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審決分類 審判 訂正 ただし書き2号誤記又は誤訳の訂正 訂正する H01L
管理番号 1345100
審判番号 訂正2018-390113  
総通号数 228 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2018-12-28 
種別 訂正の審決 
審判請求日 2018-08-08 
確定日 2018-09-28 
訂正明細書 有 
事件の表示 特許第6359669号に関する訂正審判事件について,次のとおり審決する。 
結論 特許第6359669号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり,訂正後の請求項〔12-15〕について訂正することを認める。 
理由 第1 手続の経緯
本件訂正審判の請求に係る特許第6359669号(以下,「本件特許」という。)は,平成26年(2014年)9月8日(パリ条約による優先権主張 外国庁受理 2013年9月10日,米国)を国際出願日とする外国語特許出願(PCT/US2014/054487(以下,「国際出願」という。) 特願2016-540454号)であって,その請求項1ないし15に係る発明について,平成30年6月29日に特許権の設定登録がなされ,同年8月8日に本件訂正審判の請求がなされたものである。

第2 請求の趣旨及び訂正事項
1 請求の趣旨
本件訂正審判の請求の趣旨は「特許第6359669号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項12?15について訂正することを認める、との審決を求める。」というものである。

2 訂正事項
特許請求の範囲の請求項12に「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」と記載されているのを,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」に訂正する(請求項12の記載を引用する請求項13?15も同様に訂正する)。

第3 当審の判断
1 訂正の目的について(下線は,当審で付与した。以下,同じ。)
本件における国際出願の明細書,請求の範囲又は図面(以下,「本件国際出願時明細書等」という。)の特許請求の範囲の請求項12(以下,「英文特許請求の範囲」という。)には,
「12. A temperature probe for measuring the temperature of a substrate during a semiconductor manufacturing processing comprising:
a gas chamber having an opening disposed within a dielectric plate of a platen, the platen configured to support a substrate;
a temperature sensor for measuring the temperature of the substrate;
a temperature sensor contact in thermal contact with the temperature sensor;
a gas chamber having an opening, the gas chamber disposed around the temperature sensor;
a seal disposed around the opening in the gas chamber, the seal configured to seal the opening in the gas chamber against the substrate; and
a spring disposed within the gas chamber, the spring biased place the temperature sensor contact in contact with the substrate. 」
と記載されているが,本件特許の特許請求の範囲の請求項12には
「【請求項12】
半導体製造処理に際して基板の温度を測定する温度プローブにおいて、該温度プローブが、
基板を支持するように構成されたプラテンの誘電体プレート内に配置され、温度センサを囲むように配置され、開口を有しているガス室と、
前記基板の温度を測定する前記温度センサと、
該温度センサと熱接触している温度センサ接点と、
前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対し封止するように構成された当該シール部材と、
前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
を具えている温度プローブ。」
と記載されている。
ここで,英文特許請求の範囲の「a spring disposed within the gas chamber, the spring biased place the temperature sensor contact in contact with the substrate.」の正しい翻訳は「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」と認められるから,本件特許の特許請求の範囲の請求項12の「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」との翻訳は,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」の誤訳であることは明白である。
そうすると,訂正事項に係る訂正は,本件特許の特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正である。
同様に,訂正後の請求項13ないし15は,訂正後の請求項12に記載された「前記温度センサ接点を」との記載を引用することにより,訂正後の請求項13ないし15に係る発明の誤訳訂正をするものである。
したがって,訂正事項は,特許法第126条第1項ただし書き第2号の「誤記又は誤訳の訂正」を目的としたものに該当する。

2 一群の請求項について
訂正前の請求項13ないし15は,いずれも,訂正前の請求項12を引用するものであるから,訂正前の請求項12ないし15は,一群の請求項を構成する。
そして,訂正事項は,当該一群の請求項ごとに訂正を請求するものであるから,特許法第126条第3項の規定に適合する。

3 新規事項の有無
訂正事項に係る訂正後の,「前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと」との記載に関し,上記「1」における検討により,訂正事項に係る訂正は,本件国際出願時明細書等に記載した事項の範囲内のものといえる。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第184条の19の規定による同法第126条第5項の規定に適合する。

4 特許請求の範囲の拡張・変更の有無
訂正事項に係る訂正は,特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正であるから,訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく,実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第6項の規定に適合する。

5 独立特許要件
訂正事項に係る訂正は,特許請求の範囲の明白な誤訳を本来の翻訳に正す訂正であり,訂正事項による訂正後の特許請求の範囲の請求項12ないし15に係る発明は,拒絶すべき理由を有しないとして特許された訂正前の特許発明と同一であるから,特許出願の際独立して特許を受けることができない発明ではないことは明らかである。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第7項の規定に適合する。

第4 むすび
以上のとおりであるから,本件訂正審判に係る訂正は,特許法第126条第1項ただし書き第2号に掲げる事項を目的とし,同法第184条の19の規定による同法第126条第5項並びに同法第126条第3項及び第6,7項の規定に適合する。
よって,結論のとおり審決する。
 
発明の名称 (57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体製造処理に際しての基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが、
基板の温度を測定する温度センサと、
開口を有し、前記温度センサを囲むように配置されたガス室と、
前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対して封止するように構成された当該シール部材と、
前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
を具えている基板温度測定用アセンブリ。
【請求項2】
請求項1に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えており、該ガス源は前記ガス室を8?10トルの圧力に加圧しうるようになっている基板温度測定用アセンブリ。
【請求項3】
請求項1に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、該基板温度測定用アセンブリが更に、前記ガス室内に配置された温度センサ接点を具えており、前記温度センサは前記温度センサ接点と熱接触しており、前記スプリングが前記温度センサ接点を前記基板と接触配置するように押圧するようになっている基板温度測定用アセンブリ。
【請求項4】
請求項3に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、前記温度センサは、前記温度センサ接点の第1の表面の上に配置され、該第1の表面は前記温度センサ接点の第2の表面とは反対側にあり、該第2の表面は前記基板と接触するように構成されている基板温度測定用アセンブリ。
【請求項5】
請求項3に記載の基板温度測定用アセンブリにおいて、前記温度センサは前記温度センサ接点内に埋め込まれているようにした基板温度測定用アセンブリ。
【請求項6】
半導体製造処理に際しての基板支持用プラテンにおいて、該基板支持用プラテンが、
基板を支持する誘電体プレートと、
該誘電体プレート内に配置され、前記基板の温度を測定する温度プローブと
を具えており、前記温度プローブが、
前記基板の温度を測定する温度センサと、
開口を有し、前記温度センサを囲むように配置されたガス室と、
前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対して封止するように構成された当該シール部材と、
前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサを前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
を具えている基板支持用プラテン。
【請求項7】
請求項6に記載の基板支持用プラテンにおいて、該基板支持用プラテンが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えており、該ガス源は前記ガス室を8?10トルの圧力に加圧しうるようになっている基板支持用プラテン。
【請求項8】
請求項7に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記ガスは希ガスである基板支持用プラテン。
【請求項9】
請求項6に記載の基板支持用プラテンにおいて、この基板支持用プラテンが更に、前記ガス室内に配置された温度センサ接点を具えており、前記温度センサは前記温度センサ接点と熱接触しており、前記スプリングが前記温度センサ接点を前記基板と接触配置するように押圧するようになっている基板支持用プラテン。
【請求項10】
請求項9に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記温度センサは、前記温度センサ接点の第1の表面の上に配置され、該第1の表面は前記温度センサ接点の第2の表面とは反対側にあり、該第2の表面は前記基板と接触するように構成されている基板支持用プラテン。
【請求項11】
請求項9に記載の基板支持用プラテンにおいて、前記温度センサは前記温度センサ接点内に埋め込まれているようにした基板支持用プラテン。
【請求項12】
半導体製造処理に際して基板の温度を測定する温度プローブにおいて、該温度プローブが、
基板を支持するように構成されたプラテンの誘電体プレート内に配置され、温度センサを囲むように配置され、開口を有しているガス室と、
前記基板の温度を測定する前記温度センサと、
該温度センサと熱接触している温度センサ接点と、
前記ガス室における前記開口を囲むように配置されたシール部材であって、前記ガス室における前記開口を前記基板に対し封止するように構成された当該シール部材と、
前記ガス室内に配置されたスプリングであって、前記温度センサ接点を前記基板に接触配置させるように押圧する当該スプリングと
を具えている温度プローブ。
【請求項13】
請求項12に記載の温度プローブにおいて、該温度プローブが更に、前記ガス室をガスで加圧するように構成されたガス源を具えている温度プローブ。
【請求項14】
請求項13に記載の温度プローブにおいて、前記ガス源は前記ガス室を8?10トルの圧力に加圧するように構成されている温度プローブ。
【請求項15】
請求項14に記載の温度プローブにおいて、前記ガスは希ガスである温度プローブ。
 
訂正の要旨 審決(決定)の【理由】欄参照。
審理終結日 2018-08-31 
結審通知日 2018-09-04 
審決日 2018-09-18 
出願番号 特願2016-540454(P2016-540454)
審決分類 P 1 41・ 852- Y (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 小川 将之  
特許庁審判長 加藤 浩一
特許庁審判官 恩田 春香
小田 浩
登録日 2018-06-29 
登録番号 特許第6359669号(P6359669)
発明の名称 温度プローブ、基板温度測定用アセンブリ及び基板支持用プラテン  
代理人 杉村 憲司  
代理人 塚中 哲雄  
代理人 塚中 哲雄  
代理人 杉村 憲司  
代理人 石川 雅章  
代理人 石川 雅章  

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