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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2009/01/08 不服
2005 -25221 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2009/01/05 不服
2006 -21353 
電気二重層キャパシタ 本件審判の請求は、成り立たない。   日産ディーゼル工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2009/01/05 不服
2008 -6482 
デルタ層を有する低オン抵抗のトレンチ型MOSFET及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シリコニックス・インコーポレイテッド   原文 保存
 新規事項の追加  パリ条約  
2008/12/26 不服
2007 -3329 
集積回路を製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 森田 俊雄 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/25 不服
2007 -16643 
厚い銅の相互接続を持つLDMOSトランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 浅村 肇 その他   テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/25 不服
2006 -8174 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 前田 弘 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/24 不服
2006 -12941 
バイポーラトランジスター及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし  
2008/12/19 不服
2006 -9654 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/18 不服
2006 -8379 
半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岩橋 文雄 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/17 不服
2006 -3091 
不揮発性強誘電体メモリ装置の昇圧発生回路及びその発生方法 本件審判の請求は、成り立たない。 西山 修 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  
2008/12/12 不服
2007 -11117 
ヒューズバンク装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 久野 琢也 その他   キマンダ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 パリ条約  
2008/12/11 不服
2006 -5469 
半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2008/12/08 不服
2006 -14362 
固体電解コンデンサの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/01 不服
2007 -8318 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機デバイステクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/12/01 不服
2006 -6302 
積層セラミック電子部品の製造方法及び電極印刷装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社村田製作所   原文 保存
該当なし  
2008/12/01 不服
2005 -17737 
フィールドアイソレーションを備えた半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 泰 その他   フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/26 不服
2006 -1711 
ヒューズ/アンチヒューズの読み出し方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/26 不服
2007 -14897 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし  
2008/11/20 訂正
2008 -390104 
半導体記憶装置 特許第2907481号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ…… 稲葉 良幸 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
 先願発明との同一性  29条の2(拡大された先願の地位)  
2008/11/19 不服
2006 -12129 
薄膜トランジスタ及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2008/11/17 不服
2006 -5059 
積層型電子部品の製造方法及び製造装置と、グリーンシート積層機と、グリーンシート積層用のアンダーシート 本件審判の請求は、成り立たない。 吉田 精孝   太陽誘電株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/11/11 不服
2006 -14144 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 安村 高明 その他   株式会社半導体エネルギー研究所 シャープ株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/11/10 不服
2006 -11805 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/11/10 不服
2007 -16265 
高周波用の自己アライメント式電界効果トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。 有原 幸一   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  新規事項の追加  進歩性(29条2項)  
2008/11/07 不服
2007 -12521 
ポリ間複合体とその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大塚 文昭 その他   旺宏電子股▼ふん▲有限公司   原文 保存
該当なし  
2008/11/05 不服
2005 -20304 
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通マイクロエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/11/04 不服
2006 -5184 
集積メモリー 本件審判の請求は、成り立たない。   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
 新規事項の追加  
2008/11/04 不服
2006 -3122 
可変電流利得特性を有する入出力センスアンプを具備したメモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 志賀 正武 その他   三星電子株式会社   原文 保存
 パリ条約  
2008/10/31 不服
2006 -3129 
薄膜二端子素子及び液晶表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2008/10/30 不服
2006 -5033 
薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   財団法人国際科学振興財団   原文 保存
該当なし  

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