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現在の検索キーワード： 市川 篤

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2010/02/01 不服
2007 -9991  		アイドルメモリサイクルを用いる半導体メモリのリフレッシュの方法及び装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大島 陽一 その他   モシス・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし 　
2010/01/27 不服
2008 -2366  		半導体トランスデューサの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小倉 博 その他   ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ   原文 保存
該当なし 　
2010/01/26 不服
2007 -2585  		ポリウレタンエラストマー・アクチュエータ 本件審判の請求は、成り立たない。   ニッタ株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項) 　
2010/01/21 不服
2007 -12939  		シリコンウエーハの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/21 不服
2007 -12940  		シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   信越半導体株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/19 不服
2007 -4880  		磁気メモリ 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/15 不服
2007 -6329  		リカバリタイム保護機能が集積されたサイリスタ及びその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。 矢野 敏雄 その他   シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト   原文 保存
 進歩性(29条2項)  パリ条約 　
2010/01/13 不服
2007 -5715  		窒化物半導体素子の製法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河村 洌   ローム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/12 不服
2006 -21970  		ゲート絶縁膜、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/12 不服
2007 -2780  		ブートストラップゲート電界効果トランジスタを用いた電圧制御抵抗器 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/07 不服
2007 -12069  		超接合半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機システムズ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2010/01/05 不服
2007 -5526  		基板の熱処理装置 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本スクリーン製造株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/12/25 不服
2007 -1651  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
 技術的範囲 　
2009/12/25 不服
2007 -11436  		磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 橋本 良郎 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2009/12/21 不服
2007 -9717  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。 伊藤 高順   株式会社デンソー   原文 保存
該当なし 　
2009/12/21 不服
2007 -924  		半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴江 武彦 その他   株式会社東芝   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/12/14 不服
2007 -2574  		SOI基板の熱処理方法及び熱処理装置並びにそれを用いたSOI基板の作製方法 本件審判の請求は、成り立たない。 内尾 裕一   キヤノン株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  29条の2(拡大された先願の地位) 　
2009/12/10 不服
2007 -1360  		SOI型基板の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 奈良 泰男 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/12/03 不服
2006 -21584  		シリコン系結晶薄膜の形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   日新電機株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/12/02 不服
2007 -1976  		半導体装置の製造法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社ルネサステクノロジ   原文 保存
該当なし 　
2009/12/01 不服
2007 -2277  		半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   新光電気工業株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/11/30 不服
2007 -9131  		トレンチ型MISFET 本件審判の請求は、成り立たない。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/11/30 不服
2006 -25801  		半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/11/24 不服
2007 -5760  		半導体記憶装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし 　
2009/11/24 不服
2007 -5356  		二重ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
 パリ条約 　
2009/11/19 不服
2007 -11483  		固体撮像装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士フイルム株式会社   原文 保存
該当なし 　
2009/11/17 不服
2007 -4482  		シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウエーハ 本件審判の請求は、成り立たない。   信越半導体株式会社   原文 保存
 新規事項の追加 　
2009/11/11 不服
2006 -26986  		拡散シリコンウェハおよびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   コバレントマテリアル株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  技術的範囲 　
2009/11/04 不服
2007 -4958  		半導体ウエハの処理方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社神戸製鋼所   原文 保存
該当なし 　

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