審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2012/05/22
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不服 2010
-23543
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結晶化方法および薄膜半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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株式会社 液晶先端技術開発センター
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原文
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該当なし
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2012/05/08
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不服 2010
-29642
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高耐圧MOSトランジタ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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中島 淳
その他
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ラピスセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/05/07
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不服 2010
-19350
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縦形MOSトランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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久原 健太郎
その他
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セイコーインスツル株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/05/07
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不服 2010
-19351
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縦形MOSトランジスタの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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久原 健太郎
その他
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セイコーインスツル株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/04/18
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不服 2009
-9449
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コンデンサ及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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浅村 肇
その他
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クリー インコーポレイテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2012/04/09
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不服 2009
-22368
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非水系リチウム型蓄電素子および製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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松井 佳章
その他
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旭化成株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/04/02
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不服 2010
-14475
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スピンFET及び磁気抵抗効果素子
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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蔵田 昌俊
その他
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株式会社東芝
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/27
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不服 2010
-14575
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不揮発性半導体メモリ
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本件審判の請求は、成り立たない。
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佐藤 泰和
その他
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/19
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不服 2010
-23755
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半導体メモリ装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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実広 信哉
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/03/06
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不服 2008
-32935
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SOI電解効果トランジスタを製造する方法および対応する電界効果トランジスタ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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森下 夏樹
その他
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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原文
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保存
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該当なし
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2012/02/22
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不服 2010
-8496
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フラッシュメモリセルの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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該当なし
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2012/02/06
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不服 2010
-8132
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固体電解コンデンサ及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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木内 光春
その他
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株式会社アルバック
日本ケミコン株式会社
ハリマ化成株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2012/01/23
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不服 2009
-15817
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エネルギ貯蔵装置用電解質
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本件審判の請求は,成り立たない。
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仲村 義平
その他
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キャップ-エックス・エックス・リミテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/12/19
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不服 2008
-30965
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圧電素子
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大渕 美千栄
その他
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セイコーエプソン株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/12/07
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不服 2009
-20014
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積層コンデンサ及び電子機器
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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石坂 泰紀
その他
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TDK株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/31
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不服 2009
-24924
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配線の接触構造及びその製造方法とこれを含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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小野 由己男
その他
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サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/25
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不服 2009
-23988
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半導体デバイス中の異なるシリコン含有領域上に、異なるシリサイド部分を形成する方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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村雨 圭介
その他
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アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/05
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不服 2009
-11420
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短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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畑中 孝之
その他
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クリー インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/10/03
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不服 2008
-30366
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ソレノイド駆動装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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サンケン電気株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服 2008
-30501
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積層基板及び半導体装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
その他
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三星モバイルディスプレイ株式會社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/10/03
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不服 2010
-13037
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低電力マルチチップ半導体メモリ装置及びそれのチップイネーブル方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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志賀 正武
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/28
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不服 2009
-20688
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半導体記憶装置及び半導体装置並びに表示装置、液晶表示装置及び受像機
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/09/28
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不服 2010
-13938
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半導体装置およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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森田 俊雄
その他
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/09/14
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不服 2008
-26865
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絶縁体上に歪み結晶層を製造する方法、前記方法による半導体構造及び製造された半導体構造
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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池田 成人
その他
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エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/22
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不服 2008
-27953
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共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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大貫 進介
その他
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オムニヴィジョン テクノロジーズ インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/08/19
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不服 2008
-25526
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非平行なイオンビームで行う複モードのイオン注入
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本件審判の請求は,成り立たない。
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バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド
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原文
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保存
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パリ条約
新規事項の追加
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2011/08/19
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不服 2008
-27546
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不揮発性半導体記憶装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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川合 誠
その他
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OKIセミコンダクタ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/04
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不服 2008
-24308
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ライン・レベル・エア・ギャップ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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市位 嘉宏
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/25
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不服 2010
-7078
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太陽電池及び太陽電池の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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上田 邦生
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三菱重工業株式会社
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原文
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保存
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引用発明の認定
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2011/07/11
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不服 2008
-22370
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SOI半導体集積回路及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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