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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2020/12/14 不服
2019 -2895 
電極材料、電極の製造方法及びバッテリ 本件審判の請求は、成り立たない。   エー123 システムズ エルエルシー   原文 保存
該当なし  
2020/11/30 不服
2019 -10403 
電子部品用Cu-Ni-Co-Si合金 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   JX金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2020/11/20 不服
2019 -10664 
蓄電デバイス 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 清水 久義 その他   昭和電工パッケージング株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/10/17 不服
2009 -3540 
半導体集積回路装置およびその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 筒井 大和   株式会社日立製作所 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ   原文 保存
該当なし  
2011/10/17 不服
2010 -26174 
非均一イオン注入法を用いる半導体処理の補償 本件審判の請求は、成り立たない。 森田 俊雄 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/10/07 不服
2009 -2606 
ナノスケールワイヤ及び関連デバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 千葉 昭男 その他   プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ   原文 保存
該当なし  
2011/09/28 不服
2009 -25157 
チップスケールのショットキーデバイス 本件審判の請求は、成り立たない。 中馬 典嗣 その他   シリコニクス テクノロジー シー.ブイ.   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/27 不服
2008 -32944 
酸化膜形成材料および酸化膜形成方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宇高 克己   大下 祥雄 株式会社トリケミカル研究所   原文 保存
 29条の2(拡大された先願の地位)  
2011/09/27 不服
2011 -7408 
半導体装置 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社日立製作所   原文 保存
 新規事項の追加  進歩性(29条2項)  
2011/09/22 不服
2009 -11434 
集積型FET及びショットキー装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 英 貢 その他   インターナショナル レクティフィアー コーポレイション   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/21 訂正
2011 -390103 
半導体装置およびその製造方法 特許第3544464号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ…… 澤井 光一 その他   パナソニック 株式会社   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2011/09/20 不服
2009 -13075 
レーザアニール方法及び半導体装置の作製方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2011/09/20 不服
2009 -24659 
イオン分布計算方法およびプログラム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/20 不服
2009 -10558 
イメージセンサ 本件審判の請求は、成り立たない。 有原 幸一 その他   クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー   原文 保存
 パリ条約  
2011/09/13 不服
2009 -19703 
固体撮像素子 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 角田 芳末   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/13 不服
2009 -8300 
半導体装置およびその駆動方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/13 不服
2009 -7592 
NMR用超電導磁石装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 須原 誠 その他   株式会社神戸製鋼所 ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/12 不服
2010 -808 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   公益財団法人国際科学振興財団   原文 保存
該当なし  
2011/09/12 不服
2009 -5960 
SOI基板 本件審判の請求は、成り立たない。 速水 進治 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/07 不服
2009 -22923 
電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置 本件審判の請求は、成り立たない。 渡邊 隆 その他   三星モバイルディスプレイ株式會社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/09/06 不服
2009 -23364 
電子デバイスの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 平木 祐輔   シャープ株式会社 国立大学法人東京工業大学   原文 保存
該当なし  
2011/09/06 不服
2009 -460 
ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   日本碍子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/05 不服
2008 -32010 
MTJセンサ及びディスク・ドライブ・システム 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 上野 剛史 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2011/09/05 不服
2008 -32637 
半導体装置製造情報提供システム及びそれに用いるサーバ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   セイコーエプソン株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/09/01 不服
2008 -32350 
半導体素子及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/31 不服
2009 -21724 
ビットラインランディングパッドを有する半導体素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 渡邊 隆 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/26 不服
2009 -14708 
不揮発性半導体記憶装置及びそのアクセス評価方法。 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/08/23 不服
2009 -25122 
CMOSイメージセンサにおける暗電流を減少させる接地ゲート及び分離技術 本件審判の請求は,成り立たない。 澤田 達也 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 パリ条約  
2011/08/15 不服
2008 -24344 
半導体表示装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社半導体エネルギー研究所   原文 保存
該当なし  
2011/08/08 不服
2010 -4106 
256Megダイナミックランダムアクセスメモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 長塚 俊也 その他   マイクロン テクノロジー, インク.   原文 保存
 新規事項の追加  

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