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現在の検索キーワード: 小野田 誠

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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2014/10/16 不服
2013 -18064 
半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/10/16 不服
2013 -23053 
電子部品とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2014/10/16 不服
2013 -14146 
強誘電体膜、強誘電体膜を有する半導体装置、及びそれらの製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 福田 修一 その他   公益財団法人国際科学振興財団 国立大学法人東北大学   原文 保存
該当なし  
2014/10/09 不服
2013 -15487 
酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   スタンレー電気株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/10/07 不服
2013 -9934 
金属パターンを有するナノプリントされたデバイスおよび金属パターンをナノプリントする方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 実広 信哉 その他   コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ   原文 保存
該当なし  
2014/10/06 不服
2013 -20282 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/30 不服
2013 -17679 
可撓性高温ケーブル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 大塚 文昭 その他   ヴァーサ パワー システムズ リミテッド   原文 保存
該当なし  
2014/09/30 不服
2013 -24542 
GaN系HEMTアクティブデバイスのためのリークバリヤ 本件審判の請求は、成り立たない。 小林 泰 その他   ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/09/30 不服
2013 -25351 
高電力絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/09/29 不服
2013 -13518 
過渡的増速拡散を削減するためのイオン注入方法 本件審判の請求は、成り立たない。 園田 吉隆   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/09/25 不服
2013 -13471 
半導体素子およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   住友電気工業株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/24 不服
2013 -25926 
新構造半導体集積回路 本件審判の請求は、成り立たない。   小田 基博   原文 保存
該当なし  
2014/09/24 不服
2013 -25468 
基板処理装置の供給異常検知方法及びそれを用いた基板処理装置 本件審判の請求は、成り立たない。   大日本スクリーン製造株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/24 不服
2013 -21146 
ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積 本件審判の請求は、成り立たない。 河野 哲 その他   東京エレクトロン株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/18 不服
2013 -15236 
固体撮像装置とその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ソニー株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/16 不服
2013 -19856 
熱電モジュールの製造方法及び熱電モジュール 本件審判の請求は、成り立たない。   フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション   原文 保存
該当なし  
2014/09/11 不服
2013 -17068 
半導体装置および半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 川崎 実夫 その他   ローム株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/09/05 不服
2013 -14719 
異なるアスペクト比の構成を誘電層内にエッチングするための方法、及びその方法によって作成される半導体デバイス、並びにそのための装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   ラム リサーチ コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2014/09/01 不服
2013 -23363 
有機金属化学気相成長法(MOCVD)による平坦な無極性{1-100}m面窒化ガリウムの成長方法及び装置 本件審判の請求は、成り立たない。 清水 守   ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
該当なし  
2014/08/27 不服
2013 -10953 
半導体装置の製造方法及び基板処理装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 阿仁屋 節雄 その他   株式会社日立国際電気   原文 保存
該当なし  
2014/08/22 不服
2013 -24497 
化合物半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 國分 孝悦   住友電工デバイス・イノベーション株式会社 富士通株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/08/21 不服
2013 -434 
電気活性ポリマーの予歪み 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   エスアールアイ インターナショナル   原文 保存
該当なし  
2014/08/18 不服
2014 -1205 
タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法 本件審判の請求は,成り立たない。 村山 靖彦   クアルコム,インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/08/07 不服
2013 -4329 
多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための化学気相成長法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 石田 敬 その他   エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/08/01 訂正
2014 -390059 
半導体集積回路 特許第4200926号に係る特許請求の範囲を本件審判請求書に添付さ…… ▲吉▼田 和彦 その他   ソニー 株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/07/28 不服
2013 -14431 
成膜装置のクリーニング方法 本件審判の請求は、成り立たない。 野河 信久 その他   株式会社東芝 レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード   原文 保存
該当なし  
2014/07/22 不服
2013 -15361 
高誘電率膜を製造するための方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小林 義教   アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/07/22 不服
2013 -13048 
大きな反転層移動度を有するSiCMOSFETの形成方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   クリー インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2014/07/22 不服
2013 -24972 
トレンチ型絶縁ゲートMOS半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2014/07/09 不服
2013 -15722 
有機薄膜トランジスタの製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 青木 孝博 その他   ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド   原文 保存
該当なし  

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