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現在の検索キーワード：若土雅之

184 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2012/01/16	不服 2008 -19406	III-V族窒化物系半導体基板の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	速水進治	日本電気株式会社日立電線株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/13	不服 2008 -18282	シリコン単結晶育成における水素ガス供給方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	村山靖彦その他	株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2012/01/11	不服 2010 -4733	成膜方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2012/01/06	不服 2010 -17942	光学薄膜形成用Nbスパッタリングターゲットの製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	横田修孝その他	株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2012/01/05	不服 2009 -3561	ダイヤモンド膜の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2011/12/22	不服 2010 -10850	アルカリコバルト酸化物のバルク状単結晶の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
該当なし
2011/11/15	不服 2009 -17399	ガスクロマトグラフィーカラム、グラスファイバのガラスダクトを切断する方法、および、該方法を実施する装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エスゲーテーエクスプロイタティエベー.ファウ.	原文	保存
パリ条約
2011/11/14	不服 2009 -7948	光誘導親水性物品及びその製造法	本件審判の請求は、成り立たない。	安藤克則その他	ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/10/24	不服 2008 -27730	単結晶引上げ装置、超電導磁石および単結晶引上げ方法	本件審判の請求は、成り立たない。	関口俊三	株式会社東芝	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2011/10/17	不服 2009 -15810	リチャージ装置、インゴット引上げ装置、及びインゴット製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		SUMCO TECHXIV株式会社	原文	保存
該当なし
2011/10/13	不服 2009 -11080	液相エピタキシャル成長装置及び成長方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2011/10/12	不服 2008 -25497	集束イオン・ビームを使用した高抵抗率構造の製造	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		エフ・イ-・アイ・カンパニー	原文	保存
パリ条約
2011/10/06	不服 2009 -4022	電子デバイス用基板の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	須澤修その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/10/03	不服 2008 -13345	非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	村松貞男その他	サムスンコーニング精密素材株式会社	原文	保存
該当なし
2011/08/15	不服 2008 -32246	基体被覆方法及び装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ショットアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2011/08/01	不服 2009 -22891	窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを蒸着するためのプラズマ化学蒸着方法、および層構造の製造方法、並びに、層構造	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		インフィネオンテクノロジーズアーゲー	原文	保存
該当なし
2011/07/28	不服 2009 -5861	結晶成長装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	本山泰その他	株式会社オキサイド日本電信電話株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/14	不服 2008 -30337	不規則性を有する改善された親水性または疎水性の支持体	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		サン-ゴバングラスフランス	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2009 -19167	薄膜成膜方法および薄膜成膜装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	渡辺浩史その他	凸版印刷株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/10	不服 2009 -11030	ルテニウム薄膜の形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2011/06/09	不服 2009 -3559	ダイヤモンド膜の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		信越化学工業株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/09	不服 2009 -3611	原子層成長による薄膜形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	永井聡その他	株式会社デンソー	原文	保存
該当なし
2011/06/06	不服 2010 -5815	ガラス板の加工装置	本件審判の請求は、成り立たない。		坂東機工株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/06	不服 2008 -7913	単結晶の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		信越半導体株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/03	不服 2008 -20227	結晶生産方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	志賀正武その他	株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2011/06/01	不服 2007 -28536	直流スパッタシステムにおけるアーク制御システム	本件審判の請求は、成り立たない。	清水邦明その他	エムケイエスインスツルメンツ、インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/05/31	不服 2009 -24344	基体への膜形成法及びデバイス作製法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		防衛省技術研究本部長	原文	保存
該当なし
2011/05/31	不服 2008 -27139	PVDコーティング装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		セメコン-セラミックメタルコーティングス-ドクトル-インジェネアアントニウスレイエンデッカーゲーエムベーハー	原文	保存
該当なし
2011/05/30	不服 2009 -17781	微結晶質Si:H膜を製造するためのプラズマCVD方法及び装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	篠良一その他	ショットアクチエンゲゼルシャフト	原文	保存
該当なし
2011/05/24	不服 2009 -15206	ALDによって金属薄膜を製造する方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	藤野育男その他	エイエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.	原文	保存
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