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現在の検索キーワード： 高橋 宣博

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/11/30 不服
2009 -19864  		内容アドレスメモリシステム 本件審判の請求は、成り立たない。 阿部 和夫   インディペンデンス・マンザナール・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
 新規事項の追加 　
2010/11/29 不服
2008 -23486  		半導体メモリ装置及びコンピュータシステム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池田 憲保   エルピーダメモリ株式会社 エーティーアイ テクノロジーズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2010/11/25 不服
2007 -30505  		磁石粉末、焼結磁石、それらの製造方法、ボンディッド磁石および磁気記録媒体 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   TDK株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/24 不服
2008 -895  		零相変流器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ミドリ安全株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/24 不服
2007 -32217  		チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 古澤 寛 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/24 不服
2007 -31841  		電解コンデンサ 本件審判の請求は、成り立たない。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/24 不服
2008 -9654  		コイル部品 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 特許業務法人三澤特許事務所   TDK株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/22 不服
2009 -22694  		二進モードでの多状態不揮発性メモリシステムの選択的動作 本件審判の請求は、成り立たない。   サンディスク コーポレイション   原文 保存
 新規事項の追加 　
2010/11/22 不服
2007 -28362  		昇圧トランス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 仁 その他   スミダコーポレーション株式会社 スミダ電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/18 不服
2007 -31816  		固体電解コンデンサ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日本ケミコン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/17 不服
2009 -16754  		半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 吉元 弘 その他   東芝メモリシステムズ株式会社 株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2010/11/16 不服
2007 -32502  		偏極磁石の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   神富士鉱業株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2010/11/16 不服
2008 -21102  		不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの読出し方法 本件審判の請求は、成り立たない。 黒川 弘朗 その他   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2010/11/08 不服
2007 -34428  		コモンモードフィルタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 博昭 その他   TDK株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/02 不服
2007 -21342  		希土類永久磁石の製造方法、希土類永久磁石 本件審判の請求は、成り立たない。   TDK株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/02 不服
2007 -32243  		半導体記憶装置 本件審判の請求は,成り立たない。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/11/01 不服
2008 -26200  		データを記憶するための装置及び不揮発性電荷蓄積セルのアレイをプログラムする方法 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 英人 その他   マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド   原文 保存
該当なし 　
2010/10/26 不服
2010 -12709  		ナノコンポジット構造を有する永久磁石 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿部 美次郎   新原 ▲晧▼一 有限会社ナプラ   原文 保存
該当なし 　
2010/10/15 不服
2008 -31023  		NAND型フラッシュメモリのワードラインデコーダ 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
該当なし 　
2010/10/13 不服
2007 -28413  		電気二重層コンデンサ用分極性電極の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 栗原 浩之   本田技研工業株式会社 シンジーテック株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/12 不服
2007 -22950  		軟磁性樹脂組成物、その製造方法及び成形体 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社メイト   原文 保存
該当なし 　
2010/10/07 不服
2008 -19618  		半導体集積回路装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 池田 憲保 その他   エルピーダメモリ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/10/04 不服
2007 -17619  		プリント基板の埋め込み式薄膜抵抗の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 魚住 高博 その他   欣強科技股▲ふん▼有限公司   原文 保存
該当なし 　
2010/09/30 不服
2008 -2986  		半導体記憶装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2010/09/29 不服
2007 -23863  		非水系電子部品用電極部材 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 西下 正石 その他   株式会社パワーシステム   原文 保存
該当なし 　
2010/09/29 不服
2008 -22112  		ウェーブパイプラインスキムを備える同期型半導体メモリ装置及びそれのデータパス制御方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/29 不服
2008 -5725  		希土類永久磁石の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   日立金属株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/28 不服
2007 -33292  		半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/27 不服
2010 -345  		不揮発性メモリ装置 本件審判の請求は、成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/09/21 不服
2008 -8170  		半導体基板及び半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 竹内 宏 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし 　

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