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若土 雅之
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2012/09/06
不服
2010 -4747
基材上にDLCを含む疎水性コーティング
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション
原文
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該当なし
2012/08/30
不服
2011 -20888
成膜方法及び成膜装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
藤田 静雄 株式会社陶喜
原文
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該当なし
2012/08/29
不服
2009 -10447
ガラスへの四面体非晶質炭素コーティング
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション
原文
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該当なし
2012/08/27
不服
2010 -27512
気相成長法による単結晶の製造装置および製造法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
池田 幸弘 その他
ノルステル アクチエボラグ
原文
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該当なし
2012/08/01
不服
2010 -4642
窒化物半導体基板、半導体デバイス、半導体発光素子、半導体受光素子および窒化物半導体基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
学校法人 名城大学
原文
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該当なし
2012/07/20
不服
2009 -2392
酸化ネオジウムドーピング車両用風防、安全ガラス材料と窓ガラス
本件審判の請求は、成り立たない。
カーペン, ダニエル, ネイサン
原文
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該当なし
2012/07/18
不服
2011 -20145
真空スパッタリング用カソード
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
アッシュ・ウー・エフ
原文
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該当なし
2012/06/25
不服
2011 -18159
単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
好宮 幹夫
AGDマテリアル株式会社 信越化学工業株式会社
原文
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該当なし
2012/06/22
不服
2011 -11608
Ag系スパッタリングターゲット
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
伊藤 浩彰 その他
株式会社コベルコ科研
原文
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該当なし
2012/06/21
不服
2009 -10529
X線光学コンポーネントのための基板材料
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
村山 靖彦 その他
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ショット アクチエンゲゼルシャフト
原文
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該当なし
2012/06/21
不服
2011 -5130
マイクロ波プラズマ処理装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
東京エレクトロン株式会社
原文
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該当なし
2012/05/29
不服
2011 -4284
SiドープGaAs単結晶
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
清野 仁
DOWAホールディングス株式会社
原文
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該当なし
2012/05/17
不服
2010 -9486
表面シール中空ガラス容器の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
矢野 敏雄 その他
オーバーラント グラース アクチエンゲゼルシャフト エボニック デグサ ゲーエムベーハー
原文
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該当なし
2012/05/02
不服
2009 -17191
単結晶の製造方法及び原料結晶の管理方法並びに管理システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2012/04/16
不服
2009 -5056
ガラス・コーティング
本件審判の請求は、成り立たない。
アプライド マテリアルズ ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー
原文
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該当なし
2012/04/12
不服
2010 -3474
シリカガラスルツボ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
コバレントマテリアル株式会社
原文
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該当なし
2012/04/05
不服
2009 -23612
高抵抗シリコンウェーハ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社SUMCO
原文
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該当なし
2012/03/30
不服
2008 -24779
窒化物半導体基板および窒化物半導体基板の製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
住友電気工業株式会社
原文
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該当なし
2012/03/30
不服
2010 -3468
シリカガラスルツボ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
コバレントマテリアル株式会社
原文
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該当なし
2012/03/29
不服
2009 -23092
シリコン単結晶の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
信越半導体株式会社
原文
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該当なし
2012/03/28
不服
2010 -22909
炭化珪素半導体基板の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士電機株式会社
原文
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該当なし
2012/03/26
不服
2008 -31485
エピタキシャル基板
本件審判の請求は、成り立たない。
日本碍子株式会社
原文
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該当なし
2012/03/26
不服
2010 -20105
加飾方法及び加飾された自動車用部品
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
廣瀬 繁樹 その他
株式会社アルバック 小島プレス工業株式会社
原文
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該当なし
2012/03/21
不服
2009 -12283
磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子
本件審判の請求は、成り立たない。
TDK株式会社
原文
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該当なし
2012/03/21
不服
2009 -12282
磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子
本件審判の請求は、成り立たない。
TDK株式会社
原文
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該当なし
2012/03/12
不服
2011 -6232
炭化ケイ素単結晶及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
廣田 浩一
株式会社ブリヂストン
原文
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該当なし
2012/02/17
不服
2010 -26377
スパッタリング装置及びスパッタリング装置用のターゲット
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社アルバック
原文
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該当なし
2012/02/01
不服
2011 -4975
I.S.機械の搬出機構
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
千葉 昭男 その他
エムハート・グラス・ソシエテ・アノニム
原文
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パリ条約
2012/01/23
不服
2010 -20502
薄膜製造方法および薄膜製造設備
本件審判の請求は、成り立たない。
住友電気工業株式会社
原文
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引用発明の認定
2012/01/23
不服
2009 -10425
低底面転位バルク成長SiCウェハ
本件審判の請求は、成り立たない。
林 鉐三 その他
クリー インコーポレイテッド
原文
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該当なし
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