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現在の検索キーワード：市川篤

419 件のヒット

審決年月日	審判番号	発明・考案の名称	結論	代理人	請求人
2011/08/05	不服 2008 -14889	絶縁皮膜密着性に優れかつ鉄損の極めて低い方向性電磁鋼板の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	中村朝幸その他	新日本製鐵株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/29	不服 2009 -18084	非揮発性強誘電体メモリ装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	長谷照一	株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
該当なし
2011/07/28	不服 2009 -6375	電磁ソレノイド及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	堀田幹生その他	タカハ機工株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/28	不服 2008 -23018	半導体装置及びその設計方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	宮坂一彦その他	セイコーエプソン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/25	不服 2008 -15211	静電放電保護回路	本件審判の請求は、成り立たない。	特許業務法人エビス国際特許事務所その他	友達光電股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2011/07/14	不服 2008 -25188	半導体装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		富士電機株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2011 -8104	レーザー照射装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社半導体エネルギー研究所	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -13129	電解コンデンサ	本件審判の請求は,成り立たない。		日本ケミコン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -29132	スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。	酒井將行その他	トンブ・エレクトロニクス・カンパニー・リミテッド	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -13187	電解コンデンサ	本件審判の請求は,成り立たない。		日本ケミコン株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -21141	半導体装置のキャパシタ製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2011/07/06	不服 2008 -29013	磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置	本件審判の請求は、成り立たない。		TDK株式会社	原文	保存
29条の2(拡大された先願の地位)
2011/07/06	不服 2008 -22459	集積回路を製造するパターン化方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	田中秀佳その他	旺宏電子股▲ふん▼有限公司	原文	保存
該当なし
2011/06/21	不服 2008 -22915	磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	羽切正治その他	キヤノンアネルバ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/20	不服 2008 -1196	2つのスピン・オン誘電材料から構成されるハイブリッド型低誘電率相互接続構造	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	市位嘉宏その他	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2011/06/15	不服 2008 -16692	コイル部品	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	北澤一浩その他	TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/14	不服 2008 -31529	選択的に連結された本体を有するシリコン酸化物絶縁体(SOI)半導体	本件審判の請求は、成り立たない。	堀井豊その他	アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド	原文	保存
該当なし
2011/06/14	不服 2008 -23135	低容量ESD耐性ダイオードの方法および構造	本件審判の請求は、成り立たない。	上野剛史その他	インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション	原文	保存
パリ条約新規事項の追加
2011/06/10	不服 2009 -4790	薄膜半導体装置の製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社液晶先端技術開発センター	原文	保存
該当なし
2011/06/09	不服 2008 -21128	局部エッチング阻止物質層を有するビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドと非境界コンタクトとを有する半導体素子及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。	志賀正武その他	三星電子株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/08	不服 2009 -6606	表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		シャープ株式会社	原文	保存
該当なし
2011/06/02	不服 2008 -32134	半導体装置の製造方法	本件審判の請求は、成り立たない。		富士通セミコンダクター株式会社	原文	保存
該当なし
2011/05/30	不服 2010 -18569	高いアーリー電圧,高周波性能及び高降伏電圧特性を具備した相補型バイポーラトランジスター及びその製造方法	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		ハリス・コーポレーション	原文	保存
該当なし
2011/05/25	不服 2008 -14043	表面実装サーミスタ部品	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社村田製作所	原文	保存
該当なし
2011/05/25	不服 2008 -11046	セラミック電子部品の製造装置	原査定を取り消す。本願の発明は,特許すべきものとする。	阿部美次郎	TDK株式会社	原文	保存
該当なし
2011/05/25	不服 2009 -8386	磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ	原査定を取り消す。本願の発明は、特許すべきものとする。		株式会社東芝	原文	保存
該当なし
2011/05/25	不服 2010 -2756	汎用的にアクセス可能である十分にプログラム可能なメモリ組み込み自己テスト(MBIST)システムおよび方法	本件審判の請求は、成り立たない。	志賀正武その他	アナログデバイシーズインク	原文	保存
新規事項の追加
2011/05/11	不服 2009 -1235	固体撮像装置	本件審判の請求は、成り立たない。		ソニー株式会社	原文	保存
該当なし
2011/05/10	不服 2010 -1827	半導体メモリ装置	本件審判の請求は、成り立たない。		株式会社ハイニックスセミコンダクター	原文	保存
パリ条約新規事項の追加
2011/05/10	不服 2008 -30287	固体撮像装置	本件審判の請求は、成り立たない。	角田芳末	ソニー株式会社	原文	保存
進歩性(29条2項) 実施可能要件明確性新規性

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