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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2009/05/19
不服
2007 -10482
半導体装置とその製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
株式会社ルネサステクノロジ
原文
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該当なし
2009/05/18
不服
2006 -16887
不揮発性半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村松 貞男 その他
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/05/18
不服
2006 -12487
半導体装置とその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/05/14
不服
2006 -22112
不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動回路
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
西山 修 その他
株式会社ハイニックスセミコンダクター
原文
保存
パリ条約
2009/05/12
不服
2006 -24164
半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2009/05/12
不服
2006 -19527
射出成形のイメージセンサとその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
手島 直彦 その他
勝開科技股▲ふん▼有限公司
原文
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該当なし
2009/05/08
不服
2006 -1800
多数個のメモリバンクを備える半導体メモリ装置のテスト方法及び半導体メモリテスト装置
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2009/05/08
不服
2006 -22925
半導体メモリ装置のための電流ミラータイプの感知増幅器
本件審判の請求は、成り立たない。
志賀 正武 その他
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/05/08
不服
2006 -8684
不揮発性磁気キャッシュ・メモリ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
本田 淳
エバースピン テクノロジーズ インコーポレイテッド
原文
保存
パリ条約
2009/04/30
不服
2006 -20672
ショットキーバリアダイオードの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士電機デバイステクノロジー株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/30
不服
2006 -9103
分子パターン複製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
横田 修孝 その他
藤平 正道 大日本印刷株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/27
不服
2006 -17466
半導体装置及びその試験方法
本件審判の請求は、成り立たない。
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
2009/04/27
不服
2006 -21996
集積回路メモリを含むシステム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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パリ条約
2009/04/27
不服
2006 -14987
半導体装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社ルネサステクノロジ
原文
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該当なし
2009/04/20
不服
2006 -15026
不揮発性半導体記憶装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
田村 和彦
株式会社東芝
原文
保存
該当なし
2009/04/15
不服
2006 -18848
薄膜トランジスタ
本件審判の請求は、成り立たない。
魚住 高博 その他
中華映管股▲ふん▼有限公司
原文
保存
該当なし
2009/04/13
不服
2006 -8147
薄膜半導体素子
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社日立製作所
原文
保存
該当なし
2009/04/13
不服
2006 -7455
半導体製造装置用セラミックスヒーター
本件審判の請求は、成り立たない。
二島 英明 その他
住友電気工業株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2009/04/13
不服
2006 -28621
不揮発性メモリ装置及びその記入方法
本件審判の請求は、成り立たない。
橋本 剛
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
原文
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パリ条約
2009/04/09
不服
2006 -16465
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置
本件審判の請求は、成り立たない。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
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パリ条約
2009/04/09
不服
2006 -6384
半導体装置及び電力変換装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社日立製作所
原文
保存
該当なし
2009/03/31
不服
2006 -1997
MRAM構造
本件審判の請求は、成り立たない。
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
原文
保存
該当なし
2009/03/31
不服
2006 -16894
半導体記憶装置
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社リコー
原文
保存
該当なし
2009/03/30
不服
2006 -7459
不揮発性半導体メモリ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
片山 修平
スパンション エルエルシー
原文
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該当なし
2009/03/30
不服
2006 -9962
マルチバンクメモリ装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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パリ条約
2009/03/30
不服
2006 -7788
並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリセルを具備したメモリ装置及び並列データ初期化機能を有するマルチポートメモリ回路
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
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新規事項の追加 パリ条約
2009/03/27
不服
2006 -11124
アナログ情報貯蔵媒体のプログラミング装置
本件審判の請求は、成り立たない。
三星電子株式会社
原文
保存
パリ条約
2009/03/26
不服
2006 -8210
積層セラミックコンデンサの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
太陽誘電株式会社
原文
保存
該当なし
2009/03/25
不服
2006 -5896
非熱的結晶回復法および微細加工方法
本件審判の請求は、成り立たない。
独立行政法人物質・材料研究機構
原文
保存
該当なし
2009/03/24
不服
2006 -10340
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
NECエレクトロニクス株式会社
原文
保存
該当なし
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