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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2003/10/10 不服
2001 -6751 
絶縁ゲート型静電誘導トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人半導体研究振興会   原文 保存
該当なし  
2003/09/29 不服
2001 -11142 
超小型CCDモジュール 本件審判の請求は、成り立たない。 磯山 弘信 その他   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/29 不服
2001 -1272 
電界効果トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 朝日奈 宗太   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/09/25 不服
2001 -11734 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/08/18 不服
2001 -8533 
半導体装置及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   カシオ計算機株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/07/18 不服
2000 -15817 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セイコーインスツルメンツ株式会社   原文 保存
該当なし  
2003/07/15 不服
2001 -2250 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/11/28 不服
2000 -19081 
トレンチ構造の縦型のノーマリーオン型のパワーMOSFETおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 中村 誠 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2002/10/09 異議
2001 -70740 
基板上の膜を選択的に加熱する方法 特許第3086489号の請求項1ないし14に係る特許を取り消す。 増井 忠弐 その他     原文 保存
該当なし  
2002/08/21 審判
1999 -13191 
横型MOSトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2002/07/31 異議
2001 -72906 
半導体装置 訂正を認める。 特許第3185474号の請求項1に係る特許を取り消す。 作田 康夫     原文 保存
該当なし  
2002/07/24 異議
2001 -71652 
超小型電子回路基板の改良された洗浄方法 訂正を認める。 特許第3117427号の請求項1ないし4に係る特許を維…… 坂口 博 その他     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2002/07/03 不服
2001 -9216 
トランジスタの製法 本件審判の請求は、成り立たない。 浅村 皓 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
該当なし  
2002/05/27 異議
2001 -73521 
半導体装置 特許第3182848号の請求項1乃至5に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2002/04/25 異議
2002 -70290 
基準電圧発生回路 特許第3195770号の請求項に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2002/01/29 不服
2001 -5327 
減圧処理装置 原査定を取り消す。 本件出願の発明は、特許すべきものとする。   住友重機械工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/12/06 審判
1999 -10308 
外観検査用基準パターンの作成方法 原査定を取り消す。 本願の請求項1〜3に係る発明は、特許すべき…… 筒井 大和   株式会社日立製作所 日立東京エレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/11/30 不服
2000 -14476 
MOSFETの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 玉真 正美 その他   エスジーエス‐トムソン、マイクロエレクトロニクス、リミテッド   原文 保存
該当なし  
2001/08/13 異議
2000 -73480 
遠距離通信システム 特許第3020459号の請求項1に係る特許を取り消す。 鈴江 武彦 その他     原文 保存
該当なし  
2001/06/27 審判
1998 -9602 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
 分割出願(出願分割)  29条の2(拡大された先願の地位)  
2001/05/15 不服
2000 -2364 
トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/03/30 審判
1999 -13460 
半導体デバイスの生産方法及びその製造設備 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2001/03/12 審判
1998 -2314 
固体撮像素子 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 修一 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2001/03/07 審判
1999 -15947 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2001/01/31 審判
1998 -12465 
電子部品用複合構造及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ダイムラークライスラー・アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
該当なし  
2000/11/22 異議
2000 -70692 
固体撮像装置の製造方法 特許第2945440号の請求項1に係る特許を維持する。 佐々木 晴康 その他     原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2000/11/22 異議
1999 -74951 
SOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法 訂正を認める。 特許第2914009号の請求項1〜3に係る特許を維持す…… 岡田 希子 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2000/11/06 異議
1999 -74579 
半導体基板の洗浄方法 訂正を認める。 特許第2901705号の請求項1に係る特許を維持する。 外川 英明     原文 保存
 新規事項の追加  
2000/09/19 異議
2000 -70009 
基板表面処理装置および基板表面処理方法 特許第2915205号の請求項1ないし2に係る特許を取り消す。     原文 保存
該当なし  
2000/08/15 審判
1999 -15793 
プレーナ型半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  

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