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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2000/08/14 審判
1999 -16396 
半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/07 審判
1999 -18092 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/08/04 審判
1999 -5780 
III-V族化合物半導体ウェハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上代 哲司 その他   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/24 審判
1999 -15980 
感光膜のエッチング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2000/07/05 審判
1999 -9597 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/07/04 審判
1999 -9625 
SOI基板の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 京本 直樹 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/30 審判
1998 -8182 
材料の結晶欠陥除去方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   松下電器産業株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/30 審判
1998 -9591 
半導体結晶成長方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/06/13 審判
1999 -4175 
半導体ウェーハの不純物除去方法 本件審判の請求は、成り立たない。 大貫 進介   モトローラ・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2000/05/26 審判
1999 -6486 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 鈴木 喜三郎   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/05/09 審判
1998 -9612 
III-V族化合物半導体の表面処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/05/08 審判
1998 -12793 
固体撮像装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/05/08 審判
1998 -9167 
半導体装置用基板及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 木下 雅晴   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/04/20 審判
1999 -1027 
SOI基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池田 憲保 その他   日本電気株式会社 日新電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/04/10 異議
1998 -75737 
半導体ウェーハの製造方法 特許第2758093号の特許を維持する。 吉田 正二     原文 保存
該当なし  
2000/03/29 異議
1999 -70406 
半導体基板およびその製造方法 訂正を認める。 特許第2783123号の請求項1ないし8に係る特許を維…… 福田 修一 その他     原文 保存
 新規事項の追加  
2000/03/29 審判
1999 -14082 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/03/13 審判
1999 -7008 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
2000/02/29 審判
1998 -9623 
薄膜堆積方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河合 信明 その他   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/02/23 審判
1999 -1576 
半導体ウエハのゲッタリング方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2000/02/14 異議
1999 -73635 
プラズマ処理方法 特許第2874584号の特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
2000/02/10 異議
1998 -71457 
薄膜トランジスタの製造方法 特許第2659000号の請求項1に係る特許を維持する。 内藤 浩樹 その他     原文 保存
 分割出願(出願分割)  
1999/12/24 審判
1998 -6491 
ゲッタ効果の高められた半導体基板並びに該基板を用いた半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/12/10 審判
1996 -18864 
高エネルギーイオン注入による半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
該当なし  
1999/11/11 審判
1998 -9617 
膜厚均等化装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   日本電気株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/11/04 審判
1998 -9117 
半導体基板の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 清水 守   沖電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/09/29 審判
1998 -5510 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。 浜野 孝雄 その他   コマツ電子金属株式会社   原文 保存
該当なし  
1999/09/17 異議
1998 -75536 
SOI基板の製造方法 特許第2752799号の請求項1ないし2に係る特許を維持する。     原文 保存
該当なし  
1999/09/01 異議
1998 -73676 
分子線結晶成長方法 特許第2705682号の請求項1ないし3に係る特許を取り消す。 佐野 健一郎 その他     原文 保存
該当なし  
1999/08/16 審判
1997 -12045 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許をすべきものとする。   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  

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