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加藤 俊哉
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2010/01/22
不服
2007 -22042
半導体集積回路、インクカートリッジ及びインクジェット記録装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
須澤 修 その他
セイコーエプソン株式会社
原文
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該当なし
2009/09/08
不服
2006 -17757
メモリのメイン増幅器
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山川 茂樹 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
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パリ条約
2009/08/31
不服
2006 -27309
不揮発性強誘電体メモリ装置及びその駆動方法
本件審判の請求は,成り立たない。
山川 茂樹 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
該当なし
2009/08/27
不服
2006 -4488
メモリアーキテクチャ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
矢野 敏雄 その他
ハンス-ユルゲン マタウシュ シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
原文
保存
パリ条約
2009/08/17
不服
2006 -5121
記録可能なメモリセルを備えた集積メモリの駆動方法および対応する集積メモリ
本件審判の請求は、成り立たない。
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
原文
保存
該当なし
2009/08/17
不服
2007 -1033
モードレジスタ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/08/05
不服
2006 -14623
電流感知増幅器及びそれを有する半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村山 靖彦 その他
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/07/27
不服
2006 -29065
データ読み出し回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
掛樋 悠路 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/07/27
不服
2006 -26722
半導体メモリ装置の内部電源電圧発生回路
本件審判の請求は,成り立たない。
実広 信哉 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/07/23
不服
2007 -20778
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
OKIセミコンダクタ株式会社
原文
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新規事項の追加
2009/07/23
不服
2006 -17253
DRAMキャッシュ・メモリ中のデータをリフレッシュする方法および装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
パリ条約
2009/07/23
不服
2006 -6665
メモリデバイスにおけるローカル制御信号発生のための方法および装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
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パリ条約
2009/06/17
不服
2006 -17758
不揮発性強誘電体メモリ及びその制御回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
紺野 正幸 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/05/25
不服
2007 -23521
不揮発性レジスタおよびデ-タにアクセスする方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2009/05/14
不服
2006 -22112
不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
西山 修 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/05/08
不服
2006 -11565
半導体メモリ装置のアドレス入力バッファ
本件審判の請求は、成り立たない。
村山 靖彦 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/28
不服
2006 -19910
メモリ・システム、半導体メモリ装置およびシンクロナス・メモリ装置の動作方法
本件審判の請求は、成り立たない。
谷 義一 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
新規事項の追加
2009/04/24
不服
2006 -12093
プレート線がカラムデコーダにより選択される集積強誘電性メモリ
本件審判の請求は、成り立たない。
森下 夏樹 その他
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
原文
保存
該当なし
2009/03/30
不服
2006 -7788
並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリセルを具備したメモリ装置及び並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリ回路
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
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新規事項の追加 パリ条約
2009/03/30
不服
2006 -9962
マルチバンクメモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/03/09
不服
2006 -2931
メモリセル読み出し方法
本件審判の請求は、成り立たない。
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
原文
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該当なし
2009/03/03
不服
2006 -26677
単一線読み戻しを備えたメモリセルおよびその運転方法
本件審判の請求は、成り立たない。
林 鉐三 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
原文
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該当なし
2009/02/16
不服
2006 -23679
不揮発性半導体メモリの書換え方法
本件審判の請求は、成り立たない。
恩田 誠
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2009/02/12
不服
2006 -24278
半導体装置の内部電源電圧生成回路の制御方法、半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路の制御方法及び半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
恩田 誠
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/02/06
不服
2006 -5150
調整可能出力ドライバ回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2009/02/03
不服
2006 -13741
半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
黒川 弘朗 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/01/26
不服
2006 -16146
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
林 恒徳
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/14
不服
2006 -1801
JTAGによるSDRAM回路テスト方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/17
不服
2006 -3091
不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法
本件審判の請求は、成り立たない。
黒川 弘朗 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
新規事項の追加 パリ条約
2008/12/09
不服
2008 -15244
ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
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