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市川 篤
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審決年月日
審判番号
発明・考案の名称
結論
代理人
請求人
2020/12/14
不服
2019 -2895
電極材料、電極の製造方法及びバッテリ
本件審判の請求は、成り立たない。
エー123 システムズ エルエルシー
原文
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該当なし
2020/11/30
不服
2019 -10403
電子部品用Cu-Ni-Co-Si合金
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
JX金属株式会社
原文
保存
該当なし
2020/11/20
不服
2019 -10664
蓄電デバイス
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
清水 久義 その他
昭和電工パッケージング株式会社
原文
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該当なし
2011/10/17
不服
2009 -3540
半導体集積回路装置およびその製造方法
本件審判の請求は、成り立たない。
筒井 大和
株式会社日立製作所 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
原文
保存
該当なし
2011/10/17
不服
2010 -26174
非均一イオン注入法を用いる半導体処理の補償
本件審判の請求は、成り立たない。
森田 俊雄 その他
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
原文
保存
該当なし
2011/10/07
不服
2009 -2606
ナノスケールワイヤ及び関連デバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
千葉 昭男 その他
プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ
原文
保存
該当なし
2011/09/28
不服
2009 -25157
チップスケールのショットキーデバイス
本件審判の請求は、成り立たない。
中馬 典嗣 その他
シリコニクス テクノロジー シー.ブイ.
原文
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新規事項の追加
2011/09/27
不服
2008 -32944
酸化膜形成材料および酸化膜形成方法
本件審判の請求は、成り立たない。
宇高 克己
大下 祥雄 株式会社トリケミカル研究所
原文
保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2011/09/27
不服
2011 -7408
半導体装置
本件審判の請求は、成り立たない。
株式会社日立製作所
原文
保存
新規事項の追加 進歩性(29条2項)
2011/09/22
不服
2009 -11434
集積型FET及びショットキー装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
英 貢 その他
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション
原文
保存
パリ条約
2011/09/21
訂正
2011 -390103
半導体装置およびその製造方法
特許第3544464号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付さ……
澤井 光一 その他
パナソニック 株式会社
原文
保存
進歩性(29条2項)
2011/09/20
不服
2009 -13075
レーザアニール方法及び半導体装置の作製方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2011/09/20
不服
2009 -24659
イオン分布計算方法およびプログラム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
富士通株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/20
不服
2009 -10558
イメージセンサ
本件審判の請求は、成り立たない。
有原 幸一 その他
クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
原文
保存
パリ条約
2011/09/13
不服
2009 -19703
固体撮像素子
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
角田 芳末
ソニー株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/13
不服
2009 -8300
半導体装置およびその駆動方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
シャープ株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/13
不服
2009 -7592
NMR用超電導磁石装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
須原 誠 その他
株式会社神戸製鋼所 ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/12
不服
2010 -808
半導体装置の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
公益財団法人国際科学振興財団
原文
保存
該当なし
2011/09/12
不服
2009 -5960
SOI基板
本件審判の請求は、成り立たない。
速水 進治 その他
ルネサスエレクトロニクス株式会社
原文
保存
新規事項の追加
2011/09/07
不服
2009 -22923
電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置
本件審判の請求は、成り立たない。
渡邊 隆 その他
三星モバイルディスプレイ株式會社
原文
保存
新規事項の追加
2011/09/06
不服
2009 -23364
電子デバイスの製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
平木 祐輔
シャープ株式会社 国立大学法人東京工業大学
原文
保存
該当なし
2011/09/06
不服
2009 -460
ZnO系エピタキシャル成長基板、ZnO系エピタキシャル下地基板、及びZnO系膜の製造方法
本件審判の請求は,成り立たない。
日本碍子株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/05
不服
2008 -32010
MTJセンサ及びディスク・ドライブ・システム
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
上野 剛史 その他
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
原文
保存
該当なし
2011/09/05
不服
2008 -32637
半導体装置製造情報提供システム及びそれに用いるサーバ
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
セイコーエプソン株式会社
原文
保存
該当なし
2011/09/01
不服
2008 -32350
半導体素子及びその製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
三星電子株式会社
原文
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該当なし
2011/08/31
不服
2009 -21724
ビットラインランディングパッドを有する半導体素子の製造方法
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
渡邊 隆 その他
三星電子株式会社
原文
保存
該当なし
2011/08/26
不服
2009 -14708
不揮発性半導体記憶装置及びそのアクセス評価方法。
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
OKIセミコンダクタ株式会社
原文
保存
該当なし
2011/08/23
不服
2009 -25122
CMOSイメージセンサにおける暗電流を減少させる接地ゲート及び分離技術
本件審判の請求は,成り立たない。
澤田 達也 その他
マイクロン テクノロジー, インク.
原文
保存
パリ条約
2011/08/15
不服
2008 -24344
半導体表示装置
原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
株式会社半導体エネルギー研究所
原文
保存
該当なし
2011/08/08
不服
2010 -4106
256Megダイナミックランダムアクセスメモリ
本件審判の請求は、成り立たない。
長塚 俊也 その他
マイクロン テクノロジー, インク.
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