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現在の検索キーワード：酒井英夫

294 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2011/03/17	不服 2009 -3807	半導体装置及びゲート電極の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通株式会社	原文	保存
該当なし
2011/03/15	不服 2008 -24102	薄膜トランジスタ及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	岡部讓その他	エルジーディスプレイカンパニーリミテッド	原文	保存
新規事項の追加
2011/03/08	不服 2008 -11579	薄膜トランジスタ及びその製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。	佐伯義文その他	三星モバイルディスプレイ株式會社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/03/02	不服 2008 -21678	半導体素子の電導性ライン形成方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	西山修その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2011/02/28	不服 2009 -483	III族窒化物素子及びIII族窒化物エピタキシャル基板	本件審判の請求は、成り立たない。	岡島伸行	日本碍子株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2011/02/28	不服 2009 -6203	シリコン半導体基板の熱処理方法とその装置	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社SUMCO	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2011/02/25	不服 2008 -5093	高周波制御されるSCRタイプのスイッチ	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム	原文	保存
該当なし
2011/02/25	不服 2010 -23800	電子デバイス用基板及び電子デバイス	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。		有限会社ナプラ	原文	保存
該当なし
2011/02/17	不服 2009 -1437	半導体装置およびその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	井関勝守その他	パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/02/15	不服 2008 -21843	半導体集積回路装置およびその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2011/02/14	不服 2008 -24801	有機トランジスタの製造方法、及び有機EL表示装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		パナソニック株式会社	原文	保存
該当なし
2011/01/31	不服 2008 -14183	シリコン半導体基板の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社SUMCO	原文	保存
該当なし
2011/01/26	不服 2008 -28360	半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2011/01/20	不服 2008 -14358	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	志賀正武その他	株式会社SUMCO	原文	保存
新規事項の追加
2011/01/17	不服 2007 -31896	シャロートレンチアイソレーション法で、シリコンの角部を丸める方法	本件審判の請求は、成り立たない。	高橋佳大その他	エヌエックスピービーヴィ	原文	保存
新規事項の追加 29条の2(拡大された先願の地位)
2011/01/11	不服 2008 -6276	圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ	本件審判の請求は,成り立たない。	稲葉良幸その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/01/06	不服 2008 -19414	粒子検出器	本件審判の請求は、成り立たない。		独立行政法人産業技術総合研究所	原文	保存
新規事項の追加
2010/12/28	不服 2008 -21117	半導体素子のゲート酸化膜の形成方法	本件審判の請求は、成り立たない。	池上美穂その他	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2010/12/22	不服 2007 -34532	固体電解コンデンサの製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		日本ケミコン株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2010/12/22	不服 2008 -30328	固体電解コンデンサの製造方法	本件審判の請求は,成り立たない。		日本ケミコン株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項)
2010/12/21	不服 2008 -18006	半導体装置	本件審判の請求は、成り立たない。		サンケン電気株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2010/11/22	不服 2008 -19315	結晶質薄膜の形成方法、結晶質薄膜の製造装置、薄膜トランジスタ、および光電変換素子	本件審判の請求は、成り立たない。	野田久登その他	シャープ株式会社	原文	保存
新規事項の追加
2010/11/16	不服 2008 -6833	半導体装置及び半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	野本可奈その他	ルネサスエレクトロニクス株式会社	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位) 新規事項の追加
2010/11/02	不服 2008 -6236	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		シャープ株式会社	原文	保存
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