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審決分類 |
審判 査定不服 4項4号特許請求の範囲における明りょうでない記載の釈明 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H03F 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H03F |
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管理番号 | 1337427 |
審判番号 | 不服2015-16725 |
総通号数 | 220 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2018-04-27 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2015-09-11 |
確定日 | 2018-02-07 |
事件の表示 | 特願2014- 94812「線形性を改善するために可変マッチング回路を有する増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成26年 9月25日出願公開、特開2014-180014〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
理由 |
第1 手続の経緯 本願は、2010年8月16日(パリ条約による優先権主張 2009年8月14日、2010年2月3日 米国(US))を国際出願日とする特許出願の一部を平成26年5月1日に新たに特許出願したものであって、平成26年5月27日付けで手続補正がなされ、同年10月31日付け拒絶理由通知に対して平成27年1月26日付けで手続補正がなされたが、同年4月24日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年9月11日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成28年8月3日付け当審の拒絶理由通知に対して同年12月22日付けで手続補正がなされ、平成29年4月7日付け当審の最後の拒絶理由通知に対して同年8月8日付けで手続補正がなされたものである。 第2 平成29年4月7日付け当審の最後の拒絶理由の概要 当該最後の拒絶理由(以下、「先の拒絶理由」という。)の概要は以下のとおりである。 この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第1号、第2号に規定する要件を満たしていない。 記 (1)請求項1、請求項11、請求項15には「前記パワー増幅器は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり」と特定され、また、請求項19には「前記パワー増幅する手段は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり」と特定されているが、この第1のタイプと第2のタイプがどのように「異なる」か不明である。なお、請求項5及び請求項12の特定事項(第1のタイプである他のトランジスタはNMOS、第2のタイプであるトランジスタはPMOS)は明確であると認められる。よって、請求項5及び請求項12を除いた残りの請求項に係る発明は明確でない。 そして、請求項1、請求項11、請求項15、請求項19の解釈として、パワー増幅器(パワー増幅する手段)と可変キャパシタのトランジスタがとにかく「異な」りさえすれば何でも含まれるから、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項5及び請求項12を除いた残りの請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 (補正により、独立請求項から「前記トランジスタは、第1のキャパシタンス対電圧(CV)カーブを有し、前記他のトランジスタは、前記第1のCVカーブがちょうど反転された第2のCVカーブを有しており」が削除されたことにより、当該理由が発生したものである。) (2)請求項1、請求項11、請求項15、請求項19で補正された「前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタ」における「電圧」がどのような電圧か不明である。よって、請求項1ないし19に係る発明は明確でない。 (請求人は、平成28年12月22日付け意見書において、補正の根拠は図6と段落【0027】である旨を主張している。段落【0027】には「Vbias2」と記載されている点に注意されたい。) (3)請求項1、請求項11、請求項15、請求項19において、インダクタとシャント可変キャパシタ(トランジスタ)は、その両端がそれぞれ何と結合されているのか明記されているが、固定キャパシタは、一端の結合しか明記されておらず不明りょうである。また、固定キャパシタのもう一端がどこに結合されているのか明記がないので、固定キャパシタとインダクタ、シャント可変キャパシタ(トランジスタ)との配置関係(直列や並列などの接続関係)も不明である。なお、請求項10には、固定キャパシタの両端がそれぞれ何と結合されているのか明記されているので、明確である。よって、請求項10を除いた残りの請求項に係る発明は明確でない。 そして、請求項1、請求項11、請求項15、請求項19の解釈として、固定キャパシタの明記されていないもう一端の結合が特定されていないため、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項10を除いた残りの請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 (4)請求項1及び請求項11において「入力」とは、可変マッチング回路の入力と記載されているから、可変マッチング回路の入口(1箇所)を指すものと認められる。しかし、請求項6及び請求項13における「第1の入力」と「第2の入力」とは2つの入力(入口)があるとも解され、「第1」及び「第2」がどのような構成を示しているのか不明である。よって、請求項6及び9、請求項13及び14に係る発明は明確でない。 そして、請求項6、請求項13の解釈として、第1の入力と第2の入力とがそれぞれ別々の入力も含まれるから(例えば、第1の入力と第2の入力が並列接続されたもの。)、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。更に、請求項6、請求項13における「前記トランジスタの前記ドレイン及びソーズは回路グランドに結合される」ことは、本願明細書に記載のない事項である(段落【0027】によれば、ドレイン及びソースは、Vbias2に結合されると記載されている。ここで、グランドとVbias2が同一とは認められない。)。よって、請求項6及び9、請求項13及び14に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 (5)トランジスタのゲートは、請求項1では「入力」(可変マッチング回路の入力)に結合されると特定され、請求項9では「バイアス電圧」に結合されると特定されているが、入力とバイアス電圧とが同一ではないことからすると、バイアス電圧とはどこに設けられたものか明記がなく、入力とバイアス電圧との位置(配置)関係が不明である。また、バイアス電圧は、何を介してトランジスタのゲートと結合されているかも不明である。よって、請求項9に係る記載は明確でない。 そして、請求項9の解釈として、どこにどのように備えられたバイアス電圧であるか特定されていないので、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項9に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 第3 平成29年8月8日付けの手続補正についての補正却下の決定 [補正却下の決定の結論] 平成29年8月8日付けの手続補正を却下する。 [理由] 1.本件補正 平成29年8月8日付け手続補正(以下「本件補正」という。)は特許請求の範囲についてするもので、出願人は同日付け意見書において、本件補正前(平成28年12月22日付け手続補正書)の請求項1、請求項11、請求項15は、それぞれ本件補正の請求項1、請求項8、請求項11とした旨を主張している。 そのうち請求項11については、 本件補正前(平成28年12月22日付け手続補正書の請求項15)に、 「出力無線周波数(RF)信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数(RF)信号を増幅することと、 可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、 を備え、 前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、トランジスタとを含むシャント可変キャパシタを備え、 前記パワー増幅器は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり、 前記可変マッチング回路は、 前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、 前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている 信号増幅の方法。」 とあったところを、 本件補正により、 「出力無線周波数(RF)信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数(RF)信号を増幅することと、前記パワー増幅器は、NMOSトランジスタを備え、 可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、 を備え、 前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、PMOSトランジスタとを含むシャント可変キャパシタを備え、 前記可変マッチング回路は、 前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び、回路グランド又はバイアス電圧を備える電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、 前記PMOSトランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 前記固定キャパシタの第1の入力は、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記固定キャパシタの第2の入力は、前記電圧が前記バイアス電圧を備えるとき、前記回路グランドに結合され、前記固定キャパシタの前記第2の入力は、前記電圧が前記回路グランドを備えるとき、前記PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、 信号増幅の方法。」 とするものである。 なお、下線部は補正箇所を示すもので、当審で付与した。 2.補正の適否 審判請求人は平成29年8月8日付け意見書において、本件補正による請求項11(以下、「本件補正11」という。)は、本願の図6及び明細書の段落【0036】の実施形態の両方を表すように、固定キャパシタの結合がより明確になるように補正をした旨を主張している。 そこで、本件補正11(特に後段)における補正の適否を検討する。 本願の図6(本願明細書の段落【0027】も合わせて参照。)には、「固定キャパシタ540」の一方が「ノードA(可変マッチング回路の入力)」と結合され、他方が「回路/ACグランド」と結合されていることが記載されている。また、「PMOSトランジスタ542」のゲートが「ノードA(可変マッチング回路の入力)」と結合され、ドレイン及びソースが「Vbias2電圧」と結合されていることが記載されている。 そうすると、本件補正11のうち、電圧としてバイアス電圧を備える場合についての「前記可変マッチング回路の前記入力及び、・・・バイアス電圧を備える電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、前記PMOSトランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、前記固定キャパシタの第1の入力は、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記固定キャパシタの第2の入力は、前記電圧が前記バイアス電圧を備えるとき、前記回路グランドに結合され、・・・」(下線は当審で付与した。)は、本願明細書及び図面に記載されている事項であり、明確な事項と認められる。 一方、本願明細書の段落【0036】に記載された実施形態には、固定キャパシタ540とPMOSトランジスタ542を(図6に示すように並列接続する代わりに、)直列に結合させたものであって、「固定キャパシタ540」の一方が「ノードA(可変マッチング回路の入力)」と結合され、他方が「PMOSトランジスタ542のゲート」と結合されていることが記載されている。また、「PMOSトランジスタ542」のゲートが「固定キャパシタ540、Vbias2電圧」と結合され、ドレイン及びソースが「回路/ACグランド」に結合されていることが記載されている。 しかしながら、本件補正11のうち、電圧として回路グランドを備える場合についての「前記可変マッチング回路の前記入力及び、回路グランド・・・を備える電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、前記PMOSトランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、前記固定キャパシタの第1の入力は、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、・・・前記固定キャパシタの前記第2の入力は、前記電圧が前記回路グランドを備えるとき、前記PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され」(下線は当審で付与した。)は、PMOSトランジスタのゲートが可変マッチング回路の入力に結合された構成を前提としているから、固定キャパシタの2つの入力は結果的に同じ「可変マッチング回路の入力」と結合されることになり、つまり、固定キャパシタが入力(線)に対して並列接続されるような矛盾した構成を備えることになるし、このような構成は本願明細書及び図面にサポートされていない事項でもある。 なお、本件補正11は、本件補正前の請求項1と請求項6、請求項9と同様の構成を含むものとなり、先の拒絶理由の(4)及び(5)(上記「第2(4)、(5)」を参照。)を依然として解消していない。 よって、本件補正11は、特許法第17条の2第5項第4号に掲げる「明りょうでない記載の釈明(拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。)」を目的とするものに該当しない。 また、本件補正11が、同項第1号に掲げる「請求項の削除」を目的とするもの、同項第2号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするもの(トランジスタと固定キャパシタの結合関係を追加し、2通りの結合関係を含めたため、寧ろ特許請求の範囲の拡張といえる。)、若しくは同項第3号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当しないのは明らかである。 3.むすび 本件補正は,特許法第17条の2第5項の規定に違反するので,同法第159条第1項において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 第4 本願について 1.本願の特許請求の範囲 平成29年8月8日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項1ないし19(以下、「本願の請求項1ないし19」という。)は、平成28年12月22日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲のとおりのものである。 【請求項1】 入力無線周波数(RF)信号を受信し、増幅し、出力RF信号を提供するパワー増幅器と、 固定キャパシタおよびトランジスタを含むシャント可変キャパシタを備え、前記パワー増幅器に結合され、入力における固定インピーダンスを、前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンスに一致させる可変マッチング回路とを備え、 前記パワー増幅器は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり、 前記可変マッチング回路は、 前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、 前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている装置。 【請求項2】 前記パワー増幅器の前記入力における前記可変インピーダンスは、前記入力RF信号の電力レベル対前記パワー増幅器の可変入力キャパシタンスに起因する請求項1の装置。 【請求項3】 前記可変マッチング回路に結合され、第1のRF信号を受信し、増幅し、前記可変マッチング回路に第2のRF信号を提供するドライバ増幅器 を更に備える請求項1の装置。 【請求項4】 前記可変マッチング回路の前記入力における前記固定インピーダンスは、前記ドライバ増幅器のターゲット出力インピーダンスと等しい 請求項3の装置。 【請求項5】 前記他のトランジスタは、NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)トランジスタを含み、 前記トランジスタは、PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)トランジスタを含む 請求項1の装置。 【請求項6】 第1の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第2の入力は前記トランジスタのゲートに結合され、 前記トランジスタの前記ドレイン及びソースは回路グランドに結合される、 請求項1の装置。 【請求項7】 前記他のトランジスタは、前記トランジスタの前記ゲートに印加される第1のバイアス電圧を受信するゲートを備え、 前記トランジスタは、第2のバイアス電圧を受信する前記ドレイン及び前記ソースを更に有する 請求項1の装置。 【請求項8】 前記第2のバイアス電圧は可変であり、前記入力RF信号の電力レベルに基づいてセットされる 請求項7の装置。 【請求項9】 前記トランジスタのゲートに結合されるバイアス電圧を更に備える 請求項6の装置。 【請求項10】 第1の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第2の入力はグランドに結合され、前記固定キャパシタの前記第1の入力と前記トランジスタの前記ゲートは同じノードに結合される 請求項7の装置。 【請求項11】 第1の無線周波数(RF)信号を受信し、増幅し、第2のRF信号を提供するドライバ増幅器と、 第3のRF信号を受信し、増幅し、第4のRF信号を提供するパワー増幅器と、 固定キャパシタおよびトランジスタを含むシャント可変キャパシタを備え、前記ドライバ増幅器及び前記パワー増幅器の間に結合され、前記第2のRF信号を受信し、前記第3のRF信号を提供し、前記ドライバ増幅器の出力における固定インピーダンスを、前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンスに一致させる可変マッチング回路と、 を備え、 前記パワー増幅器は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり、 前記可変マッチング回路は、 前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、 前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の入力に結合されている集積回路。 【請求項12】 前記パワー増幅器は、NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)トランジスタを含み、 前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)トランジスタを含む 請求項11の集積回路。 【請求項13】 第1の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第2の入力は前記トランジスタのゲートに結合され、 前記トランジスタの前記ドレイン及びソースは回路グランドに結合される、 請求項11の集積回路。 【請求項14】 前記可変マッチング回路の前記シャント可変キャパシタは、並列に結合される前記トランジスタ及び前記固定キャパシタを備え、 前記トランジスタは、前記第3のRF信号の電力レベル対可変キャパシタンスを提供する 請求項13の集積回路。 【請求項15】 出力無線周波数(RF)信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数(RF)信号を増幅することと、 可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、 を備え、 前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、トランジスタとを含むシャント可変キャパシタを備え、 前記パワー増幅器は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり、 前記可変マッチング回路は、 前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、 前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている 信号増幅の方法。 【請求項16】 ドライバ増幅器で第1のRF信号を増幅することと、 前記可変マッチング回路へ第2のRF信号を提供することと、 を更に備える請求項15の方法。 【請求項17】 前記入力RF信号を増幅することは、前記パワー増幅器における他のトランジスタで前記入力RF信号を増幅することを備え、 前記インピーダンス・マッチングを実行することは、前記入力RF信号の電力レベル対前記他のトランジスタのキャパシタンスの変化について補正するために前記可変マッチング回路における前記トランジスタのキャパシタンスを変化させることを含む 請求項15の方法。 【請求項18】 前記入力RF信号の電力レベルに基づいて、前記トランジスタのバイアス電圧を調整することを更に備える 請求項17の方法。 【請求項19】 出力無線周波数(RF)信号を得るために、入力無線周波数(RF)信号をパワー増幅する手段と、 インピーダンス・マッチングを実行する手段の入力における固定インピーダンスと、前記パワー増幅する手段の入力における可変インピーダンスとの間の前記インピーダンス・マッチングを実行する手段と、 を備え、 可変マッチング回路によって、前記インピーダンス・マッチングを実行する手段は、前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、 前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合されたシャント可変キャパシタと含み、 前記パワー増幅する手段は、第1のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第1のタイプとは異なる第2のタイプであり、 前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、 固定キャパシタは、前記インピーダンス・マッチングを実行する手段の入力に結合されている 装置。 2.先の拒絶理由通知の記載事項 上記「第2 」に記載したとおりである。 3.判断 先の拒絶理由に対して、審判請求人は、平成29年8月8日付け意見書において主張をしている。 しかしながら、本件補正は上記のとおり却下されたので、特許請求の範囲の記載に基づかないものとなった意見書の主張は採用することができない。 そして、本願の請求項1ないし19は、先の拒絶理由(1)ないし(5)に記載のとおり、明確でない事項、発明の詳細な説明に記載したものではない事項を含んだままのものであるから、先の拒絶の理由を解消したものではない。 4.むすび 以上、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第36条第6項第1号、第2号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
審理終結日 | 2017-09-01 |
結審通知日 | 2017-09-05 |
審決日 | 2017-09-22 |
出願番号 | 特願2014-94812(P2014-94812) |
審決分類 |
P
1
8・
574-
WZ
(H03F)
P 1 8・ 537- WZ (H03F) |
最終処分 | 不成立 |
前審関与審査官 | 白井 孝治 |
特許庁審判長 |
井上 信一 |
特許庁審判官 |
関谷 隆一 酒井 朋広 |
発明の名称 | 線形性を改善するために可変マッチング回路を有する増幅器 |
代理人 | 井関 守三 |
代理人 | 福原 淑弘 |
代理人 | 蔵田 昌俊 |
代理人 | 奥村 元宏 |