| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2011/02/07
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不服
2008
-16402
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アニールウェーハの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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石原 進介
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/07
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不服
2008
-12378
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半導体集積回路および電子機器
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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木村 信行
その他
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日本電信電話株式会社
セイコーインスツル株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/04
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不服
2009
-7763
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半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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伊東 忠彦
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/03
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不服
2008
-2179
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シリコン・ゲルマニウム・バイポーラ・トランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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上野 剛史
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/03
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不服
2008
-28885
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半導体装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ミツミ電機株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/01
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不服
2008
-8981
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配線の接続構造
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本件審判の請求は,成り立たない。
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中島 淳
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/28
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不服
2008
-31704
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薄膜トランジスタ及びそれを備えた表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置並びに欠陥修正方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/24
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不服
2008
-20981
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スタティック型半導体記憶装置およびその制御方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/20
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不服
2009
-411
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強磁性トンネル接合素子およびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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河井 将次
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/20
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不服
2008
-10225
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改良二重ダマスク構造体
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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久野 琢也
その他
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シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/13
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不服
2008
-18495
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半導体素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/11
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不服
2008
-15137
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DRAM回路とその動作方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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上野 剛史
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/07
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不服
2008
-16306
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半導体装置及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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中村 誠
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/07
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不服
2008
-8003
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半導体装置および電力変換装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/01/05
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不服
2008
-21292
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単一ウエハアニーリングオーブン
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本件審判の請求は、成り立たない。
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ウエファーマスターズ, インコーポレイテッド
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
新規事項の追加
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2010/12/28
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不服
2008
-10964
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固体撮像装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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パナソニック株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2010/12/27
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不服
2008
-11373
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四元系-三元系半導体デバイス
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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大塚 就彦
その他
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レイセオン カンパニー
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/27
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不服
2008
-15152
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薄膜トランジスター
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本件審判の請求は、成り立たない。
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統寶光電股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/09
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不服
2007
-30068
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TFTのためのSi層の金属誘起による自己整合結晶化を用いる半導体デバイス、トップ・ゲート形TFTおよび該トップ・ゲート形TFTの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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エーユー オプトロニクス コーポレイション
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/09
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不服
2007
-29814
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オーミック電極構造体の製造方法、接合型FET又は接合型SITのオーミック電極構造体の製造方法、及び半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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三好 秀和
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日産自動車株式会社
独立行政法人産業技術総合研究所
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/07
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不服
2007
-31027
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リードフレーム,及び,半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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金本 哲男
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/07
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不服
2008
-14303
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ゲート-ボディーコンタクト薄膜トランジスター
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本件審判の請求は、成り立たない。
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三星モバイルディスプレイ株式會社
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原文
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保存
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新規事項の追加
パリ条約
新規性
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2010/12/06
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不服
2007
-31732
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半導体記憶装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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村松 貞男
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2010/12/03
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不服
2008
-7193
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アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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石原 進介
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信越半導体株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/30
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不服
2007
-32126
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基板処理方法及び基板処理装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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廣澤 哲也
その他
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株式会社荏原製作所
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/30
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不服
2007
-30033
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半導体素子の金属配線形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/30
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不服
2008
-7207
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高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2010/11/25
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不服
2008
-5524
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半導体装置の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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野本 可奈
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/24
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不服
2008
-22775
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トランジスタの製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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原 謙三
その他
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シャープ株式会社
川崎 雅司
大野 英男
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原文
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保存
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該当なし
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2010/11/24
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不服
2007
-35243
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フラッシュメモリセルの製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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