特許審決検索結果一覧 - 特許審決データベース

会員機能

ランキング

請求人別審判件数

判例データベース

審決データベース

審決検索結果一覧を表示しています。

前の30件

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

次の30件

現在の検索キーワード：河合章

311 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2004/08/11	不服 2002 -3118	ダイナミックメモリ及びダイナミックメモリの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	上柳雅誉その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2004/05/26	異議 2002 -72699	熱処理方法	訂正を認める。特許第3281018号の請求項1ないし4に係る特許を維……			原文	保存
該当なし
2004/03/23	不服 2001 -6434	三重ウェルを有するフラッシュ・メモリ・セルの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	大塚文昭その他	ヒュンダイエレクトロニクスアメリカ	原文	保存
該当なし
2004/03/18	不服 2001 -22840	銅配線製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	阿部英樹	株式会社アルバック	原文	保存
該当なし
2004/02/03	不服 2000 -6608	絶縁材料間における界面接着方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エッセジエッセ-トムソンミクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ	原文	保存
該当なし
2004/01/21	不服 2001 -1720	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2004/01/06	不服 2002 -12934	電力用MOS半導体デバイスの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.	原文	保存
該当なし
2003/12/09	不服 2001 -5756	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2003/11/21	不服 2002 -19121	半導体DRAM素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	青山葆	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2003/11/07	不服 2001 -12985	半導体装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ローム株式会社	原文	保存
該当なし
2003/10/22	不服 2001 -17328	薄膜半導体素子	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	岡田英彦	トヨタ自動車株式会社	原文	保存
該当なし
2003/10/22	不服 2000 -8100	データ記憶コンデンサの形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。		聯華電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2003/09/26	不服 2001 -8592	電界効果トランジスタおよびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	近藤伊知良その他	住友電気工業株式会社	原文	保存
該当なし
2003/09/26	不服 2001 -4216	半導体装置の製造方法およびIII-V族化合物半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三菱化学株式会社	原文	保存
該当なし
2003/08/19	不服 2001 -6308	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	内藤浩樹その他	松下電器産業株式会社	原文	保存
該当なし
2003/08/18	不服 2001 -2970	絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2003/08/07	不服 2001 -18783	半導体装置製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2003/07/22	不服 2001 -6266	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	吉元弘その他	株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2003/07/08	不服 2001 -12567	銅配線構造体の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	志賀富士弥その他	ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2003/07/01	不服 2000 -13532	誘電体超薄膜電源素子	本件審判の請求は、成り立たない。		日野太郎	原文	保存
新規性新規性喪失の例外(30条)
2003/06/20	不服 2000 -19208	薄膜トランジスタの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	小野由己男	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2003/04/23	不服 2001 -2626	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		日本プレシジョン・サーキッツ株式会社	原文	保存
該当なし
2003/03/11	不服 2000 -15250	高密度集積回路のインターコネクションおよび導体の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2003/03/04	不服 2000 -15991	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2003/02/26	不服 2000 -5100	メモリーセル・キャパシタアレイのビット線形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		世界先進積體電路股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2003/02/19	不服 2002 -11	ICデバイス内に抵抗器構造を組み立てる方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	曾我道照その他	エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2003/01/07	不服 2000 -18587	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	木下雅晴	シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2002/08/20	不服 2000 -19064	電界効果トランジスタの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	寺崎史朗その他	住友電気工業株式会社	原文	保存
該当なし
2002/07/04	不服 2002 -3980	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2002/05/23	不服 2001 -14678	MOSトランジスタにおいてセルフアラインソース/ドレインコンタクトを形成する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エスジーエストムソンマイクロエレクトロニクスインク.	原文	保存
パリ条約

前の30件

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

次の30件

プライバシーポリシーセキュリティーポリシー運営会社概要サービスに関しての問い合わせ

ポートフォリオ名を入力して新規に保存　→
既存のポートフォリオを選択して保存　→