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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2009/03/02
不服
2006 -10128
高耐圧ダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
小林 茂
日産自動車株式会社
原文
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該当なし
2009/03/02
不服
2007 -21754
二重層を有する半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
白根 俊郎 その他
ミクロナス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
原文
保存
新規事項の追加 パリ条約
2009/02/23
不服
2006 -8211
積層セラミックコンデンサ
本件審判の請求は、成り立たない。
太陽誘電株式会社
原文
保存
該当なし
2009/02/23
不服
2005 -24277
半導体集積回路装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
市川 利光 その他
ローム株式会社
原文
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該当なし
2009/02/23
不服
2006 -17784
データストローブ信号制御方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
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パリ条約
2009/02/16
不服
2006 -23679
不揮発性半導体メモリの書換え方法
本件審判の請求は、成り立たない。
恩田 誠
株式会社デンソー
原文
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該当なし
2009/02/12
不服
2006 -24278
半導体装置の内部電源電圧生成回路の制御方法、半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路の制御方法及び半導体記憶装置の内部電源電圧生成回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
恩田 博宣
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
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該当なし
2009/02/09
不服
2006 -7319
半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
吉武 賢次 その他
株式会社東芝
原文
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該当なし
2009/02/06
不服
2006 -5150
調整可能出力ドライバ回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大菅 義之
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
該当なし
2009/02/03
不服
2006 -13741
半導体メモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
黒川 弘朗 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/01/26
不服
2006 -2684
アニールウェーハの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/23
不服
2007 -31844
高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
大塚 文昭 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
原文
保存
該当なし
2009/01/14
不服
2006 -7948
強誘電体記憶装置、記憶内容の読出方法、スタンバイ方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
松下 正
ローム株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/14
不服
2006 -1801
JTAGによるSDRAM回路テスト方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2009/01/08
不服
2006 -5297
ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
エルピーダメモリ株式会社
原文
保存
該当なし
2009/01/07
不服
2006 -3743
薄膜の加熱処理方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/01/06
不服
2006 -3475
高温酸化を用いた半導体素子のキャパシタ形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
奈良 泰男 その他
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/01/05
不服
2006 -4052
半導体装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
ユー・エム・シー・ジャパン株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/25
不服
2005 -14031
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社東芝
原文
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該当なし
2008/12/15
不服
2006 -3716
加熱・加圧処理装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社神戸製鋼所
原文
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該当なし
2008/12/09
不服
2008 -15244
ダイナミックランダムアクセスメモリ用の低電力自動リフレッシュ回路および方法
本件審判の請求は、成り立たない。
野村 泰久
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
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新規事項の追加
2008/12/08
不服
2006 -3935
半導体記憶装置の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2008/12/01
不服
2006 -6640
半導体装置を形成する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2008/11/27
不服
2006 -11088
リセット装置、半導体集積回路装置および半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
山本 秀策 その他
シャープ株式会社
原文
保存
該当なし
2008/11/19
不服
2007 -17647
横方向共振トンネリング
本件審判の請求は、成り立たない。
清水 邦明 その他
レイテオン カンパニー
原文
保存
新規性 パリ条約 進歩性(29条2項)
2008/11/17
不服
2007 -18215
酸化膜を形成する方法、改良された酸化膜を形成する方法、高品質の酸化膜を形成する方法、ならびにトンネルおよびゲート酸化膜を形成する方法
本件審判の請求は、成り立たない。
深見 久郎 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2008/11/12
不服
2006 -306
シングルポートRAM用制御回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
高田 聖一
ヤマハ株式会社
原文
保存
該当なし
2008/10/29
不服
2005 -23238
強磁性体不揮発性記憶素子ならびにその情報再生方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
石橋 政幸 その他
キヤノン株式会社
原文
保存
該当なし
2008/10/27
不服
2007 -24662
集積回路及び製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
浅村 皓 その他
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
原文
保存
パリ条約
2008/10/20
不服
2006 -1566
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
酒井 將行 その他
三菱電機株式会社
原文
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