ポートフォリオを新規に作成して保存 |
|
|
既存のポートフォリオに追加保存 |
|
PDFをダウンロード |
審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L |
---|---|
管理番号 | 1321778 |
審判番号 | 不服2015-21304 |
総通号数 | 205 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2017-01-27 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2015-12-01 |
確定日 | 2016-11-17 |
事件の表示 | 特願2013-500989「EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク」拒絶査定不服審判事件〔平成24年 8月30日国際公開、WO2012/114980〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
理由 |
1 手続の経緯 本件は、平成24年2月16日(特許法第41条に基づく国内優先権主張 平成23年2月24日)を国際出願日とする出願であって、平成27年4月28日付けで拒絶理由が通知され、同年6月24日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年9月30日付け(送達 同年10月6日)で拒絶査定(以下、「原査定」という。)がなされ、これに対して、同年12月1日に拒絶査定不服審判請求ががなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 2 平成27年12月1日になされた手続補正(以下、「本件補正」という。)について (1)補正の内容 本件補正は、補正前(平成27年6月24日付け手続補正書によるもの)の、 「【請求項1】 EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収層の膜厚が、46nm以上、80nm以下であり、かつ、13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように設定されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項2】 EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層と、マスクパターンの検査光(波長190?260nm)に対する低反射層とが、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、46nm以上、80nm以下であり、かつ、 前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下、かつ、極小値となる合計膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように設定されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項3】 前記吸収層が、タンタル(Ta)および窒素(N)を主成分とする請求項1または2に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項4】 前記低反射層が、タンタル(Ta)および酸素(O)を主成分とする請求項2または3に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項5】 前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、 前記保護層が、Ru、Ru化合物、SiO_(2)およびCr化合物の群から選ばれる少なくとも1種で形成される請求項1乃至4のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。」 とあったものを、補正後の、 「【請求項1】 EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収層が、タンタル(Ta)および窒素(N)を主成分とし、 前記吸収層の膜厚が、46nm以上、80nm以下であり、かつ、13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように設定されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項2】 EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層と、マスクパターンの検査光(波長190?260nm)に対する低反射層とが、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収層が、タンタル(Ta)および窒素(N)を主成分とし、 前記低反射層が、タンタル(Ta)および酸素(O)を主成分とし、 前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、46nm以上、80nm以下であり、かつ、 前記吸収層および前記低反射層の合計膜厚が、13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下、かつ、極小値となる合計膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように設定されていることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。 【請求項3】 前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層が形成されており、 前記保護層が、Ru、Ru化合物、SiO_(2)およびCr化合物の群から選ばれる少なくとも1種で形成される請求項1または2に記載のEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。」 に補正するものであって、補正前の請求項1を引用する請求項3及び補正前の請求項2を引用する請求項3を引用する請求項4を、それぞれ、新たに、請求項1及び請求項2とするとともに、補正前の請求項1を引用する請求項3を引用する請求項5及び補正前の請求項2を引用する請求項3を引用する請求項4を引用する請求項5を合わせて新たに、請求項1または請求項2を引用する請求項3とするものである(下線は請求人が付したとおりである。)。 (2)補正の目的 すると、本件補正は、特許法第17条の2第5項第1号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。 したがって、本件補正は適法なものであると認められる。 3 本願発明 上記2のとおり、本件補正は適法なものであると認められるから、本願の請求項に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1ないし3に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項1に係る発明は、上記2(1)において本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める(以下、「本願発明」という。)。 4 刊行物の記載 (1)原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開2005-268255号公報(以下、「引用文献」という。)には、以下の記載がある(下線は当審が付した。以下同じ。)。 ア 「【技術分野】 【0001】 本発明は、半導体製造プロセス中の、波長10?15nm程度のいわゆるEUV(Extreme Ultra Violet=極限紫外線)露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用マスク(以下、EUVマスク)、及びそのマスクを作製するためのブランク、並びにそのマスクを用いたパターン転写方法に関するものである。・・・ 【0004】 EUV露光では、上述のように波長が短いため、物質の屈折率がほとんど真空の値に近く、材料間の光吸収の差も小さい。このため、EUV領域では従来の透過型の屈折光学系が組めず、反射光学系となり、従ってマスクも反射型マスクとなる。図2は従来のEUVマスクの例を断面で示した説明図である。これまで開発されてきた一般的なEUVマスクは、Siウェハーやガラス基板11上に、例えばMoとSiからなる2層膜を40対ほど積層した多層膜12および多層膜12を保護するキャッピング層13を高反射領域とし、その上に低反射領域として吸収膜15および緩衝膜14のパターンを形成した構造であった。緩衝膜14は、吸収膜のパターニングや欠陥修正の際に、キャッピング層や多層膜へのダメージを軽減する役割を果たす。」 イ 「【発明の効果】 【0017】 本願のEUVマスクブランク及びマスクでは、吸収膜の膜厚がわずかにばらついても、OD値の変化が小さく、結果として、多層膜反射部と吸収膜との反射率の比で表せるコントラストにバラツキが無くなり、パターン転写に必要な十分な強度の反射光が安定して得られる。 【0018】 更に、本発明のパターン転写方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度良いパターン露光が長期間可能となり、その結果、電子デバイス等のパターンの製造を、高い歩留まりで行う事が出来る。 【発明を実施するための最良の形態】 【0019】 以下本発明を実施するための形態について説明する。 【0020】 図3は、本願発明のマスクに係る吸収膜と緩衝膜の組み合せを変えて、吸収膜膜厚に対してOD値を計算して求めた、膜厚とコントラストの特性の例である。横軸が吸収膜の膜厚(単位Å)、縦軸がOD値である。吸収膜としてはTaNまたはCr、緩衝膜としてはSiO_(2)またはRuを用いている。吸収膜/緩衝膜の組み合わせとして、TaN/SiO_(2)、Cr/SiO_(2)、TaN/Ruを例示した。これらは現在、主として提案されている材料である。EUV光は波長13.5nm、斜め6°入射、多層膜はMoとSiの40対、キャッピング層はSi110Å厚、緩衝膜膜厚は図3(a)で200Å、(b)では500Åとして計算している。 【0021】 図3から分かるように、EUV露光は波長が短く、反射光を使った露光であるために、膜材料や緩衝膜膜厚に依らず、OD値は周期的に変化しており、吸収膜の膜厚のわずかな誤差や面内ばらつきによる影響を受け易い。 この影響を低減する第一の方法は、吸収膜膜厚を図でOD値が極値になるような膜厚付近に設定することである。その際、OD値は大きい方が膜厚を薄くできるので、OD値の極大値に合わせることになる。OD値が極大ということは、OD値の定義式より、吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう、膜厚を設定することである。OD値は極値から1割程度の低下までは、パターン転写精度に影響が出ない。従って吸収膜の膜厚は、それぞれOD極値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるようにすればよい。・・・ 【0024】 図4は吸収膜の上層膜としてのSiの膜厚を変えてOD値を計算した例である。吸収膜の下層膜はTaNの800Å厚、緩衝膜はSiO_(2)の300Å厚としている。なお、吸収膜の下層膜を使わず、すべてSiのみで吸収膜とすることは、Siのβが小さいためにOD値が上がらず、吸収膜に大きな膜厚を要することとなるので不可である。 【0025】 図4を図3と比べると分かるように、図4では膜厚変化に対するOD値の変化幅が小さい。従って膜厚むらに対して安定したOD値が得られ、線幅精度の向上につながる。・・・ 【0032】 本発明のEUVマスクブランクやマスクは、基本的には従来どおりのマスク作製プロセスに準拠して作製できる。図1は本発明のEUVマスクの例を断面で示した説明図である。すなわち、Siウェハーやガラス基板1上に、例えばMoとSiからなる多層膜2、およびSiなどからなるキャッピング層3を、通常のマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などにより、積層して高反射領域とする。その上に低反射領域として、まず通常のマグネトロンスパッタリング法などにより緩衝膜4を形成する。その後吸収膜として、図1(a)においては単層膜の吸収膜5、図2(b)の場合は2層以上の多層膜からなる吸収膜6、7を成膜する。このときそれぞれの吸収膜は露光光に対する反射率が極小値付近となるような膜厚に設定する。このようにして本発明のEUVマスク用ブランクが完成する。・・・ 【0034】 このように作製したEUVマスクは、吸収膜の膜厚がわずかにばらついても、OD値の変化が小さく、結果として、多層膜反射部と吸収膜との反射率の比で表せるコントラストにバラツキが無くなり、パターン転写に必要な十分な強度の反射光が安定して得られる。」 (2)引用発明 上記(1)によれば、引用文献には、次の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されているものと認められる。 「基板上に、多層膜及びキャッピング層を積層した高反射領域と、その上に、緩衝膜及び露光光に対する反射率が極小値付近となるような膜厚に設定した吸収膜を積層した低反射領域とからなる、EUV露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランクであって、 前記吸収膜としてTaNを用い、 前記吸収膜の下層膜はTaNの800Å厚とし、 EUV光は波長13.5nmとし、 前記吸収膜の膜厚を、OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した、 EUV露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク。」 5 対比・判断 (1)本願発明と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「多層膜」及び「EUV露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク」は、本願発明の「反射層」及び「EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク」にそれぞれ相当する。 イ 引用発明の「基板上に、多層膜及びキャッピング層を積層した高反射領域と、その上に、緩衝膜及び」「吸収膜を積層した低反射領域とからなる、EUV露光を用いたフォトリソグラフィ工程で使用される、極限紫外線露光用反射型マスクを作製するためのブランク」は、本願発明の「EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層とが、この順に形成された」「EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク」に相当する。 ウ 引用発明の「TaNの800Å厚」である「吸収膜の下層膜」は、本願発明の「タンタル(Ta)および窒素(N)を主成分とし」「膜厚が、46nm以上、80nm以下であ」る「吸収層」に相当する。 エ 引用発明の「吸収膜の膜厚」は、「EUV光は波長13.5nmとし」、「OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した」ものであるところ、引用文献によれば、「OD値が極大ということは、OD値の定義式より、吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう、膜厚を設定することである」(上記「4」「(1)」「イ」 段落【0021】)から、13.5nmの波長における反射率が極小値になるよう設定され、かつ、極小値となる膜厚に対して、OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるように設定されているものであるといえる。 そうすると、引用発明の「EUV光は波長13.5nmとし」、「OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚の範囲内になるようにして、前記吸収膜を含む低反射領域の反射率を極小値になるよう膜厚を設定した」「吸収膜の膜厚」は、本願発明の「13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下、かつ、極小値となる膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように設定されている」「吸収層の膜厚」と、「13.5nmの波長における反射率が極小値となる膜厚、かつ、極小値となる膜厚に対して、所定の範囲内となるように設定されている」点で一致する。 オ 上記アないしエによれば、両者は 「EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、 前記吸収層が、タンタル(Ta)および窒素(N)を主成分とし、 前記吸収層の膜厚が、46nm以上、80nm以下であり、かつ、13.5nmの波長における反射率が極小値となる膜厚、かつ、極小値となる膜厚に対して、所定の範囲内となるように設定されているEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。」 である点で一致し、下記各点で相違する。 (ア)本願発明の「吸収層の膜厚」は、「13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が4.0%以下」「となる膜厚」であるのに対して、引用発明は「13.5nmの波長における反射率が極小値となる膜厚」である点(以下、「相違点1」という。)。 (イ)反射率が極小値となる膜厚に対する吸収層(膜)の膜厚の範囲が、本願発明は「±2.0%」の範囲内であるのに対して、引用発明は「OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚」の範囲内である点(以下、「相違点2」という。)。 (2)判断 ア 上記相違点1について検討する。 引用発明の「EUV光は波長13.5nm」であるところ、EUV光源が波長13.5nmのみの波長で発光するものではなく、所定の波長幅を持って発光するものであることは本願優先日当時の技術常識であるから、引用発明の「13.5nmの波長における反射率」は、実質的には、13.5nm付近の所定の範囲の波長域における反射率であるところ、これを13.5nm付近の所定の範囲の波長域における平均光線反射率とし、その所定の範囲を「13.3?13.7nmの波長域」とすることは、当業者が適宜設定できる事項にすぎない。 さらに、「吸収層(膜)」の機能に照らして当該反射率は小さいほどよく、適宜の上限を定めることは発明を実施するに際して当然のことであるところ、これを4%と定めることも、また、当業者が適宜設定できる事項にすぎない。 そして、本願明細書をみても、「4.0%以下」について、本願明細書の段落【0008】に、「一方、近年、パターン転写特性に関して、特定の波長(13.5nm)における光線反射率ではなく、特定範囲の波長域(13.3?13.7nm)における平均光線反射率の方が、パターン特性に影響を与えることがわかってきている。上記の波長域における平均光線反射率が4.0%以下であれば、パターン特性には問題ないことが予測されている。」と記載されるにとどまり、4%と定めることに格別の臨界的意義も認められない。 イ 上記相違点2について検討する。 反射率が極小値となる膜厚に対する吸収層(膜)の膜厚の範囲を、「OD値の極大値から1割程度減少したOD値に対応する膜厚」の範囲内と定めること、すなわち、OD値の極大値の±1割(±10%)程度の範囲に対応する膜厚とすることに代えて、膜厚自体の所定%の範囲内と定めることは、当業者が適宜変更できる設計的事項にすぎない。 また、その範囲を±2.0%とすることも、また、当業者が適宜変更できるものである。 そして、本願明細書をみても、「±2.0%」について、本願明細書の段落【0039】に、「13.3?13.7nmの波長域における平均光線反射率が極小値となる膜厚に対して、±2.0%の範囲内となるように、吸収層の膜厚、あるいは、吸収層および低反射層の合計膜厚を設定する。・・・当該範囲における平均光線反射率の変化は最大でも0.3%ときわめて小さい。このような平均光線反射率のきわめて小さい変化であれば、パターン特性に影響を及ぼすことはないと考えられる。」と記載されるにとどまり、当該反射率が極小値となる膜厚に対する吸収層(膜)の膜厚の範囲としての±2.0%に格別の臨界的意義も認められない。 (3)小括 以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 6 むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により、特許を受けることができないものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
審理終結日 | 2016-09-15 |
結審通知日 | 2016-09-20 |
審決日 | 2016-10-03 |
出願番号 | 特願2013-500989(P2013-500989) |
審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(H01L)
|
最終処分 | 不成立 |
前審関与審査官 | 佐野 浩樹、関口 英樹 |
特許庁審判長 |
伊藤 昌哉 |
特許庁審判官 |
松川 直樹 森 竜介 |
発明の名称 | EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク |
代理人 | 竹本 洋一 |
代理人 | 渡辺 望稔 |
代理人 | 三和 晴子 |