| 審決年月日 |
審判番号 |
発明・考案の名称 |
結論 |
代理人 |
請求人 |
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2011/08/04
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不服
2008
-24308
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ライン・レベル・エア・ギャップ
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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太佐 種一
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/03
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不服
2009
-17209
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磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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ヤマハ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/08/01
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不服
2009
-1415
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カラー撮像素子
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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阿部 琢磨
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キヤノン株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/11
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不服
2008
-22370
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SOI半導体集積回路及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/06
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不服
2008
-26280
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半導体集積回路デバイスの製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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岡部 讓
その他
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アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/05
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不服
2008
-28689
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集積回路チップ及びマルチチップパッケージ
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本件審判の請求は,成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/07/05
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不服
2008
-31780
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半導体ウエハ製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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増井 忠弐
その他
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エルエスアイ コーポレーション
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原文
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保存
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新規事項の追加
パリ条約
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2011/07/04
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不服
2009
-6703
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メモリ回路構造およびその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
パリ条約
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2011/06/22
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不服
2009
-14776
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半導体装置の製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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富士通セミコンダクター株式会社
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原文
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保存
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進歩性(29条2項)
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2011/06/22
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不服
2008
-26853
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タングステンプラグで相互接続されるメタライゼーション層を備える半導体デバイスの製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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吉武 賢次
その他
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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原文
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保存
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該当なし
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2011/06/21
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不服
2008
-17243
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多層体及びその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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池上 美穂
その他
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アメリカン スーパーコンダクター コーポレイション
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/06/21
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不服
2008
-22915
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磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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笹川 拓
その他
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キヤノンアネルバ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/06/10
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不服
2007
-30535
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ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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國立交通大學
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原文
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保存
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該当なし
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2011/06/07
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不服
2008
-31138
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高温超伝導体膜の形成方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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富士通株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/30
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不服
2010
-8045
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同期式半導体メモリ装置及びウェーブパイプラインの制御方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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渡邊 隆
その他
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/20
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不服
2008
-32495
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バイポーラトランジスタおよびその製造方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/18
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不服
2008
-18167
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巻線型コイル部品およびコイルの導線と金属端子の接続方法
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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株式会社村田製作所
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/10
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不服
2008
-22212
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半導体集積回路装置の市場故障率推定方法及び半導体集積回路装置の製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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竹村 壽
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株式会社東芝
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/10
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不服
2008
-7965
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磁気ネックレス
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本件審判の請求は,成り立たない。
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株式会社マグエックス
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原文
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保存
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該当なし
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2011/05/09
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不服
2008
-12694
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MOS型固体撮像装置
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本件審判の請求は,成り立たない。
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高柳 司郎
その他
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キヤノン株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/25
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不服
2008
-25901
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半導体装置の作製法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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福田 伸一
その他
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独立行政法人産業技術総合研究所
三洋電機株式会社
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/04/22
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不服
2008
-11302
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磁気抵抗ビット構造体およびその製造方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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大菅 義之
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マイクロン テクノロジー, インク.
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/22
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不服
2008
-3991
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半導体薄膜、半導体薄膜の形成方法、半導体装置およびディスプレイ装置。
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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安村 高明
その他
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シャープ株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/04/20
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不服
2008
-6730
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半導体装置の素子分離膜の形成方法
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本件審判の請求は,成り立たない。
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東部エレクトロニクス株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/22
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不服
2008
-23613
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半導体素子のトランジスタ形成方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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荒船 博司
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株式会社ハイニックスセミコンダクター
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原文
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保存
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新規事項の追加
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2011/03/22
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不服
2010
-440
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互いに相補されるデータを有するメモリセルが配列されるメモリ装置
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本件審判の請求は、成り立たない。
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三星電子株式会社
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/22
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不服
2008
-32923
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集積回路内に電池を形成する方法と装置
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原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。
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太佐 種一
その他
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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原文
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保存
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該当なし
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2011/03/17
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不服
2007
-31200
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不揮発性フラッシュメモリ
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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旺宏電子股▲ふん▼有限公司
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原文
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保存
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パリ条約
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2011/02/23
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不服
2007
-22500
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半導体デバイスの製造方法。
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原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。
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越智 隆夫
その他
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アルカテル-ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド
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原文
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保存
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該当なし
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2011/02/17
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不服
2008
-3221
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薄いガリウム砒素アンチモン層をベースに用いた利得向上型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
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本件審判の請求は、成り立たない。
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松島 鉄男
その他
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アジレント・テクノロジーズ・インク
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原文
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保存
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該当なし
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