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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2008/09/22 不服
2004 -25871  		単結晶の育成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立化成工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/06/17 不服
2006 -7364  		超電導体の作製方法及び反応装置 本件審判の請求は、成り立たない。 恩田 誠   アメリカン スーパーコンダクター コーポレイション   原文 保存
 パリ条約 　
2008/04/14 不服
2004 -25341  		CZ法シリコン単結晶引上炉及びそのヒータ 本件審判の請求は、成り立たない。   コバレントマテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/04/14 不服
2006 -3043  		セメントキルン排ガスのNOｘ低減装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三菱マテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/03/04 不服
2004 -3244  		単結晶成長方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社スーパーシリコン研究所   原文 保存
該当なし 　
2008/02/19 不服
2003 -22055  		結晶基板およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 谷澤 靖久 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/01/28 不服
2003 -5987  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 弘一 その他   富士通株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/01/28 不服
2004 -10916  		単結晶の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/01/23 不服
2005 -463  		シリコン単結晶インゴットの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 関口 俊三   コバレントマテリアル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2008/01/16 不服
2004 -24466  		シリコン半導体基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 藤井 敏史 その他   シルトロニック・ジャパン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/11/27 不服
2003 -11135  		結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/08/22 不服
2003 -23813  		ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/04/23 不服
2003 -6817  		化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。 二島 英明 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/04/09 不服
2003 -11133  		シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/03/05 不服
2003 -11132  		シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/02/26 不服
2003 -22394  		排ガス処理方法及び排ガス処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 松島 鉄男 その他   三菱重工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/02/19 不服
2003 -11727  		シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位) 　
2007/02/07 不服
2003 -11134  		シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/29 不服
2002 -21341  		高抵抗値単結晶シリコン 本件審判の請求は、成り立たない。   ジャパンスーパークォーツ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/17 不服
2003 -15451  		希土類珪酸塩単結晶 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 長谷川 芳樹   日立化成工業株式会社   原文 保存
該当なし 　
2007/01/11 不服
2003 -3018  		結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造されたシリコン単結晶およびシリコンウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/28 不服
2004 -274  		結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャルシリコンウエハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青山 葆   エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2006/11/22 不服
2003 -3016  		単結晶の製造装置および製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/11/07 不服
2005 -15980  		セメント混和用微粉末 本件審判の請求は、成り立たない。   太平洋セメント株式会社   原文 保存
 明確性 　
2006/10/02 不服
2003 -16979  		シリコン単結晶の製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/09/05 不服
2002 -14255  		薄膜を成長させるための方法と装置 本件審判の請求は、成り立たない。 藤野 育男 その他   エイエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.   原文 保存
該当なし 　
2006/08/21 不服
2003 -2929  		半導体単結晶製造装置 本件審判の請求は、成り立たない。   コマツ電子金属株式会社   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位) 　
2006/02/27 不服
2001 -6060  		不純物ドーピングの方法 本件審判の請求は、成り立たない。   セイコーインスツル株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/02/13 不服
2005 -2199  		シリコンウエーハおよびその製造方法ならびにシリコンウエーハの評価方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2006/01/19 不服
2002 -15886  		シリコン単結晶ウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　

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