態]第2の実施形態は,有機EL表示装置の製造方法に関する実施形態であり,色変換層を形成する工程(第1の工程と称する。)と,当該色変換層の表面を凹凸形状とする工程(第2の工程と称する。)と,透光性層を形成する工程(第3の工程と称する。)と,有機EL素子を積層する工程(第4の工程と称する。)とを含むことを特徴とする。なお,有機EL表示装置の構成自体については,第1の実施形態と同様の内容とすることができるため,ここでの詳細な説明は省略するものとし,図3(a)?(d)を参照しながら,有機EL表示装置の製造方法の内容について中心に説明する。
・・・(中略)・・・
【0070】(4)第4の工程
第4の工程は,図3(d)に示すように,硬化させた色変換層46の基材44側に,有機EL素子50を積層する工程である。この積層方法についても特に制限されるものでなく,予め作製しておいた有機EL素子50を接着剤等を用いて積層しても良いし,あるいは,基材44の上に,順次に電極や有機発光層を形成しても良い。」

(ウ) 「【0078】
【実施例】[実施例1]
(1)色変換層の作製
・・・(中略)・・・
【0081】(2)有機EL素子の作製
一方,縦25mm,横75mm,厚さ1.1mmのガラス基板(コーニング7059)上に,厚さ120nmのITO膜をスパッタリング法により全面的に成膜した。・・・(中略)・・・
【0082】・・・(中略)・・・正孔注入層から陰極の形成まで,途中で真空状態を破らず,一回の真空引きで順次積層し,有機EL素子を作製した。・・・(中略)・・・
【0084】(3)有機EL表示装置の作製
上記(1)で得られた,ガラス基板に形成された赤色変換基板を,透光性層側から上記(2)で得られた有機EL素子の発光面(下部電極側)に積層して,実施例1の有機EL表示装置とした。」

(エ) 「【図面の簡単な説明】
・・・(中略)・・・
【図3】第2の実施形態における有機EL表示装置の製造工程を模式的に示す図である。
・・・(中略)・・・



イ 引用文献3の記載
当審拒絶理由で周知例として例示した引用文献3は,本願優先日より前に頒布された刊行物であって,当該引用文献3には次の記載がある。(下線は,後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。)
(ア) 「【0002】
【従来の技術】電子ディスプレイデバイスは,・・・(中略)・・・この電子デバイスには,発光形と受光形とがあり,発光形としては,例えばCRT(陰極線管),PDP(プラズマディスプレイ),ELD(エレクトロルミネッセンスディスプレイ),VFD(蛍光表示管),LED(発光ダイオード)などが挙げられる。・・・(中略)・・・
【0003】ここで,上記発光形のディスプレイにおけるフルカラー化の方法としては,(1)多色(例えば赤,青,緑の三原色)の発光部分を平面的に分離配置して,それぞれ発光させる方法,(2)LCDを含むが,バックライトの白色光をカラーフィルターで多色に分解させる方法,及び(3)ある一色(例えば青)の発光を平面的に分離配置した蛍光変換膜に吸収させ,それぞれの蛍光変換膜から異なる蛍光(例えば赤,緑)を発光させる方法が知られている。しかしながら,上記(1)の方法においては,赤,青,緑の発光体(素子)をそれぞれ作製する必要があり,各発光体の材料の選択や発光体を平面的に微細に分離配置するプロセスにおいて,困難を伴う場合があるし,また,(2)の方法においては,白色光を多色に分解するために,各色の明るさが低減する(三原色の場合は3分の1)のを免れないという問題がある。
【0004】これに対し,上記(3)の蛍光変換膜を用いる方法においては,ある一色の発光体があれば,平面的に微細に分離配置した蛍光変換膜を発光を吸収できる位置とは別に設置すればよいので,プロセスが容易であることが類推されるし,原理的に蛍光変換によって各色の明るさが低減しない。そこで,蛍光変換膜を用いて,一色の発光体から多色の発光を蛍光変換する方法については,一色はエネルギー的に高い発光であることが望ましく,可視光の場合,青色であればよりエネルギーの低い緑色や赤色への変換が可能となり,三原色の多色発光が可能となる。また,紫外光の場合も同様に三原色の多色発光が可能となる。特に有機エレクトロルミネッセンス,(以下,「エレクトロルミネッセンス」をELと略記する。)発光素子の場合には,高効率で高輝度の青色発光が実現されており,また,有機物で構成されるため,あらゆる色の発光が有機物の設計により達成される期待が大きい。」

(イ) 「【0052】
【実施例】次に,本発明を実施例により,さらに詳細に説明するが,本発明は,これらの例によってなんら限定されるものではない。
製造例1 青色発光体として有機EL素子の作製
25mm×75mm×1.1mmのガラス基板(コーニング7059)上全面に蒸着(EB蒸着)により,120nmの膜厚でITO膜を成膜後,・・・(中略)・・・
【0053】・・・(中略)・・・以下の順序で正孔注入層から陰極まで途中で真空を破らず一回の真空引きで,順次積層していった。・・・(中略)・・・
【0055】・・・(中略)・・・蛍光変換膜製膜基板を,製造例1で作製した有機EL素子基板と重ね合わせ,有機EL素子に対し,直流10Vの電圧を印加すると,発光輝度は,190cd/m^(2)(効率95%),CIE色度座標はx=0.17,y=0.43で緑色の蛍光の発光であり,95%の高い効率で青色の発光体を緑色の蛍光に変換できた。」

ウ 引用文献4の記載
当審拒絶理由で周知例として例示した引用文献4は,本願優先日より前に頒布された刊行物であって,当該引用文献4には次の記載がある。(下線は,後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。)
(ア) 「【0021】図10および図11は,多色ハイブリッドLEDピクセルの2つの実施例50および60を示す略図である。図10では,GaInAlNダイオード52は460nmの光を発する。被覆されていない領域54では460nmの青色光を発する。赤色56または緑色58の色コンバータがパターニングされた領域では,赤色または緑色の光を発する。3つの領域すべてが駆動されると,遠い視野の白色光中に3原色のすべてが存在するため,ピクセルは眼には白く見える光を発する。」

(イ) 「【図面の簡単な説明】
・・・(中略)・・・
【図10】多色ハイブリッド有機無機LEDピクセルの構造を示す略図である。
・・・(中略)・・・



エ 引用文献5の記載
当審拒絶理由で周知例として例示した引用文献5は,本願優先日より前に頒布された刊行物であって,当該引用文献5には次の記載がある。(下線は,後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。)
(ア) 「【0025】[第7実施形態]次に,図11を参照して,この発明の電界発光素子の第7実施形態について説明する。この場合にも,図1?図3に示された第1実施形態と同一部分には同一符号を付し,その説明は省略する。この電界発光素子は,図11に示すように,上面に微小プリズム素子5が一体に形成された透明基板1の下面に,青色波長域の光をより長波長域の赤色の光に変換する青赤色変換層25と青色波長域の光をより長波長域の緑色の光に変換する青緑色変換層26とからなる色変換素子27が形成されているとともに,この色変換素子27を覆って保護層28が形成され,この保護層28の下面に第1実施形態と同様,透明電極2および有機発光層3が順に形成され,この有機発光層3の下面に背面電極4が形成された構造になっている。色変換素子27は,各色変換層25,26が透明電極2と背面電極4との対向する領域の各画素のうち,青色に対応する画素を除く各色の画素に対応して形成されている。また,この場合の有機発光層3は,青色光を発光する構造になっている。」

(イ) 「【図面の簡単な説明】
・・・(中略)・・・
【図11】この発明の電界発光素子の第7実施形態を示した要部断面図。
・・・(中略)・・・
【図11】



オ 引用文献2ないし5の記載から把握される技術的事項
前記アないしエで摘記した引用文献2ないし5の記載から,発光形のディスプレイにおいて,赤色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を赤色光に変換する蛍光変換層とを用い,緑色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を緑色光に変換する蛍光変換層とを用い,青色光の発光に,青色光を発光する発光層を用いることによって,赤色光,緑色光及び青色光によるフルカラー化を実現することが,本願優先日前に周知であり,かつ,前記ア及びイで摘記した引用文献2及び3の記載から,赤色光の発光に赤色光を発光する発光層を用い,緑色光の発光に,緑色光を発光する発光層を用い,青色光の発光に,青色光を発光する発光層を用いてフルカラー化を実現するタイプ(以下,便宜上「各色発光タイプ」という。)のものが,赤,青,緑の発光体をそれぞれ作製する必要があり,各発光体の材料の選択や発光体を平面的に微細に分離配置するプロセスにおいて,困難を伴う場合があるのと比べて,前記周知のフルカラー化技術は,平面的に微細に分離配置した蛍光変換膜を発光を吸収できる位置とは別に設置すればよいので,プロセスが容易であるという利点があることが,当業者に知られていたと認められる。(以下,「赤色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を赤色光に変換する蛍光変換層とを用い,緑色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を緑色光に変換する蛍光変換層とを用い,青色光の発光に,青色光を発光する発光層を用いて,フルカラー化を実現する」技術を「周知技術」という。)

5 対比
(1) 引用発明の「赤色,緑色及び青色のサブピクセルからなるピクセルの構造」,「ユーロピウム」,「カルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)」及び「青色蛍光体68」は,本願発明の「画素サブ構造」,「青色光を放射する希土類」,「アルカリ土類硫化物」及び「青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層」にそれぞれ相当する。

(2) 引用発明の「圧電誘電体46」と本願発明の「焼結厚膜絶縁体層」は,どちらも「厚膜絶縁体層」である。
また,引用発明の「厚膜誘電体46」は,積層構造中,電極44とコラム電極60,66,72との間に位置しているから,「第1電極と第2電極の間に位置」するものといえる。
さらに,「厚膜誘電体46」を有する「フルカラーacエレクトロルミネセントディスプレイ」を「厚膜絶縁体エレクトロルミネセンス表示装置」ということができるから,引用発明は,「厚膜絶縁体エレクトロルミネセンス表示装置」用の「赤色,緑色及び青色のサブピクセルからなるピクセルの構造」(画素サブ構造)であるといえる。
したがって,本願発明と引用発明は,「第1電極と第2電極の間に位置する厚膜絶縁体層を備える厚膜絶縁体エレクトロルミネセンス表示装置用の画素サブ構造」である点で一致する。

(3)ア 引用文献1の9ページ22ないし25行には「望ましい基板は,電磁波スペクトルの可視領域および赤外領域において不透明な基板である。具体的には,基板はセラミック基板の上に設けた厚膜誘電体層である。」(前記4(1)ア(エ)を参照。)と記載されているところ,当該記載中の「不透明な基板」がセラミック基板上の「厚膜誘電体層」を指しているのか,厚膜誘電体層が形成された「セラミック基板」を指しているのかは明確に特定し難いものの,少なくとも,「厚膜誘電体層」と「セラミック基板」のいずれかが望ましくは不透明であるのだから,引用発明において画像を表示するのが,発光層である赤色蛍光体56,緑色蛍光体62及び青色蛍光体68に対して,不透明な厚膜誘電体46または基板42が設けられた側とは反対側であることが明らかである。
したがって,引用発明において,「表示側電極」は,発光層である赤色蛍光体56,緑色蛍光体62及び青色蛍光体68に対して,不透明な厚膜誘電体46が設けられた側とは反対側に設けられた「列電極60,66,72」と認められる。

イ しかるに,引用発明の「ピクセルコラム54」は,「ユーロピウム」(青色光を放射する希土類)で活性化された「カルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)」(アルカリ土類硫化物)からなる「青色蛍光体68」(青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層)と,「列電極72」(表示電極)を含んでいるから,本願発明の「サブ画素」と,「青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層を含み」,「さらに,前記青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層と関連付けられた表示側電極を含」む「サブ画素」である点で一致する。
一方,引用発明の「ピクセルコラム50」及び「ピクセルコラム52」は,それぞれ,赤色蛍光体56と「列電極60」(表示側電極),及び,緑色蛍光体62と「列電極66」(表示側電極)を含んでいるところ,「赤色蛍光体56」及び「緑色蛍光体62」と,本願発明の「青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層」は,いずれも「蛍光体層」であるから,引用発明の「ピクセルコラム50」及び「ピクセルコラム52」は,本願発明の「サブ画素」と,「蛍光体層を含み」,「さらに,前記蛍光体層と関連付けられた表示側電極を含」む「サブ画素」である点で一致する。

(4) 前記(1)ないし(3)から,本願発明と引用発明とは,
「第1電極と第2電極の間に位置する厚膜絶縁体層を備える厚膜絶縁体エレクトロルミネセンス表示装置用の画素サブ構造であって,
前記画素サブ構造は,
3つのサブ画素を備え,
前記各サブ画素は,いずれも蛍光体層を含み,その一つは青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層であり,
各サブ画素が,さらに,前記蛍光体層と関連付けられた表示側電極を含む,
画素サブ構造。」
である点で一致し,次の点で相違する。

相違点1:
本願発明の「厚膜絶縁体層」が「焼結厚膜絶縁体層」であるのに対して,
引用発明の「厚膜誘電体46」は,焼結体であるのか否かは特定されていない点。

相違点2:
本願発明では,「3つのサブ画素」の蛍光体層が,いずれも「青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層」であって,「青色光以外の有色光を放射」する「第1のフォトルミネセンス蛍光体層」が,1つのサブ画素の「表示側電極上に配置」され,「青色光以外であって前記第1のフォトルミネセンス蛍光体層が放射する有色光以外の有色光を放射」する「第2のフォトルミネセンス蛍光体層」が,別の1つのサブ画素の「表示側電極上に配置」されているのに対して,
引用発明では,「ピクセルコラム50,52,54」(3つのサブ画素)のうち「ピクセルコラム50」及び「ピクセルコラム52」の蛍光体層は,それぞれ赤色蛍光体56及び緑色蛍光体62であって,「青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層」ではなく,かつ,「ピクセルコラム50」の「列電極60」(表示側電極)及び「ピクセルコラム52」の「列電極66」(表示側電極)上に配置された「第1のフォトルミネセンス蛍光体層」及び「第2のフォトルミネセンス蛍光体層」を有していない点。

6 判断
(1)相違点1について
厚膜絶縁体エレクトロルミネッセンス表示装置において,厚膜絶縁体を焼結体で形成することは,本願優先日前に周知であって(例えば,特開平7-50197号公報の請求項23,【0002】,【0068】ないし【0071】,特開2001-196187号公報の【0002】及び【0015】,特開2002-110344号公報の【0002】及び【0012】等を参照。),引用発明の厚膜誘電体46を焼結体で形成することは,単に,厚膜誘電体46の形成材として好適な周知のものを用いたということでしかなく,引用発明を相違点1に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは,当業者が適宜なし得た設計上の事項である。
したがって,引用発明を,相違点1に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは,単なる設計上の事項にすぎない。

(2)相違点2の容易想到性について
ア 引用発明は,赤色光を発光するのに赤色蛍光体56を用い,緑色光を発光するのに緑色蛍光体62を用い,青色光を発光するのに青色蛍光体68を用いている「各色発光タイプ」のものであるから,前記4(2)オで述べた,「赤,青,緑の発光体をそれぞれ作製する必要があり,各発光体の材料の選択や発光体を平面的に微細に分離配置するプロセスにおいて,困難を伴う場合がある」という「各色発光タイプ」の欠点を有していることが,当業者に自明であるところ,当該欠点を解消し,「プロセスが容易である」という前記4(2)オで述べた「周知技術」の利点を得るために,前記4(2)オで認定した「赤色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を赤色光に変換する蛍光変換層とを用い,緑色光の発光に,青色光を発光する発光層と青色光を緑色光に変換する蛍光変換層とを用い,青色光の発光に,青色光を発光する発光層を用いて,フルカラー化を実現する」という「周知技術」を適用すること,具体的には,ピクセルコラム50中の「赤色蛍光体56」に代えて,「ユーロピウムで活性化されたカルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)からなる青色蛍光体」を採用し,かつ,当該青色蛍光体に対して表示側(表示側電極である列電極60と同じ側)となる位置であって,ピクセルコラム50に対応する位置に,「青色光を赤色光に変換する蛍光変換層」を設けるとともに,ピクセルコラム52中の「緑色蛍光体62」に代えて,「ユーロピウムで活性化されたカルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)からなる青色蛍光体」を採用し,かつ,当該青色蛍光体に対して表示側(表示側電極である列電極66と同じ側)となる位置であって,ピクセルコラム52に対応する位置に,「青色光を緑色光に変換する蛍光変換層」を設けることは,当業者が容易になし得たことである。
また,前記「青色光を赤色光に変換する蛍光変換層」と「列電極60」のどちらを青色蛍光体から遠い位置に配置し,「青色光を緑色光に変換する蛍光変換層」と列電極66のどちらを青色蛍光体から遠い位置に配置するのかは,引用発明における「周知技術」の適用に際して,当業者が適宜決定すれば足りる設計上の事項であるから,前記「青色光を赤色光に変換する蛍光変換層」を「列電極60」よりも青色蛍光体から遠い位置に配置し,前記「青色光を緑色光に変換する蛍光変換層」を「列電極66」よりも青色蛍光体から遠い位置に配置することは,単なる設計事項にすぎない。(なお,前記4(2)ア(イ)に記載された「第2の実施形態」及び(ウ)に記載された「実施例」,前記4(2)エ(ア)及び(イ)に記載された「第7実施形態」は,いずれも,青色発光層に対して「青色光を赤色光に変換する蛍光変換層」及び「青色光を緑色光に変換する蛍光変換層」が表示側電極よりも遠い位置に存在している。)

イ 前記アで述べた構成の変更後の引用発明においては,「ピクセルコラム50,52,54」(3つのサブ画素)はいずれも発光層として「ユーロピウムで活性化されたカルシウムチオアルミン酸塩(CaAl_(2)S_(4):Eu)からなる青色蛍光体」(青色光を放射する希土類で活性化されたアルカリ土類硫化物である青色発光エレクトロルミネセンス無機蛍光体層)を用いており,「ピクセルコラム50」(一つのサブ画素)には,その「列電極60」(表示側電極)よりも青色蛍光体から遠い位置(表示側電極上)に「青色光を赤色光に変換する蛍光変換層」(第1のフォトルミネセンス蛍光層)が配置され,「ピクセルコラム52」(別の一つのサブ画素)には,その「列電極66」(表示側電極)よりも青色蛍光体から遠い位置(表示側電極上)に「青色光を緑色光に変換する蛍光変換層」(第2のフォトルミネセンス蛍光層)が配置されているから,相違点2に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
したがって,引用発明を,相違点2に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは,周知技術に基づいて,当業者が容易に想到し得たことである。

(3)効果について
本願明細書の発明の詳細な説明に記載された本願発明の奏する効果は,引用発明及び周知技術に基づいて,当業者が予測できた程度のものである。

(4)まとめ
以上のとおりであるから,本願発明は,当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。

7 むすび
本願発明は,引用発明及び周知技術に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであるから,他の請求項に係る発明について検討するまでもなく,本願は特許法29条2項の規定により特許を受けることができない。
よって,結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2015-09-15 
結審通知日 2015-09-29 
審決日 2015-10-13 
出願番号 特願2011-85802(P2011-85802)
審決分類 P 1 8・ 121- WZ (H05B)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 池田 博一  
特許庁審判長 藤原 敬士
特許庁審判官 鉄 豊郎
清水 康司
発明の名称 カラー・エレクトロルミネセンス表示装置  
代理人 加藤 秀忠  
代理人 合路 裕介  
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