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現在の検索キーワード: 原 和秀

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/01/07 不服
2013 -9237 
安全性が向上した非水電解液及び電気化学素子 本件審判の請求は、成り立たない。 勝沼 宏仁   エルジー・ケム・リミテッド   原文 保存
該当なし  
2013/09/20 不服
2013 -5153 
集積回路装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 荒木 淳   フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/08/30 不服
2012 -13515 
高電子移動度トランジスタ(HEMT) 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/08/29 不服
2013 -530 
改良型誘電体パッシベーションを備える半導体デバイス、及び半導体デバイスをパシベーションする方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 星野 修 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/07/05 不服
2012 -10895 
窒化物半導体電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/06/04 不服
2012 -6543 
シンクロナス整流器或いは電圧クランプ用の3端子パワーMOSFETスイッチ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 勝見 陽介 その他   シリコニックス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/05/30 不服
2012 -781 
トラッピング(trapping)を低減させたIII族窒化物ベースの電界効果トランジスタ(FET)およびトランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 岩崎 吉信 その他   クリー インコーポレイテッド ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア   原文 保存
該当なし  
2013/03/01 不服
2011 -27889 
ソース領域の下にp型埋込み層を備えたトランジスタ及びその作製方法。 本件審判の請求は、成り立たない。 大日方 和幸 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/13 不服
2012 -3417 
電界効果型トランジスタとその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/02/12 不服
2012 -51 
高電子移動度トランジスタの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/06 不服
2012 -40 
高電子移動度トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2013/02/05 不服
2012 -4387 
半導体電子デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 酒井 宏明   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2013/01/29 不服
2012 -5786 
III族窒化物パワー半導体デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 杉村 憲司   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2013/01/16 不服
2012 -4650 
炭化珪素トランジスタ装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 内野 春喜   独立行政法人産業技術総合研究所   原文 保存
該当なし  
2013/01/04 不服
2012 -498 
化合物半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/10/05 不服
2012 -2976 
半導体素子および半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 田代 至男   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/09/25 不服
2011 -1532 
ドーピング源でもあるエッチャントガスを用いてトレンチをエッチングすることで形成されるドープカラムを含む電圧維持領域を有する高電圧電力MOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 福原 淑弘 その他   ジェネラル・セミコンダクター・インコーポレーテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/24 不服
2011 -4802 
トランジスタ 本件審判の請求は、成り立たない。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2012/09/10 不服
2011 -1552 
強化された破壊電圧を有するパワーMOSFET 本件審判の請求は、成り立たない。 杉村 憲司   ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール   原文 保存
該当なし  
2012/08/20 不服
2011 -8765 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2012/06/25 不服
2010 -18300 
シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 社本 一夫 その他   クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー タン,ジャン   原文 保存
該当なし  
2012/04/11 不服
2011 -671 
トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉竹 英俊   三菱電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/12 不服
2011 -4723 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 高橋 敬四郎   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/03/07 不服
2010 -13620 
半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2012/01/25 不服
2010 -15013 
超接合半導体素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/20 不服
2008 -29000 
GaN系電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   古河電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/05 不服
2009 -11420 
短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 浅村 皓 その他   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/27 不服
2008 -31899 
電気デバイスおよびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)   原文 保存
 パリ条約  進歩性(29条2項)  
2011/06/23 不服
2008 -26149 
紫外光吸収フィルター 本件審判の請求は,成り立たない。 杉山 毅至   シャープ株式会社   原文 保存
 国内優先権  新規事項の追加  

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