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審決年月日 審判番号 発明・考案の名称 結論 代理人 請求人    
2011/04/19 不服
2009 -2788 
III族窒化物半導体を用いたノーマリオフ型電界効果トランジスタ及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   古河電気工業株式会社   原文 保存
 明確性  新規事項の追加  
2011/04/15 不服
2009 -7972 
ニッケルシリサイドのブリッジを減じるためのシリコン酸化物ライナ 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野田 久登 その他   アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2011/03/29 不服
2008 -30884 
不揮発性メモリ 本件審判の請求は、成り立たない。 小栗 昌平 その他   ローム株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/28 不服
2007 -31922 
多結晶シリコン・ゲート上のサリサイドの抵抗を改善するための方法 本件審判の請求は,成り立たない。 山川 政樹 その他   インテル・コーポレーション   原文 保存
 新規事項の追加  
2011/03/22 不服
2008 -13636 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 山崎 宏 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/03/08 不服
2009 -6217 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 小笠原 史朗 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/03/07 不服
2008 -13637 
半導体装置の製造方法および半導体装置 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 仲倉 幸典 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2011/02/01 不服
2008 -10729 
強誘電性メモリセル及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 池田 幸弘 その他   シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ   原文 保存
該当なし  
2011/01/07 不服
2008 -16306 
半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 河野 哲 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/12/28 不服
2008 -31910 
半導体装置及びその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   三洋電機株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/12/06 不服
2007 -31732 
半導体記憶装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 河井 将次 その他   株式会社東芝   原文 保存
該当なし  
2010/11/30 不服
2008 -7207 
高誘電膜を備えた半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/11/26 不服
2008 -10779 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 長谷 照一   株式会社ハイニックスセミコンダクター   原文 保存
 新規性  進歩性(29条2項)  
2010/11/15 不服
2007 -28614 
半導体装置およびその製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 野本 可奈 その他   ルネサスエレクトロニクス株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/11/10 不服
2008 -2242 
導電スペーサで拡張されたフローティングゲートの製造方法及びフローティングゲートを備えた半導体装置 本件審判の請求は,成り立たない。 高橋 佳大 その他   エヌエックスピー ビー ヴィ   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/11/01 不服
2007 -14402 
半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   独立行政法人科学技術振興機構   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2010/10/25 不服
2007 -23374 
静電気放電保護のための半導体装置及びその製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 宇谷 勝幸 その他   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/22 不服
2008 -6985 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/10/19 不服
2007 -23045 
不揮発性メモリ装置 本件審判の請求は,成り立たない。   三星電子株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/09/22 不服
2008 -4094 
<110>方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法 本件審判の請求は,成り立たない。   財団法人国際科学振興財団   原文 保存
 進歩性(29条2項)  
2010/09/01 不服
2006 -27848 
有機強誘電メモリーセル 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 熊倉 禎男 その他   パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド   原文 保存
該当なし  
2010/08/23 不服
2007 -25036 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 井関 勝守 その他   パナソニック株式会社   原文 保存
 新規事項の追加  
2010/08/23 不服
2007 -30715 
ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。   JX日鉱日石金属株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/19 不服
2007 -29540 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 山本 秀策 その他   シャープ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/08/16 不服
2007 -14787 
メモリデバイスおよびメモリデバイスを動作させる方法 本件審判の請求は、成り立たない。 山本 秀策 その他   インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト   原文 保存
該当なし  
2010/07/05 不服
2007 -22415 
シリコン基板の複合面に酸化膜を形成する方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 間山 進也 その他   インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション   原文 保存
該当なし  
2010/06/23 不服
2010 -3236 
カウンタ及び非カウンタ・ドーパント要素を用いて形成されたLDD領域を有する電界効果トランジスタ 本件審判の請求は,成り立たない。 富田 博行 その他   エルエスアイ コーポレーション   原文 保存
 技術的範囲  
2010/06/08 不服
2007 -15034 
半導体素子の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 佐藤 幸男   OKIセミコンダクタ宮城株式会社 OKIセミコンダクタ株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/05/14 不服
2007 -14175 
半導体装置の製造方法 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。   富士通セミコンダクター株式会社   原文 保存
該当なし  
2010/04/26 不服
2007 -18959 
半導体装置の製造方法 本件審判の請求は、成り立たない。 鈴江 武彦 その他   株式会社東芝   原文 保存
 新規事項の追加  

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